新铌酸盐A5LaSn3Nb7O30(A=Ba,Sr)的结构与介电特性

通过固相反应法,在AO-La2O3-SnO2-Nb2O5(A=Ba,Sr)体系合成了填满型钨青铜结构新铌酸盐Ba5LaSn3Nb7O30与Sr5LaSn3Nb7O30。采用X射线衍射分析和扫描电镜进行了结构分析,并测试了其介电性能。结果表明:Ba5LaSn3Nb7O30与Sr5LaSn3Nb7O30室温时均为四方钨青铜结构顺电相,其陶瓷体都具有高的介电常数、低的介电损耗与较小的介电常数温度系数。频率为1 MHz时,Ba5LaSn3Nb7O30陶瓷体的室温相对介电常数为171,介电损耗约为1.2×10-3;Sr5LaSn3Nb7O30陶瓷体的室温相对介电常数为164,介电损耗约为5.4×10-4。     

钽酸盐Ba5LaZnTa9O30的结构及其介电特性

在BaO-ZnO-Ta2O5体系中通过掺La3+合成了钽酸盐Ba5LaZnTa9O30采用粉晶X射线衍射(XRD)对其结构进行了分析,并测试了其陶瓷体的介电特性.结果表明,Ba5LaZnTa9O30在室温下属于填满型四方钨青铜结构顺电相,晶胞参数为a=1.259 09(4)nm,c=0.396 22(2)nm,α=β=y=90°;频率为1 MHz时Ba5LaZnTa9O30陶瓷的室温相对介电常数为89;而且介电损耗仅为0.006 7.     

极化对Bi基压电陶瓷BNT-BKT-BiFeO3介电特性的影响

为了改善无铅压电陶瓷介电性能,采用传统陶瓷制备方法,制备一种新型Bi基钙钛矿型三元系无铅压电陶瓷(1-x-y)BNT-xBKT-yBiFeO3,并研究极化对该体系陶瓷介电性能的影响以及介电性能随频率的变化规律。结果表明：极化后的介电常数和介电损耗低于极化前。极化前的介电常数和介电损耗随BiFeO3含量的增加变化不明显,极化后的介电常数和介电损耗随BiFeO3含量的增加而增加。极化前和极化后的介电常数和介电损耗随BKT含量的增加而增加。介电常数和介电损耗随频率增加分别降低和增加,但降低和增加速率随频率增加而降低。     

新铌酸盐A5NdSn3Nb7O30的合成与介电特性

通过固相反应法在AO-Nd2O3-SnO2-Nb2O5(A=Ba,Sr)体系中合成了填满型钨青铜结构新铌酸盐A5NdSn3Nb7O30。分别采用X射线衍射分析和扫描电镜进行了结构分析,并进行了介电性能测试。结果表明,它们室温时都为四方钨青铜结构顺电相。A5NdSn3Nb7O30(A=Ba,Sr)陶瓷体具有高的室温相对介电常数,1 MHz时分别为182与144;低的介电损耗,分别为1.8×10-3和6.2×10-4;其介电常数温度系数(τε)分别为-1 071×10-6K-1和-507×10-6K-1。     

Structural and Dielectric Properties of Ba5RNiNb9O30 （R = La, Nd and Sm） ceramics

1 IntroductionSince the discovery of ferroelectricity and relatedproperties in BaTiO3,a large amount of research work onoxidesin search of novel materials for industrial applica-tions ,has been done .High performance dielectric ceram-ics are applied as key materials for resonators , discreteand multiplayer (MLC) capacitors ,andtemperature com-pensating capacitors . Some ferroelectric oxides are alsovery important due to the rapid progress in microwavetelecommunications ,satellite broadcastin…     

介电分析及其应用

对介电分析法在研究环氧树脂固化，球氧树脂辐射老化，聚乙烯交联，漆包线固化度的检测和智能型漆包线固化度检测仪的研制中的应用作了概括性的介绍。     

SrBi4-xLaxTi4O15陶瓷材料铁电、介电性能研究

按x=0.00,0.10,0.25,0.50,0.75和1.00,制备SrBi4-xLaxTi4O15的陶瓷样品.用X射线衍射对其微结构进行分析,并测量了铁电、介电性能.结果表明,La掺杂未改变SrBi4Ti4O15的晶体结构;随掺杂量的增加,样品的矫顽场(Ec)减小,剩余极化(2Pr)先增大,后减小;在x=0.25时,2Pr达到极大值24.2μC@cm-2,这时Ec=60.8 kV@cm-1适量La掺杂可提高SrBi4Ti4O15的铁电性能.SrBi4-xLaxTi4O15的相变温度Tc随x的增加逐渐降低,x=0.25时,Tc=451℃.     

微波介质陶瓷的研究现状与发展趋势

微波介质陶瓷是现代通信技术中关键基础材料，它的应用越来越受到人们的重视。介绍了低介电常数、中介电常数、高介电常数三类微波介质陶瓷的研究现状，并根据材料设计的思想对高性能微波介质陶瓷的发展趋势进行了探讨。     

稀土Nd掺杂对Sr（Fe0.5Nb0.5）O3基介质陶瓷巨介电性能的影响

铁铌酸锶是一种重要的介质材料,具有复合钙钛矿结构,同其他介质材料相比,具有相对高的介电常数的优点,在高储能等领域有重要的应用潜力,是一种用途广泛的功能陶瓷材料．实验以Sr（Fe0.5Nb0.5）O3基陶瓷为研究对象,研究了稀土Nd掺杂对该系陶瓷巨介电性能的影响．结果表明：随着Nd抖掺杂量的增加,陶瓷样品的介电常数逐渐变大;随着温度的上升,陶瓷体系的介电常数也逐渐增大;Nd抖含量x≤0．10时,陶瓷样品有着良好的频率稳定性,x=0．10的陶瓷样品在100kHZ下有着良好的温度稳定性．     

不同A位元素（La、Y、Ca）的ACu3Ti4O12陶瓷介电性能研究

利用传统陶瓷烧结方法，成功制备了巨介电常数陶瓷CaCu₃Ti₄O₁₂以及Ca被Y或La取代后的Y_2/3Cu₃Ti₄O₁₂和La_2/3Cu₃Ti₄O₁₂体系.利用X射线衍射仪，测定了材料的物相结构，利用阻抗分析仪测定了不同频率和温度下材料的介电常数和介电损耗.研究结果表明，3种材料结构相似，都具有相同的类钙钛矿结构，但Y_2/3Cu₃Ti₄O₁₂ 、La_2/3Cu₃Ti₄O₁₂系统中具有较多的缺陷，这些缺陷是由Y和La取代Ca产生的，会对材料的介电常数产生很大的影响.体系满足极化模型，极化粒子的松弛活化过程直接与所需克服的势垒相关，而不同体系中存在的不同缺陷改变了ACu₃Ti₄O₁₂体系的松弛激活能，在Y和La取代Ca后的体系中松弛激活能要远大于取代前的CaCu₃Ti₄O₁₂体系.     

钴钇掺杂（Ba,Sr）TiO_3基介电陶瓷的制备与性能研究

采用二次固相反应法制备Ba0.7Sr0.3TiO3介电陶瓷,研究了掺杂钴、钇离子对钛酸锶钡介电性能的影响。结果表明,陶瓷样品Y3＋、Co3＋的最佳掺杂浓度分别为0.04mol%和0.05mol%,最佳烧结温度为1340℃,样品的相对介电常数为4200,介电损耗（tanδ）为0.005。样品的结构为四方晶系,P4mm空间群。获得了高介电常数、低损耗的Ba0.7Sr0.3TiO3介电陶瓷。     

BiFeO3-SrBi2Nb2O9铁电陶瓷的结构及性质

用高能振动技术制备了单相层状结构的BiFeO3-SrBiNb2O9的铁电陶瓷，研究了BiFeO3的掺杂对SrBi2Nb2O9微观结构和介电性能的影响，分析了陶瓷的介电性质．     

溶胶-凝胶法制备BST/MgO陶瓷及其介电性能

为获得致密细晶、介电性能优良的BST/MgO陶瓷,采用溶胶-凝胶法制备包裹MgO粉体的BST凝胶.凝胶预烧温度为750℃,粉体烧结工艺为1300℃保温2 h.实验结果表明该方法制备出的BST/MgO陶瓷包含BST和MgO两相,无任何杂相,陶瓷晶粒生长完整且均匀,气孔呈现圆形,相对密度达92.4%,具有良好的介电性能.     

钛酸钡纤维/颗粒共混介质陶瓷制备及其介电性能

以乙酸钡和钛酸丁酯为原料,乙酸为溶剂,聚乙烯吡咯烷酮(PVP)作为黏结剂,通过溶胶-凝胶法制备具有可纺性的钛酸钡前驱体,再经过静电纺丝技术制备BaTiO3/PV P复合纤维,800℃煅烧3 h获得纯BaTiO3纤维.将BaTiO3纤维与采用溶胶-凝胶法制得的BaTiO3颗粒不同比例共混、1320℃烧结制备BaTiO3介质陶瓷,经涂银、烧银制得电容器试样并进行介电性能测试.利用X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜对煅烧前后的纤维的结构形貌进行了表征,利用自动原件分析仪对陶瓷电容器的介电性能进行测试.结果表明,复合纤维经800℃煅烧后形成纯钛酸钡晶相的中孔纤维,表面呈均匀颗粒排布的多孔结构,纤维直径收缩变小;纤维质量分数为20％ 时制备的陶瓷介电常数在温度曲线和频率曲线中均表现出最大值;介电损耗则表现出随温度/频率升高增大的趋势.介质陶瓷的居里点未发生偏移,均为120℃.     

莫来石陶瓷的制备及其微波介电性能研究

用SiO2溶胶和Al2O3溶胶以及分析纯SiO2和Al2O3粉末，采用热压烧结法制备了莫来石陶瓷。研究了莫来石陶瓷的微波介电特性与烧结致密度、烧结助剂MgO以及测试频率之间的关系。结果表明，烧结条件对莫来石陶瓷致密度和介电常数有很大影响，其中以热压温度对莫来石陶瓷烧结致密度和复介电常数的影响最大。烧结条件不同时，可以得到一系列具有不同复介电常数的莫来石陶瓷。添加烧结助剂MgO后，莫来石陶瓷复介电常数的实部和虚部均有所升高。在8～12GHz频率范围内，莫来石陶瓷的复介电常数没有表现出明显的频散效应。     

水热法制备SrBi2Ta2O9陶瓷及其介电性能研究

采用水热法合成SrBi2Ta2O9(SBT)纳米粉体,成型后采用常规烧结法制备SBT陶瓷.利用XRD和SEM研究陶瓷的物相和微观形貌;利用介电温谱研究陶瓷的介电性能.结果表明:采用水热法能够制备出颗粒细小均匀、结构致密且物相纯净的SBT陶瓷;其居里温度为375℃,对应的介电常数为114.54.     

Bi4Ti3O12陶瓷及其A和B位掺杂的介电研究

测量了Bi4Ti3O12(BTO)陶瓷及其A和B位掺杂的系列材料介电损耗。在温度损耗谱上观察到一损耗峰，通过氧处理和内耗等相关实验手段，证实该峰（PI）是与氧空位有关的弛豫峰。同时观察该峰随不同掺杂类型的变化，分析了BTO陶瓷B位掺杂对铁电性的影响。     

低温量子起伏对铁电体介电行为的影响

利用有效场方法，通过零点振动能引入量子起伏，研究了铁电体的介电常数随温度的变化。在量子起伏较大，并且仅在低温区域存在时，体系不具有自发极化强度，但介电常数在有限温度出现一个弥散的峰值。