A fast mode‐matching‐based analysis of lossy magnetron‐type cavity

A strategy of fast computer analysis of a magnetron‐type cavity is developed based on combination of rigorous mode‐matching formulation and its simplified versions. Numerical examples are given when varying the aperture opening of the grooves and the radius of the noncorrugated inner conductor, for TE‐modes corresponding to the first and second natural frequencies which are of most practical interest. © 2000 John Wiley & Sons, Inc. Int J RF and Microwave CAE 10: 202–212, 2000     

大孔径空间探测系统的缺陷分布分析

针对空间光学成像探测系统的口径越来越大,在加工中容易产生局部缺陷的问题,分析了局部缺陷分布位置对于光学系统的影响。基于成像光学系统的调制传递函数给出了缺陷位置分布对空间频率的影响的理论分析。利用Zemax和Matlab软件对一个实际缺陷的调制传递函数特性进行了仿真研究,结果表明:在光学系统中有效避免了局部缺陷对高频的不利影响,可使截止频率提高5%。     

具有高斯型的倾斜表面漂移区的LDMOS的器件特性研究

本文提出一种具有高斯型的倾斜表面漂移区的LDMOS结构。P阱、沟道、源区、栅极等位于高斯中心的一侧,而漏端位于高斯中心的另一侧并靠近高斯中心,器件既具有倾斜表面漂移区的高耐压性,又具有VDMOS结构的高开态击穿特性和良好的安全工作区域。我们研究了高斯表面的弯曲程度对高斯型倾斜表面漂移区的影响。结果表明,P阱的长时间退火对具有高斯表面的漂移区的掺杂浓度分布有一定影响。具有高斯表面的倾斜漂移区的LDMOS结构在不同弯曲程度下器件耐压性和表面电场分布均匀性不同。高斯弯曲参数P在0.5左右时开态耐压性能最优,并且表面电场分布相对均匀;当弯曲参数P增大时,击穿特性基本饱和或略有下降。     

微型机中断技术嵌套在在线检测中的应用

介绍了微型机中断技术在在线检测中的一次成功实践经验和中断技术嵌套使用在在线检测中的特点及优点。     

新型RESURF AlGaN/GaN HEMTs器件耐压分析

本文首先从器件有源区耗尽过程分析表明AlGaN/GaN HEMTs器件具有与传统Si功率器件不同的耗尽过程,针对AlGaN/GaN HEMTs器件特殊的耐压机理,提出了一种降低表面电场,提高击穿电压的新型RESURF AlGaN/GaN HEMTs结构.新结构通过在极化的AlGaN层中引入分区负电荷,辅助耗尽二维电子气,有效降低了引起器件击穿的栅极边缘高电场,并首次在漏极附近引入正电荷使漏端高电场峰降低.利用仿真软件ISE分析验证了AlGaN/GaN HEMTs器件具有的"虚栅"效应,通过电场和击穿特性分析获得,新结构使器件击穿电压从传统结构的257V提高到550V.     

高压静电场主电路仿真模型频域特性分析与应用

高压静电场工业现场普遍存在各种干扰,基于采样信号时域特征的火花检测算法误判漏判率偏高。为了提高控制决策的准确性,通过电路分时等效特性分析,利用了高压静电场工作过程三阶段线性特点建立主回路的仿真模型,并应用Duhamel积分原理建立高压静电场输出电压信号离散化模型。通过Matlab软件仿真运行和分析,结合信号频域特性的火花检测方法更为可靠。实验结果表明,该方法具有较高的准确性和较强的抗干扰能力。     

电压空间矢量PWM控制技术诠释

利用SVPWM控制技术产生的正六边形旋转磁场,采用在基本电压矢量之间巧妙插入零电压矢量办法,利用空间矢量概念形象而深刻阐述了逆变器变频原理的实现,并得出了一些有意义的结论.这对准确而全面理解SVPWM控制技术、深刻掌握交流调速系统有关内容具有重要意义.     

一次调频功能控制策略的分析及优化

本文根据国华三河发电有限责任公司1、2号机组一次调频功能的应用情况,介绍了电网公司对一次调频的要求以及下一步的优化方法。     

基于非参数核密度估计的密度峰值聚类算法*

针对密度峰值聚类算法CFSFDP(Clustering by fast search and find of density peaks)计算密度时人为判断截断距离和人工截取簇类中心的缺陷,提出了一种基于非参数核密度估计的密度峰值的聚类算法。首先,应用非参数核密度估计方法计算数据点的局部密度;其次,根据排序图采用簇中心点自动选择策略确定潜在簇类中心点,将其余数据点归并到相应的簇类中心;最后,依据簇类间的合并准则,对邻近相似子簇进行合并,并根据边界密度识别噪声点,得到聚类结果。在人工测试数据集和UCI真实数据集上的实验表明,新算法较之原CFSFDP算法,不仅有效避免了人为判断截断距离和截取簇类中心的主观因素,而且可以取得更高的准确度。     

Breakdown voltage analysis for the new RESURF AlGaN/GaN HEMTs

This paper demonstrates that the depletion process for AlGaN/GaN high electron mobility tran-sistors(HEMTs)is different than that for silicon power devices by analyzing active region depletion.Based on the special breakdown principle that occurs in AlGaN/GaN HEMTs,we propose a new reduced surface field AlGaN/GaN HEMT with a double low-density drain(LDD)and a positively charged region near the drain to optimize the surface electric field and increase the breakdown voltage.In this structure,two negative charge regions with different doses are introduced into the polarization AlGaN layer to form a double LDD and decrease the high electric field near the gate by depleting two-dimensional electron gas.A positively charged region is added to the electrode near the drain to decrease the high electric field peak at the drain edge.By applying ISE(integrated systems engineering)simulation software,we verify that the virtual gate effect occurs in the AlGaN/GaN HEMTs.The breakdown voltage is improved from 257 V in the conventional structure to 550 V in the proposed structure.     

一种新的无线传感器网络MAC协议

针对SMAC协议退避机制的缺陷,提出一种新的MAC协议——自适应SMAC。在SMAC的基础上引入指数退避机制,引用马尔可夫分析模型对退避关键性能参数进行理论分析,根据分析结果引入信道忙计数器。使节点能根据该计数器估计信道的拥塞程度,自适应地改变竞争窗I：1大小以减少碰撞,提高能量效率和吞吐率。仿真结果表明,新方案的能量效率和吞吐率相对于SMAC有明显提高。