半导体材料与器件生产工艺尾气中砷、磷、硫的治理及检测

本文研究了化合物半导体材料、器件生产工艺过程中排出的有毒物质砷、磷、硫及其化合物的治理方法．还研究了这些有毒物质的低温富集取样及快速、灵敏的分析监测方法，并与其它经典的方法作了对比．     

工业企业氮氧化物废气的治理方式探讨

随着社会主义经济的发展,各种工业企业越来越多,随之而来的大气污染也越来越严重,而氮氧化物废气是大气污染的主要污染源之一。本文介绍了含废气的主要成分,并介绍了氮氧化物废气的污染,对工业企业废气的治理方式进行探究。     

硫属玻璃半导体及其光电二极管的研究评述

本文概述了硫属玻璃半导体的物理结构、能带和电子态。文中主要讨论了非晶硫属半导体光电二极管阻挡层和各种组合结构的电子—空穴对的迁移机理。掺杂不均匀所形成的自建电场效应以及为莸得各种组合比分布的多层膜蒸发技术。这种梯度组合的光电二极管作为硒砷碲摄象管的光电导靶,能获得非常好的特性。     

H、F、Cl/Si(111)化学吸附的半经验CNDO法研究

我们已把研究分子性质的半经验CNDO自治场分子轨道法用于计算模拟共价半导体的集团X_3X_(12)＇(X代表硅、金刚石或锗原子,X＇是集团边界上相应的虚拟原子),经过重新确定成键参数和恰当地选取边界原子的电负性参数,所得结果能比较满意地描写晶体的一些性质.本文报道用相同的计算方案研究氢、氟和氯原子在Si(111)表面上化学吸附性质的结果.与其它理论研究的结果比较表明,这种修改后的CNDO方案可以用于研究共价半导体表面上的化学吸附问题.     

用俄歇电子谱仪测量半导体

俄歇(Auger)电子谱仪是一种新型的综合性分析装置,利用它作半导体材料和器件的组分与表面的分析,是一个很有力的工具,也是一门新技术.本文将叙述采用俄歇电子谱仪,对光电子器件常用的化合物半导体镓铝砷(GA_(1-x)Al_xAs)、镓铝砷磷(Ga_(1-x)Al_xAs_(1-y)P_y)等多元化合物材料的组分,进行定性分析和定量测量,通过与标准样品作比较而推导出组分x、y值的计算公式,给出了实验方法与实验结果.一、概述俄歇电子谱仪是一种普遍适用于分析各种固体材料所含元素的新设备.它可以对半导体材料进行表面     

液晶LED显示行业酸排黄烟问题解决探讨

液晶LED显示面板制造行业,由于是新兴工业,对于酸性废气处理系统设计缺乏经验,现存的处理工艺,均存在处理后酸排黄烟问题,主要由于氮氧化物(NO、NO2)含量过高导致。本文以京东方液晶工厂酸排改造工程为例,介绍削减氮氧化物排放总量和降低排放浓度的相关工艺。该工程主要采用三段湿式喷淋洗涤塔串联处理方式,氮氧化物处理效率高达95%以上,最终排放氮氧化物浓度小于60mg/m^3,对黄烟治理现象取得良好效果。通过实际运行经验,讨论了风压、加药浓度、填料、停留时间等因素对处理效率的影响。     

用阳极氧化法显示锑(砷、磷)化铟的结

发现在氢氧化钾(KOH)溶液中锑化铟阳极氧化的速度与半导体的掺杂浓度有关系。氧化处理法为显示锑化铟以及砷和磷这种材料的结提供了一种手段。阳极化图案与用以制作结的扩散杂质分布有密切的关系。详细地研究了锑化铟的锌扩散结和镉扩散结,发现镉扩散结相当均匀,电特性也较好,原因似乎在于半导体本身,包括与扩散的锌起反应的残余杂质。对选择用氧化层防止扩散的掩模的一些试验作了说明,发现对镉的掩蔽作用较为有效。     

半导体芯片上铝键合点被氟沾污后对可靠性的影响

本文报导根据美国军用标准MIL-STD-883D第1005条规定对半导体器件进行加载寿命实验后金属丝键合点的失效情况。失效的金属丝键合点是在0.8～1.0密耳粗的金丝与半导体表面的铝层之间进行热超声键合形成的。在作加载寿命实验之前,全部金丝键合点都经过了MIL-STD-883D第2023条规定的非破坏性拉力实验。发现失效的金丝键合点在界面有腐蚀性产物。在这些腐蚀性产物内,用俄歇电子能谱仪分析测定出硫、氯、碳、氟和钠等元素。发现氟是铝层内的主要沾污,而且如果氟不存在腐蚀性,似乎就不会产生沾污。电子能谱化学分析确定,在腐蚀性产物中含有(CHFCH_2)n、C_4F和K_3AlF_6。可以肯定,在半导体芯片制造过程中,由于不恰当的等离子工艺,氟原子可能渗入到了铝层内部。诸如电路电压、管壳内的温度以及存在的其它沾污源等因素,很可能加速被氟化物沾污了的铝金属化层的总腐蚀趋势。本文还评价了还没有成功的清除氟沾污的各种技术,如氧等离子处理、紫外线/臭氧处理和去离子水冲洗等。     

激光辐照半导体硅的掺杂研究

描述一个有机胶体掺杂剂的半导体硅的激光辐照掺杂方法;P型和N型两种硅单晶进行了砷、磷和硼的掺杂,并研究了掺杂区的电和光电特性。     

石英玻璃中金属杂质的分析

采用AAS法测定高纯石英玻璃中杂质元素Na、K、Ca、Fe、Cu等。试样用氯氟酸加热分解，挥发除去硅；加硫酸除去氢氧酸。高灵敏度石墨原子化器的检出下限达2×10－11g铁、铜。方法简任，精度满意。加标回收试验结果，回收率范围为96％～109％。     

Ultraviolet ion laser performance and spectroscopy for sulfur, fluorine, chlorine, and bromine

The performance and spectroscopy was investigated for ultraviolet ion laser transitions in fluorine, chlorine, bromine, and sulfur. Three new transitions were found in bromine below 280 nm and 60-W peak power was observed for the strongest new line in Br IV? at 236.2465 nm. The wavelengths for the new and previously known transitions were measured to about 0.001 nm. Performance was optimized using a 7-mm bore 150 cm arc-length tube using a fast longitudinal discharge for excitation.     

Reexamination of the role of nitrogen in oxynitrides-fixed chargereduction in the p+-polysilicon gate MOS

The problems associated with the use of p⁺-polysilicon gate MOS have been intensively investigated. Although the utilization of oxynitrides has been considered to be effective for the suppression of the threshold voltage (V_T) deviation in the p⁺-polysilicon gate MOSFETs, the investigation revealed that the p⁺-polysilicon gate MOS exhibits significantly different properties when oxynitrides contain no nitrogen at the oxynitride/substrate interface (MOS interface) than it does with usual oxynitrides which contain nitrogen at the MOS interface. This discrepancy arises because, contrary to what is usually considered to be the case, boron diffused into the substrate is not the origin of the negative fixed charge generated in the p⁺-polysilicon gate MOS structures, which is one of the most important factors influencing VT in those structures. We have found fluorine in the p⁺-polysilicon gate MOS structures even when the polysilicon is doped using boron ion implantation. This is a consequence of the use of BF₃ as a boron source. We propose a model in which fluorine is responsible for the negative fixed charge generation and nitrogen at the MOS interface prevents not only the boron penetration but also the negative fixed charge generation by suppressing the fluorine incorporation into the MOS interface     

小型单重态氧发生器中氯气利用率的测量

在一台为化学氧碘激光器而研制的小型射流式单重态氧发生器上建立了一套氯气利用率测量系统;从实验和理论两方面详细研究了光源线宽、气流温度、水气含量、气流组分对紫外吸光光度法测量氯气利用率的影响;测量结果和误差分析表明,在良好设计的实验中,氯气利用率的相对测量误差约为2%,主要来源于光电倍增管(PMT)的噪音.最后,提出了减少测量误差和扩大氯气利用率测量量程的方法.我们的工作将有助于更加准确地和精确地测量化学氧碘激光系统中的单重态氧发生器的氯气利用率.     

印制板蚀刻、微蚀刻废液的再生和铜回收的技术及设备

传统的印制板蚀刻废液处理方法存在着工艺落后、操作不便、二次污染、效益不高等问题,本工艺采用特殊的萃取电解、吸附电解技术,使蚀刻废液得以再生循环利用,铜得以100%回收,低含铜废水铜得到98%回收,整个系统不产生二次污染,获得的铜为高纯度铜板,在实现污染控制的同时,废液废水得到了资源化利用。     

PCB工业废水金属离子含量的测定——EDTA法

PCB工业废水中所含某些金属离子如:Cd3 ,Cu2 ,Al3 ,Sn2 等金属离子的总含量的测定,对于处理工业废水,保护环境,防止污染具有一定的指导意义,如何测定PCB工业废水中金属离子的含量呢?下面就(用EDTA法)测定PCB厂工业废水中所含金属离子含量的测定方法。     

Use of a sulfur waste for biosynthesis of cadmium sulfide quantum dots with Fusarium oxysporum f. sp. lycopersici

After hydrodesulfurization of Mexican oil's sour acid gases, a sulfur toxic waste is recovered, we used it to synthesize cadmium sulfide quantum dots, which have been recently studied due to their optical (high photostability, high quantum yield and fluorescence) and catalytic properties. Increased demand of cadmium sulfide quantum dots has led to research of new synthesis methods that with higher yields, increased control over particle diameter, that produce hydrophilic quantum dots -as most of them are obtained in organic solvents- and that are environmentally friendly because most methods employ toxic materials or involve a high energy consumption. This study attempted to synthesize hydrophilic cadmium sulfide quantum dots using an environmentally friendly method with a fungus capable of transforming a dangerous waste into a high-value-added product. Mycelia of Fusarium oxysporum f. sp. lycopersici were incubated with 1 mM cadmium nitrate and 1% (w/v) sulfur waste at 30 °C for 24 h, then the biomass was separated through paper filtration. The filtrate became yellow indicating presence of extracellular cadmium sulfide quantum dots, as was confirmed by increased UV–vis absorption around 300 nm and fluorescence at 510 nm. The biomass of Fusarium oxysporum f. sp. lycopersici produced after 24 h, extracellular stable, hydrophilic and biocompatible cadmium sulfide quantum dots from a sulfur dangerous waste. Biosynthesized quantum dots were circular with diameter of 6.116±2.111 nm and had a wurtzite crystalline structure.     

利用六氯乙烷合成含氯类液晶单体

提出了一种利用六氯乙烷给取代芳烃引入氯原子的方法.将取代芳烃在低温下制成锂(钾)试剂,再与六氯乙烷反应,可以得到较高转化率的氯代芳烃.分别对邻位无氟原子取代基、单氟原子取代基、双氟原子取代基三类中间体进行了合成方法研究.通过元素分析、质谱等对产物结构进行了确认和表征.该方法具有反应收率高、产品纯度好、成本较低等特点.     

Estimating and controlling atomic chlorine concentration viaactinometry

Actinometry has been used as the basis of a successful sensor for controlling fluorine concentration in fluorocarbon plasmas commonly employed in etching. An analogous sensor would be useful for chlorine plasmas as well. One problem with actinometry in Cl₂ plasmas is that excitation can occur by electron impact dissociation and by dissociative attachment, leading to potential ambiguity between the intensity of observed chlorine emission in a plasma and the actual concentration of chlorine. On the basis of a simple model, this paper analyzes the consequences of the dissociative excitation pathway on the accuracy of the estimation and control of chlorine concentration via actinometry. When the contribution of the dissociative excitation pathway is known, it is shown that asymptotic observer theory can be used to improve the accuracy of the estimation of chlorine concentration     

浅析印制板生产废水处理技术

文章探讨了印制板生产中废水的分类原则并提供相应的废水处理方法，促使了印制板生产废水达到国家一级排放标准。     

关于覆铜板含酚废水处理的探讨

近年来,随着覆铜板行业的发展,纸基覆铜板生产过程中合成酚醛树脂所产生的大量含酚废水给企业的环保工作带来了较大的压力,这些废水的处理已成为纸基覆铜板生产企业急需解决的问题。文中针对招远金宝电子有限公司生产覆铜板用酚醛树脂产生的含酚废水的实际情况,采用臭氧氧化、活性炭过滤等手段,对含酚废水进行了处理,同时对其工艺条件做了一些研究,提出了切实可行的工艺路线。