适用于PDP的透明六硼化镧薄膜性能研究

采用电子束蒸发方法在商用PDP玻璃衬底和Ta衬底上沉积六硼化镧薄膜。分别对PDP玻璃衬底上沉积的六硼化镧薄膜的可见光范围内的透过率、薄膜生长取向和附着力进行了研究;对钽衬底上沉积的六硼化镧薄膜阴极的逸出功进行了研究。结果表明,制备的六硼化镧薄膜厚度为43nm时,在可见光范围内透过率大于90%,优于传统MgO保护层;六硼化镧薄膜具有(100)晶面择优生长的特点,薄膜的晶格常数与靶材相差小于0.2‰,薄膜的晶粒细小,成膜致密均匀;制备的透明六硼化镧薄膜的逸出功为2.56eV。     

六硼化镧材料的化学腐蚀工艺研究

目前,阴极发射体材料多存在逸出功大,可靠性及均匀性低,发射性能低、不能自动调节活性物质更替的速度等方面的问题．与之相比,六硼化镧既具有可恒定地维持一个活性阴极表面．同时具有高导电率和良好的热稳定性及化学稳定性,是作为阴极发射体的理想材料．而对六硼化镧的化学腐蚀在以其为阴极的阴极发射体制备工艺中起着至关重要的作用,本文简述了对材料的化学腐蚀工艺的初步研究,并得到了图形化的六硼化镧表面。     

六硼化镧薄膜的制备及发射特性的研究

用阴极电泳的方法在Re衬底上制备了LaB6薄膜,用扫描电镜、X射线光电子能谱对样品的表面状况、化学组分进行了分析。经过真空烧结,采用真空热电子发射法测出了LaB6薄膜的逸出功。使用Richardson直线法测量薄膜的逸出功为2.56 eV,具有良好的电子发射性能。     

最好的阴极材料

国外研究工作者最近发现硼化镧(LaB_6)是做阴极的最好材料.硼化镧的逸出功是2.68电子伏,其电阻率为27.2×10~(-6)欧·厘米,熔点为2200℃.其阴极溅射此钨稳定十倍.它的使用寿命约1000小时,最佳工作温度是1200～1700℃.     

碲化铷薄膜的光电性质

本文叙述:通过改变组份比例,测量碲化铷光电阴极在230—260毫微米波长范围内的光电子发射能谱,以确定其电子亲和势和光电子逸出功。对具有高量子输出(在250毫微米时达5.5％)的钽基底上面形成的碲化铷薄膜,测得电子亲和势为0.4±0.1电子伏和光电子逸出功为0.2电子伏。     

电子束蒸发法制备六硼化镧薄膜及其特性研究

用电子束蒸发的方法在Ta衬底上制备了LaB6薄膜,用电子显微镜、X射线光电子能谱仪对样品的表面状况、化学组分进行了分析.采用真空热电子发射法测出了LaB6薄膜的逸出功.结果表明,电子束蒸发的方法能够得到化学成分偏差较小、表面状况较好的LaB6薄膜,其逸出功为2.59eV,具有良好的电子发射性能.     

一种电子枪分析设计

设计一种大功率轰击型六硼化镧电子枪。以传热学理论基础和重要结论为依据,得出能减小阴极电子枪热量损失的几个设计与材料选取原则。利用有限元法对轰击型六硼化镧电子枪阴极模型进行热模拟。依据模拟结果设计一种轰击型六硼化镧阴极电子枪,其发射面直径为2.0 mm,当加热功率为80.0 W时,阴极温度达到1 569℃所发射电子束束流密度达到5.55 A/cm2,并且发射稳定、束斑均匀、发散度小,反复暴露于大气后仍能正常工作。     

用离子束技术改善材料电子发射特性的研究

本文用离子束技术，使铜网的二次电子发射系数降低，场发射性能得到改善，钼网的“栅发射”得到抑制，测量并讨论了逸出功变化对电子发射性能的影响，研究表明，离子束技术是改善材料电子发射性能的有效手段。     

阴极气体中毒

阴极中毒是因发射表面上吸附气体层之故。吸附气体的量与吸附热、气体压强以及阴极温度有关。吸附的气体在阴极表面上形成带电偶极子,它导致逸出功增加,从而引起发射下降或阴极中毒。因为偶极矩大小和吸附气体的量非定量所知,所以通过实驗測量阴极中毒。本文叙述使用的实驗裝置和实驗方法。介紹的实驗結果包括鎢阴极、六硼化鑭阴极和浸漬镧的碳化鎢阴极受氧的中毒。六硼化鑭阴极的抗氧中毒的能力强于鎢或浸漬鑭的磺化鎢阴极。还测量了六硼化鑭阴极受氮、二氧化碳、空气、氬和氫等气体的中毒特性。测得的鎢阴极、六硼化鑭阴极和浸漬鑭的磺化鎢阴极受氧中毒的特性,与其他不同类型阴极受氧中毒的数据作了比較。这就为选择使用在中毒环境下的阴极提供定量基础。     

Ba膜氧化过程中电子发射特性的研究

本文研究了Ba在Ni表面沉膜,测量Ba膜氧化过程中电子发射的I-V特性和不同膜厚对逸出功的影响。用Gauss分布求逸出功,在氧量适当时,出现逸出功最低值,此时电子发射为最大。可用氧的一分为二作用来解释,初步支持了动态表面发射中心的观点。     

应用于FED的金刚石薄膜的光学和结构分析

本文比较研究了不同晶粒大小和结构的金刚石薄膜的场发射性质,这些金刚石薄膜通过热丝辅助化学气相沉积法(HFCVD)获得.研究结果表明纳米尺寸效应对金刚石薄膜的场发射性能有非常重要的影响,通过比较不同晶粒尺寸的金刚石薄膜发现纳米金刚石薄膜相对于大晶粒金刚石薄膜(比如微米级的金刚石薄膜)有更好的场发射性能.从拉曼光谱得到,含有一定量非金刚石相的金刚石薄膜有更好的场发射能力和更低的开启电场(E0).另外,具有(111)定向的金刚石薄膜比起其他结构的金刚石薄膜,它的电子发射能力更强.     

Electron Field Emission from Patterned Porous Silicon Film

Patterned porous silicon （PS） films were synthesised by using bydrogen ion implantation technique and typical electrochemical anodic etching method.The surface morphology and characteristics of the PS films were characterized by scanning electron microscopy （SEM）,X-ray diffraction（XRD）,and atomic force microscopy （AFM）.The efficient electron field emission with low turn-on field of about 3.5V/μm was obtained at current density of 0.1μA/cm^2.The electron field emission current density from the patterned PS films reached 1mA/cm^2 under and applied field of about 12.5V/μm.The experimental results show that the patterned PS films are of certain practical significance and are valuable for flat panel displays.     

Electron emission from phosphorus- and boron-doped polycrystallinediamond films

The electron emission from CVD-grown phosphorus (P-) and boron (B)-doped polycrystalline diamond films has been studied. The current density against electric field characteristics of the P-doped film showed low-field emission compared to the B-doped film. From the slope ratio of the Fowler-Nordheim (F-N) characteristics of P- and B-doped films, a ratio of 0.66 for the emission barrier height was obtained. The small ratio might be caused by the n-type semiconducting properties of P-doped diamond films     

Improving the emission characteristics of a carbon nanotube film in NaCl electrolyte

Screen printing is undoubtedly the most cost-effective process for the fabrication of large-sized carbon nanotube field emission display (CNT-FED). A novel post-treatment method in NaCl electrolyte was presented to solve the problem of poor field emission characteristics of printed CNT films. Compared to those of untreated films, the turn-on electric field of the treated film decreased from 2.4 to 1.4 V/μm and the total emission current of the treated film that has the same printing area as the untreated one increased from ∼100 to ∼1800 μA. Scanning electron microscope (SEM) and Raman spectrum study revealed that field emission characteristics are enhanced by two factors. Firstly, the NaCl electrolyte treatment appeared to render the CNT surfaces more activey by exposing more CNTs from the CNT film. Secondly, the numerous defects of CNTs of the CNT film were increased by electrical current energy.     

纳米絮状碳膜的制备及场发射特性

采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)技术,以CH4和H2为源气体,硅片为衬底制备了碳膜。利用拉曼光谱仪和扫描电子显微镜成功研究了基板偏压、沉积时间、CH4浓度等工艺参数的改变对碳膜絮状结构的影响。通过分析碳膜结构和形貌,得出纳米絮状碳膜的最佳工艺参数。通过电流密度-电场(J-E)曲线和Fowler-Nordheim(F-N)曲线,研究了CH4浓度对纳米絮状碳膜的场发射特性的影响。随着CH4浓度的增加,碳膜的阈值电场逐渐降低,发射电流密度逐渐增加。     

两种微米金刚石聚晶颗粒薄膜的制备与场发射研究

采用微波等离子体化学气相沉积,在不同的沉积条件下得到两种微米金刚石颗粒薄膜,通过拉曼光谱仪和X射线仪分析了两种薄膜的成分,用扫描电子显微镜分析了两种薄膜的表面形貌,用二级结构的场发射装置研究了薄膜的场发射性能,最终分析并讨论了场发射性能优异的微米金刚石薄膜的特征。     

离子束辅助沉积碳膜抑制栅电子发射研究

本文利用离子束辅助沉积方法在钼栅极的表面镀上一层碳膜 ,采用模拟二极管的方法测量阴极活性物质Ba、BaO蒸发沉积在镀碳钼栅与纯钼栅表面后的电子发射性能 .测量结果表明 ,镀碳钼栅的电子发射量显著减少 .依据XPS、电子探针对钼栅极表面阴极发射物的分析结果 ,初步探讨了离子束辅助沉积碳膜抑制栅电子发射的机制     

碳纳米管薄膜的电泳沉积及其场发射性能研究

利用电泳沉积法在铝片上制备了碳纳米管薄膜冷阴极。通过扫描电镜、Raman光谱观察分析了表面形貌和结构,并对场发射性能进行了测试。经过研磨处理的碳纳米管薄膜样品,开启电场为2V／μm,当电场强度为4V／μm时电流密度达到2600μA／cm^2,发光点密度大于10^4／cm^2。