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本文介绍了适合于薄膜亚微米、深亚微米SOIMOSFET的二维数值模拟软件。该模拟软件同时考虑了两种载流子的产生-复合作用,采用了独特的动态二步法求解泊松方程和电子、空穴的电流连续性方程,提高了计算效率和收敛性。利用此模拟软件较为详细地分析了薄膜SOIMOSFET不同于厚膜SOIMOSFET的工作机理及特性,发现薄膜SOIMOSFET的所有特性几乎都得到了改善。将模拟结果与实验结果进行了对比,两者吻合得较好。 相似文献
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采用数值模型成功地实现了薄膜深亚微米SOIMOSFET的瞬态数值模拟.为了提高模拟软件的计算效率和收敛速度,采用交替方向格式对载流子连续方程进行数值求解,得到了较为理想的模拟结果.通过大量的模拟计算,较为详细地分析了薄膜深亚微米全耗尽SOIMOSFET的瞬态工作机理,为今后小尺寸CMOS/SOIVLSI电路的设计提供了理论基础. 相似文献
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深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析 总被引:1,自引:0,他引:1
利用器件模拟手段对深亚微米MOSFET的衬底电流进行了研究和分析,给出了有效的道长度,栅氧厚度,源漏结深,衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米MOSFET衬底电流的影响,发现电源电压对深亚微米MOSFET的衬底电流有着强烈的影响,热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小,当电源电压降低到一定程度时,热载流子效应不再成为影响深亚微米MOS电路可靠性的主要问题。 相似文献
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深亚微米MOSFET模型研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
文中对在深亚微米MOSFET的器件模型研究基础上,提出了研究MOSFET模型值得注意的问题,并对如何建立深亚微米MOSFET模型作出了有益的探讨。 相似文献
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功率UMOS结构相对于功率VDMOS结构的电压限制,通过对源漏沟道区掺杂不均匀的器件进行二维和两种载流子的数值模拟进行了比较;还对两种器件表面和体内的电场分布进行了比较;预估了UMOS由Si/SiO_2界面附近高电场强度引起的碰撞电离所导致的击穿电压下降现象。 相似文献
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轻掺杂漏(LDD)MOSFET是一种已用在VLSI中的新型MOSFET结构.为了有效地进行LDD MOSFEI的优化设计,我们在二维数值模拟器MINIMOS的基础上,修改了边界条件及输入输出格式,考虑了轻掺杂区的杂质分布,研制成功了一种既适用于常规以MOSFET,又适用于LDD MOSFET的二维数值模拟程序FD-MINIMOS.应用该程序对LDD MOSFET的一系列直流特性模拟的结果表明,不同的轻掺杂浓度对于抑制沟道电场及热电子效应具有不同的效果,为轻掺杂区优化设计提供了重要信息. 相似文献
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基于BSIMSOI对深亚微米全耗尽SOI MOSFET参数提取方法进行了研究,提出一种借助ISE器件模拟软件进行参数提取的方法。该方法计算量小,参数提取效率高,不需要进行繁琐的器件数学建模,易于推广。将该方法提出的模型参数代入HSPICE进行仿真,模拟结果与实验数据相吻合,证明了这种方法的有效性和实用性。 相似文献
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本文是继用Monte Carlo法模拟GaAs亚微米器件后,进一步用该法模拟Si亚微米MESFET。文中除了处理Si和GaAs散射机制不同外,在模拟方法上有重要进步:用FFT代替迭代法,加速解Poisson方程过程;用快速自散射代替常规自散射,压缩计算无用自散射时间。这些进步相当程度地克服Monte Carlo微粒模拟法费机时的固有缺点。模拟得到的形象且合理的结果,给出亚微米栅长时Si MESFE 相似文献
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为了满足深亚微米芯片的高速性能,一方面要精确地定位电路各部分的延迟模型,另一方面必须把实际布图后互连延迟信息返标到逻辑综合环境。研究了亚微米芯片设计中的时序模型,线网的负载模型及EDA工具上的实现过程,并给出了设计流程。 相似文献
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为了研究电子辐照导致CCD参数退化的损伤机理,以及CCD内不同沟道宽长比的NMOSFET的辐射效应,将与CCD同时流片的两种不同沟道宽长比的深亚微米NMOSFET进行电子辐照实验。分析了电子辐照导致NMOSFET阈值电压和饱和电流退化的情况,以及器件的辐射损伤敏感性。实验结果表明,电子辐照导致两种NMOSFET器件的参数退化情况以及辐射损伤敏感性类似。导致器件参数退化的主要原因是界面陷阱电荷,同时氧化物陷阱电荷表现出了一定的竞争关系。实验结果为研究CCD电子辐照导致的辐射效应提供了基础数据支持。 相似文献
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对半导体器件模拟软件系统的构造进行了全面系统的分析,对所涉及到的关键问题进行了深入讨论。研究了适合于深亚微米半导体器件的流体动力学模型的物理实质、相互关系和选取原则,总结了非线性偏微分方程组系统的离散技术,提出了可行的迭代求解算法与方法,完成了面向对象的模拟软件结构分析与系统设计,初步探讨了基于CORBA 平台下并行计算方案的实验及其有效性 相似文献