极性晶体中表面极化子有效质量的磁场和温度依赖性

采用改进的线性组合算法讨论电子和体纵光学声子弱耦合、与表面声子耦合强时表面极化子有效质量的磁场和温度效应，对ＡｇＣｌ晶体进行了数值计算结果表明，极化子有效质量随温度的升高而减小，随磁场的增大而增大．     

晶格热振动对极性半导体膜中电子-表面声子强耦合极化子自陷能的影响

采用 Huybrechts线性组合算符和变分法 ,讨论了晶格热振动对极性半导体膜中电子 -表面光学 (SO)声子强耦合和电子 -体纵光学 (L O)声子弱耦合体系的影响 ,得到了极化子自陷能随膜厚和温度变化的规律 ,对 Cd F2半导体膜进行了数值计算 ,结果表明 ,Cd F2 极性半导体膜中表面光学声子和体纵光学声子对极化子自陷能的贡献分别在薄膜和宽膜情况下起主导作用 .并且发现 Cd F2 半导体膜中的不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献 ,以及极化子的总自陷能都将随温度的升高而减小 ,这表明晶格热振动将削弱电子 -声子耦合     

晶格热振动对极性半导体膜中电子-表面声子强耦合极化子自陷能的影响

采用Huybrechts线性组合算符和变分法,讨论了晶格热振动对极性半导体膜中电子-表面光学(SO)声子强耦合和电子-体纵光学(LO)声子弱耦合体系的影响,得到了极化子自陷能随膜厚和温度变化的规律,对CdF2半导体膜进行了数值计算,结果表明,CdF2极性半导体膜中表面光学声子和体纵光学声子对极化子自陷能的贡献分别在薄膜和宽膜情况下起主导作用.并且发现CdF2半导体膜中的不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献,以及极化子的总自陷能都将随温度的升高而减小,这表明晶格热振动将削弱电子-声子耦合.     

晶格热振动对极性半导体膜中电子—表面声子强耦合极化子自陷能的影响

采用Huybrechts线性组合算符和变分法,讨论了晶格热振劝对极性半导体膜中电子－表面光学（SO）声子强耦合和电子－体纵光学（LO）声子弱耦合体系的影响,得到了极化子自陷能随膜厚和温度变化的规律,对CdF2半导体膜进行了数值计算,结果表明,CdF2极性半导体膜中光学声子和体纵光学声子对极化子自陷能的贡献分别在薄膜和宽膜情况下起主导作用。并且发现CdF2半导体膜小的中不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献,以及极化子的总自陷能都将随温度的升高而减小,这表明晶格热振动将削弱电子－声子耦合。     

抛物量子线中极化子的温度依赖性

研究了抛物量子线中极化子的温度效应.采用改进的线性组合算符法、Lagrange乘子和变分法,在考虑电子与LO声子相互作用情况下,分别研究了抛物量子线中强耦合和弱耦合两种情况下极化子的有效质量和光学声子平均数的温度依赖性.对RbCl晶体和CdTe晶体进行了数值计算,结果表明,两种情况下极化子的有效质量随温度的升高而减少,光学声子平均数均随温度的增高而增大.     

抛物量子线中极化子的温度依赖性

研究了抛物量子线中极化子的温度效应.采用改进的线性组合算符法、Lagrange乘子和变分法,在考虑电子与LO声子相互作用情况下,分别研究了抛物量子线中强耦合和弱耦合两种情况下极化子的有效质量和光学声子平均数的温度依赖性.对RbCl晶体和CdTe晶体进行了数值计算,结果表明,两种情况下极化子的有效质量随温度的升高而减少,光学声子平均数均随温度的增高而增大.     

准二维强耦合激子能量的温度依赖性

采用线性组合算符法和LLP变分法研究了晶格热振动和极化子效应对量子阱中激子与界面光学(IO)声子强耦合又与体纵光学(LO)声子弱、中耦合体系的基态和激发态的影响,推导出作为量子阱宽和温度函数的激子基态能量的移动和第一内部激发态能量的移动的表达式,以AgCl/AgBr/AgCl量子阱为例进行了数值计算.结果表明,由激子IO声子强耦合所产生的激子基态能量移动和第一内部激发态能量移动随温度的升高而增大,而由激子-LO声子弱、中耦合所产生的激子基态能量移动和第一内部激发态能量移动随温度的升高而减小.     

量子阱中强耦合极化子自陷能的温度依赖性

采用Huybrechts的线性组合算符法和改进的LLP变分法,研究了晶格热振动对无限势垒量子阱中电子与界面光学声子强耦合、与体纵光学声子弱耦合极化子性质的影响．推导出作为阱宽和温度函数的极化子自陷能的表达式．对KI／AgCl／KI量子阱进行了数值计算,结果表明,极化子的自陷能随阱宽增加而减小、随温度升高而减小,但不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献以及它们随阱宽和温度的变化情况大不相同．     

温度对非对称量子点中强磁耦合极化子声子平均数的影响

采用Huybrechts线性组合算符法和LLP变分法,研究了温度对非对称抛物量子点中强耦合磁极化子声子平均数的影响。数值结果表明,非对称量子点中强耦合磁极化子的声子平均数随温度的升高而减小。另外,温度还对磁极化子的声子平均数随量子点的横向受限强度、纵向受限强度、外磁场的回旋频率和电子-声子耦合强度的变化产生显著影响.     

准二维强耦合激子能量的温度依赖性

采用线性组合算符法和LLP变分法研究了晶格热振动和极化子效应对量子阱中激子与界面光学(IO)声子强耦合又与体纵光学(LO)声子弱、中耦合体系的基态和激发态的影响,推导出作为量子阱宽和温度函数的激子基态能量的移动和第一内部激发态能量的移动的表达式,以AgCl/AgBr/AgCl量子阱为例进行了数值计算.结果表明,由激子IO声子强耦合所产生的激子基态能量移动和第一内部激发态能量移动随温度的升高而增大,而由激子-LO声子弱、中耦合所产生的激子基态能量移动和第一内部激发态能量移动随温度的升高而减小.     

近粗糙表面的表面极化子(英文)

<正> The thoery of polarons near rough polar crystal surfaces is presented. The effec-tive Hamiltonian of the polaron is derived using the Lee-Low-Pines unitary transformation technique and considering the electron moving in the instantaneous field of the optical phonons. The image potential of the polaron arising from the interaction with both the longitudinal optical and surface optical phonons is obtained from the theory, while the image potential associated with the polarizations which have much higher "vibrational" frequencies than thoes of optical phonons is added to the theory using its electrostatic limit. From the theory presented in this paper, it is predicated that the polaron outside the polar crystal will be localized near the surface, while the polaron inside the polar crystal will be repelled from the surface contrast to an early result, which predicates that polarons both outside and inside the crystal will be attracted to the surface [Evans and Mills, Phys. Rev. B8, 3981 (1972)].     

GaSb半导体表面极化子基态能量的研究

采用Ｌ．Ｌ．Ｐ方法导出表面极化子的基态能量,声子平均数,讨论了电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢声子之间相互作用对ＧａＳｂ半导体表面中表面极化子基态能量的影响。数值计算结果表明：当动量趋于零时,声子之间的相互作用对极化子性质无影响;当动量达到某一值时,声子之间相互作用的能量占极化子总能量中非常显著的部分;随着动量（平方）的增加,声子平均数近似线性地增加。     

盘型量子点中极化子的温度效应

在考虑电子与体纵光学声子强耦合的条件下,通过求解能量本征方程,得出了盘型量子点中电子的基态能量、第一激发态能量及其相应的本征波函数;采用幺正变换和元激发理论方法研究了圆盘型量子点的声子效应,并讨论了温度对量子盘中极化子性质的影响。数值计算表明：在温度较低时,声子不能被激发,温度对能量无影响,当温度较高时,声子能够被激发,且温度愈高,被激发的声子数愈多,极化子能量愈大;结果还表明基态能量随着电子-声子耦合强度的增大而减小,随量子盘半径的增大而减小. 说明量子盘具有明显的量子尺寸效应。     

Rashba效应下量子点中束缚极化子的有效质量

采用线性组合算符、LLP幺正变换和变分方法,研究Rashba效应下量子点中强耦合束缚极化子有效质量的性质。对RbCl量子点数值计算的结果表明：极化子的振动频率、有效质量均随极化子速率、受限强度和库仑束缚势的增大而增大,原因是极化子速率增大电子动能增加,库仑束缚势增大导致电子-声子间相互作用增强,受限强度增大使电子运动的有效范围减小导致电子能量增大,进而使极化子的振动频率和有效质量增大。受Rashba自旋轨道相互作用的影响,极化子的有效质量发生劈裂,劈裂间距随极化子速率的增大而减小。     

抛物量子阱中强耦合极化子的声子平均数

采用线性组合算符和幺正变换相结合的变分方法,研究电子与体纵光学声子强耦合情况下抛物量子阱中极化子的声子平均数。给出了抛物量子阱中强耦合极化子的声子平均数与量子阱受限强度和电子-体纵光学声子耦合强度的关系。结果表明：强耦合极化子的声子平均数随量子阱受限强度的增大而增大,随电子-体纵光学声子耦合强度的增大而增大。随着量子阱受限强度的减小,声子平均数趋于晶体材料的值。抛物量子阱受限强度和耦合强度的增大加强电声子之间的相互作用。     

The role of surface phonons in the formation of the spectrum of polaron states in quantum dots

The theory of large-radius polarons in quantum dots is developed with the difference in dielectric properties between the materials of the quantum dot and surrounding matrix taken into consideration. It is shown that the magnitude of the polaron effect is essentially dependent on the spectrum of surface optical phonons. The polaron shift of the size-quantized energy levels for electrons and holes is determined taking into account their interaction with phonons in the bulk and surface phonons. The conditions in which the interaction with surface phonons prevails are defined. It is shown that, in the II–VI compounds, the energy of the interaction can be higher than 10 meV and, hence, should be taken into account in calculating the energy spectrum. An approximate method for treating the polaron states is developed. The method provides a means for determining the magnitudes of the polaron shift in differently arranged heterostructures. It is found that the results obtained for the effect of surface phonons on the polaron states by the approximate method and by exact calculations are in good agreement.     

极性半导体中经由形变势的表面磁极化子的性质

采用改进了的线性组合算符和微扰法,研究极性半导体中电子与表面光学声子耦合强,与表面声学声子耦合弱的表面磁极化子的性质。讨论了电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间相互作用对极性半导体中经由表变势的表面磁极化子的有效哈密顿量,频率,诱生势和有效质量的影响。     

The dominant mechanisms of charge-carrier scattering in lead telluride

The present status of the dominant mechanisms of charge-carrier scattering in lead telluride is analyzed critically. It is shown that the role of the Coulomb potential of the vacancies and the role of the deformation potential of acoustic phonons in carrier scattering in PbTe has been strongly overestimated in most existing studies. Futhermore, the role of optical phonons at high temperatures has been unjustifiably reduced to a polar component only. It is shown that, in addition to this mechanism, the deformation potential due to optical phonons, whose greatest contribution is at high carrier densities, also plays an important role in carrier scattering processes at temperatures in the range of room temperature. Fiz. Tekh. Poluprovodn. 31, 281–284 (February 1997)     

Theoretical model for intravalley and intervalley free-carrierabsorption in semiconductor lasers: beyond the classical Drudemodel

Free-carrier absorption is calculated from the second-order perturbation theory of quantum mechanics by considering the interactions between carriers and polar optical phonons, deformation potential optical phonons, deformation potential acoustic phonons, piezoelectric acoustic phonons, and charged impurities in the intravalley transition and the intervalley transition. A formula is derived from our theoretical model for the coefficient of free-carrier absorption by incorporating the state-filling effect and the degenerate carrier distribution. Our results indicate that the classical Drude model is inadequate to describe many features of the free-carrier absorption. Alternatively, our theoretical model may provide an efficient method for investigating the effect of free-carrier absorption on the functionality or performance of the related optoelectronic device