PM2261开关电源控制专用集成电路的研制

本文介绍了开关电源控制专用上研制过程及其工作原理，电握参数，加工工艺等内容。开关电源控制电路正朝着高度集成化方向发展，即将ＰＷＭ，电流保护，电压监控及功率开关等电路集成在一块单片上。     

功率MOSFET在开关电源中的应用

开关电源具有小型、高效、轻量等特点,广泛应用于工业类和消费类产品中,表1给出了其应用领域。 表1 开关电源应用领域     

VCD、DVD机开关电源集成电路实测数据

表1 5L0380R《机型:夏新8100型OVD机)表4比0380R(机型:裕兴丫X一301型VCO机)引脚工作电压(V)在路电阻 (k几)内阻(kn)功能黑笔测红笔测黑笔测红笔测l00000接地23003503 .8OO3,8场效应开关 管漏极319.53504 .5以二5 .1控制电路电 源输入4095O‘5一9口‘5 .9稳压误差信 号输入引脚工作电压 (V)在路电阻(kn)功能黑笔测红笔测l000接地23oo3004 .5场效应开关管漏极3l340040IC控制电路电源40255505 .5稳压控制信号输人表2 STR一D6802笼机型:新科850型DVD机1引脚工作电压 (V)在路电阻(kn)功能黑笔测红笔测l000接地2一1 .55_54.5启动娠荡输…     

MOS智能型开关电源功率集成电路

本文介绍了一种集成双极型、CMOS和VDMOS于同一芯片上的智能功率集成电路.以开关电源为目标,介绍了各电路功能块的原理,对电路,版图和工艺进行了正向设计.该电路含有分源结构的VDMOS管、CMOS运算放大器,电压比较器,锯齿波发生器,基准电压和内部工作电源的获取等脉宽控制电路,栅驱动、轧启动电路以及过流,过热保护电路.并给出研制结果,实践证明能够组成性能极好的智能开关电源.     

新型电力电子器件与功率集成电路最新进展

综述了新型电力电子器件与功率集成电路的最新进展，指出ＳｉＣ和金刚石是优于Ｓｉ和ＧａＡｓｄ的制造电力电子器件的理想材料。功率集成电路已进入实用化阶段。     

新型功率MOSFET驱动电路的设计

提出了一种全新思路的功率ＭＯＳＦＥＴ驱动电路。该电路采用数字电路结构，分立器件少，易实现模块化，波形控制十分灵活，工作频率很高，适用于高频软开关的开关电源及ＤＣ／ＤＣ变换器。     

夏普C—1820CK彩色开关电源集成电路的一种代换法

夏普C-1820CK彩电及国内一些彩电的开关电源,使用了RH-IX0308厚膜集成电路。该集成电路故障率比较高,且不容易买到,价格也较昂贵。为此,笔者按附图组装了一小块电路,对RH-IX0308集成电路代换取得了良好效果。附图所列元件费用     

智能开关电源集成电路TO PSw itch 的分析

近年来,由于便携设备的增多,对供电单元电路小型化的要求越来越迫切,各国政府对电源系统环保,节能的要求也更加严格,这些都要求有效率更高,集成度更高的开关电源加以配合,本文反向剖析了美国Power Integration公司的TOPSwitch系列智能开关电泊集成电路芯片,在系统地分析及全面的计算机仿真的基础之上,给出该电路的工作原理,设计方法及其应用,该集成电路除了一般的PWM控制功能外,还集成了自动重启功能,过渡,过热保护功能,大功能MOSFET等,具有效率高AC／DC转换效率可高达90％,外围元件少等特点,具有多项专利,是目前国际上最先进的智能开关电源产品之一,该电路的芯片生产工艺,更是集高压（700V）大功率（数十瓦）,数模混合,双极／CMOS兼容等最先进的半导体技术于一体,世界上目前只有少数几家公司具有生产该类电路的能力。     

高压集成电路中高压功率MOSFET的设计

本文提出了一种BCD工艺下实现的高耐压LDPMOS和VDNMOS功率器件互补结构,其优点是高低压兼容性好、耐压高、易集成.MEDICI模拟结果表明击穿电压可达200V,可应用于PDP高压驱动等高压集成电路.     

100W数字功率放大集成电路FN2151

日本新泻精密公司最近与新电元工业公司合作．共同开发了一款100W输出的数字功率放大器集成电路FN2151。该集成电路采用PWM差动输入，全桥式结构。可以实现高效率大功率的音频输出。     

适用于CMOS超大规模集成电路计算机辅助设计的MOSFET的阈值模拟

本文提出了一种简单的模型来描述增强型MOS场效应晶体管的阈值和弱反型工作。对照两维数字模拟对这种模型进行了检查,得到了晶体管特性的准确描述。这种模型具有电流和电导的连续性,适合于低电压低功耗CMOS集成电路的计算机辅助设计。     

谈谈录像机中的霍尔集成电路

霍尔元件是利用霍尔效应制成的一种磁敏传感器件,而霍尔集成电路则是将霍尔元件、放大器、温度补偿电路和稳压电路利用集成电路工艺技术制造而成,它能感知一切与磁有关的物理量,并且输出相关的电信号。所以霍尔集成电路既是一种集成电路,也是一种灵敏度很高的磁敏传感器。一、霍尔效应霍尔效应原理如图1所示。将一块     

宽温区耐高温硅集成电路中MOS晶体管的电学特性

本文简化了MOSFET伏安特性的精确公式,得到了一个能反映27℃～300℃硅集成MOSFET=级温度效应的简单方程。并用该方程修正和完善了宽温区,耐高温MOSFET的ZTC模型。把原有公式在饱和区误差从29％以上,减小到8％以下。理论分析和实验结果都说明了本文的结论是正确的。