塑料载体管壳

<正> 据报导,美国得克萨斯仪器公司宣布,已经研制成一种新的塑料载体管壳。该公司已经开始向集成电路制造厂提供这种新的管壳。有的制造厂已用这种塑料载体管壳来封装低功率的肖特基器件及其它集成电路。新的塑料载体管壳具有20条管脚,28条管脚等几种形式。预计到年底将研制出84条及168条管脚的塑料载体管壳。该公司声称,与以往的无引线陶瓷载体管壳一样,塑料载体管壳亦能实现高密度封装,     

新型凸缘管壳及旋压加工

一、前言为了解决行波管的散热问题,有人提出一种“开槽管壳”的结构,把氧化铍夹持杆放在管壳的凹槽内。这样,氧化铍夹持杆与管壳的接触面积加大了,热量以大得多的速率通过氧化铍夹持杆传给管壳,因此散热性能提高。图1是“开槽管壳”的断面形状。     

检查陶瓷管壳裂缝的新方法

<正> 以往,检查半导体器件及其管壳需要精巧的技术和复杂的设备。然而,不久前在 IEEE国际可靠性物理会议上报导的一种新方法却并非如此,这种新方法快速而廉价,它是利用惰性氟碳化合物的凝缩性来检查陶瓷管壳本身的裂缝的。由于管壳具有潜在的可靠性问题,因而需要尽快地摸索出一种迅速、有效、成本低及非破坏性的检查管壳裂缝的方法。因为管壳内部附着管芯的玻璃在内部回熔,从而密封了管壳     

简讯

在二月份举行的电子通信学会微波研究会上,三菱电机中央研究所发表了一种用于耿氏二极管和雪崩二极管的新管壳。一般的微波二极管管壳,微波阻抗很低,总是有一个与电路难以匹配的缺点。在封装方面,能够作的也只是在一定程度上减小电感和管壳电容罢了。新的封装方法,把管壳电容和引线电感直接作为串并联共振电路的一部份,这样,二极管的端子阻抗就可以自由选择。同一般的管壳相比,用新管壳封装的微波二极管具有易于同电路匹配,适当选择串并联共振频率,可改善功率增益和带宽,可使用较大的管壳,从而降低热阻等优点。这     

集成电路封装热设计的发展动向

本文根据半导体芯片技术的发展和用户的需求论述了影响半导体制造的热设计的发展动向。用几个特例(如双列直插式管壳,陶瓷芯片载体,针栅阵列管壳)来描述封装材料、管壳设计、外部环境和封装集成度的重要性。管壳设计的发展趋势与散热技术的重大进展有密切关系。     

国产与进口管壳金镍镀层质量特性分析

国产金镍体系管壳在鉴定检验中,常出现腐蚀、掉字等镀层质量问题,直接影响器件的封装可靠性。结合镀层常见质量问题,分析镀层的厚度、结构等影响因素;利用扫描电镜和能谱分析,从外观、厚度、结合力、耐热性、结构和成分六方面,进行了国产与进口管壳样品的镀层质量特性分析;选取国产与进口管壳样品各10只,开展湿热试验和盐雾试验,分析Au/Ni管壳的薄弱环节和抗腐蚀性能。结果表明,国产管壳相比进口管壳的不足,主要表现在打标方式不成熟、金层厚度较为单薄、镀层结构不够合理、材料纯度相对较低等方面;在打印标记处和平行焊缝处,管壳的抗腐蚀性能较弱。     

等静压电真空陶瓷管壳的研制与性能探讨

研究了不同氧化铝含量的电真空陶瓷管壳配方组成与性能的关系,分析了等静压工艺技术生产电真空陶瓷管壳的诸多因素,并对等静压工艺生产电真空陶瓷管壳的工艺控制、氧化铝含量与性能的关系以及对陶瓷金属化适应性进行了探讨.等静压成型工艺是提高电真空陶瓷管壳综合性能的必要手段,等静压电真空陶瓷管壳氧化铝含量对其机械性能、电性能、金属化适应性有直接影响.     

高热导率SiC陶瓷在LSI管壳中的应用

含有BeO添加剂的SiC陶瓷,适用于大规模集成电路的陶瓷管壳。该管壳结构有点类似于CER-DIP结构工艺,即在SiC陶瓷衬底和陶瓷盖之间采用了一个引线框和密封玻璃垫片,为得到一个高可靠的陶瓷管壳,采用了低膨胀的莫来石(mullite)陶瓷盖和低膨胀的密封玻璃。在SiC衬底的背面用弹性有机硅树脂粘结铝散热片。这种管壳结构中,当热沉的空气流速为5m/s时,其结-环境的热阻约为9℃/W,该管壳的各种特征与目前使用的低热阻和铜冷却螺栓的Al_2O_3管壳相类似。     

多功能的带状管壳

美帝飞歌·福德公司研制了一种具有许多微波功能的新型带状二极管管壳,电路功能包括开关、混频、检波和限幅等器件。管壳可以密封,并且满足恶劣环境的规格要求。此管壳具有以下优点:成本低;宽带;50欧姆的匹配;电路制造简单;提高系统的可靠性。该公司把各种微波半导体管芯封装在以下带状管壳里。     

微小型一体化管壳气密封装技术

微小型一体化管壳将基板和外壳构成一个封装整体,可以较好地解决高密度集成微电路的封装难题。平行缝焊技术是微小型一体化管壳气密封装的主要形式,平行缝焊的热应力是造成微小型一体化管壳气密封装失效的主要原因。文章用有限元法计算了微小型一体化管壳的热应力分布,并在此基础上优化了平行缝焊参数,保证获得最佳的焊接效果。     

超高速GaAs IC的封装

<正> 本文报导了两种36根引线的芯片载体管壳,该管壳能满足超高速GaAs IC的要求,时标速率可达3GHz,上升和下降时间为100μμs。根据传播延迟时间、短截线长度、交调失真和电源控制,分析了封装要求。研制了最大管壳尺寸为1cm×1cm且带有内接地面和电源旁路电容器的两种管壳,第一种封装方法采用了多     

我国IC封装概况及发展前途

本文对我国集成电路封装的几种类型和主要应用,以及它们使用的一些材料和工艺方法,作了简要的介绍。对超高频管壳、功率管壳、恒温管壳、防辐射管壳、光电管壳和微型组装技术,也简单地进行了介绍。对今后我国集成电路封装技术的发展提出了一些看法。     

管壳式换热器壳程流体流动与传热数值模拟

随着管壳式换热器在社会实践中的大量应用,传统的折流板管壳式换热器出现了不少缺陷。本文通过专业模拟软件对管壳式换热器壳程流体与传热数值进行模拟计算,讨论了折流板入口流速以及距离对流体振动和换热率的影响,提出了改进换热器构造的方法策略。     

SMO-8封装器件的焊接可靠性

SMO-8陶瓷管壳封装的器件在焊接到印制板作温度冲击试验后,管壳底部的陶瓷层出现了裂纹。使用ANSYS有限元分析的方法对管壳焊接到印制板的整体结构的应力分布情况进行仿真分析,找出陶瓷出现裂纹的力学原因。并据此提出SMO-8陶瓷管壳焊接的改进方案:SMO-8管壳接地焊盘由方形设计改为边缘圆弧形设计,然后重新做应力分析。通过对比,在相同温度条件下管壳陶瓷层所受应力分布改善,边沿所受应力值明显降低。根据仿真结果制作样品并对样品做温度冲击试验进行验证。结果表明,圆弧形焊盘设计可以解决SMO-8封装器件焊接后经温度冲击时出现的陶瓷层裂纹问题。     

管壳封装对激光器寿命的影响

针对GF221-A激光器管壳对寿命的不良影响,仿照国外通用的两类管壳进行了批量试验,降低了热阻,实现了氮气封装、提高了可靠性。     

微波晶体管管壳电参数分析

一般说来,晶体管的封装要解决两个问题。一个是把管芯的电极和电路连接起来,一个是给管芯提供适宜的工作环境,以防止机械的、热的和化学的损害。但是,对微波晶体管来说,情况要复杂一些。管壳设计除解决这两个问题以外,还要考虑管壳寄生参量对器件电特性的影响。微波管壳是电路的一部分,它本身就构成一个完整的输入、输出电路。因此,管壳的结构形状、尺寸大小、介质材料、导体的图形和配置都要从器件的微波特性和电路应用方面加以研讨。这就要计算和确定管壳的电容、电感、引线电阻、特性阻抗以及导体和介质的损耗等参数。并要使这些参数对于被封装的     

新型高导热螺旋线慢波结构的设计和仿真分析

该文从理论上通过对螺旋线慢波结构的热状态进行分析,首次提出以椭圆管壳结构来代替传统的圆管壳结构,然后利用ANSYS软件对椭圆管壳螺旋线慢波结构作了三维热分析并利用微波工作室CST分析了其高频特性。仿真结果表明,椭圆管壳螺旋线慢波结构的导热能力明显强于传统的圆壳结构,且夹持杆数目越多,导热能力越强。同时还发现椭圆管壳慢波结构在保证足够大耦合阻抗前提下,其工作带宽相对圆壳更宽。     

管壳的制造与评价

虽然微电子学的封装相当于薄膜或混合器件成本的一个重要部分,但与半导体或薄膜材料工艺发展相比,它没有得到相应的发展。本文的目的是对在集成电路、薄膜系统和混合薄膜系统中普遍应用着的一些典型管壳进行讨论。一般估计,在每个成品的器件中,材料成本的50～80％用于管壳本身。显然,这是一个极其重要的范围。因此,无疑应集中全力对待它。图1示出一些大量生产的有使用价值的典型管壳。可以这样说,有用的管壳设计大概都投入了生产。     

用于集成电路扁平封装的平行缝焊技术

随着半导体集成电路封装技术的迅速发展,国内扁平管壳和双列直插式管壳已先后试制成功并逐步采用。这些管壳本身结构虽属气密性的,但由于封帽问题未彻底解决,封装的气密性最终仍难得到保证。目前扁平封装最终达到气密封接的主要途径,一种是采用低温合金焊料,另一种是电阻熔焊技术。比较这两种封接方法其优缺点如下:     

连续波80W大功率SiC MESFET

在高纯半绝缘(HPSI)衬底上外延生长了SiC材料,自主开发了SiC MESFET器件制作工艺,实现了单胞栅宽27 mm芯片的制作。优化了芯片装配形式,通过在管壳内外引入匹配网络提升了芯片输入阻抗及输出阻抗。利用管壳外电路匹配技术,采用管壳内匹配及外电路匹配相结合的方法对器件阻抗进行了进一步提升。优化了管壳材料结构,采用无氧铜材料提高了管壳散热能力。采用水冷工作的方式解决了大功率器件散热问题,降低了器件结温,可靠性得到提高。采用多胞芯片匹配合成技术,实现四胞4×27 mm芯片大功率合成。四胞芯片封装器件在连续波工作频率为2 GHz、Vds为37.5 V时连续波输出功率达80.2 W(49.05 dBm),增益为7.0 dB,效率为32.5%。