金刚石膜紫外光电导探测器及性能

用化学气相沉积法生长金刚石膜,在此膜上制作紫外光电探测器,并作了性能测试。该器件是叉指式电极结构,可以减小电极间隙,减少光激发载流子的损失,提高器件的响应灵敏度。表面处理可除去金刚石膜的低电阻表面层,提高器件对紫外光的探测性能。测试表明,用金刚石制作的器件对波长小于２２５ｎｍ的紫外光的响应比可见光高４个量级。     

CVD金刚石紫外探测器

CVD金刚石紫外探测器有极强的辐射硬度及耐腐蚀性,在宽禁带半导体紫外探测器中占有重要地位.本文主要对金刚石紫外探测器的发展进展、探测机理、电极模式及应用领域做了简要回顾.     

金刚石膜高能粒子探测器

评述了金刚石膜探测器的优缺点，简要地介绍了由化学气相沉积的多晶金刚石膜所制成的辐射探测器，以及利用此探测器对α粒子进行测量的初步结果。     

金刚石膜辐射探测器的研究进展

阐述了金刚石作为激发材料在辐射探测器中的应用范围,比较了硅、化学气相沉积(CVD)金刚石膜和天然金刚石作为探测器用激发材料的性能优劣,介绍了CVD金刚石膜辐射探测器的原理和结构,综述了金刚石辐射探测器的国内外研究进展,展望了CVD金刚石膜辐射探测器的应用前景.     

金刚石膜高能粒子探测器

评述了金刚石膜探测器的优缺点，简要地介绍了由化学气相沉积的多晶金刚石膜所制成的辐射探测器，以及利用此探测器对α粒子进行测量的初步结果。     

[001]织构和非织构CVD金刚石膜的电学特性

研究了「００１」织构和非织构金刚石膜的暗电流－电压特性、电流－温度特性以及在稳定Ｘ射线辐照下的响应。结果表明「００１」织构的金刚石膜相对非织构多晶金刚石膜具有大的暗电流和Ｘ射线响应。主要由于非织构金刚石膜含有大量的晶粒间界,导致对载流子的传输产生强烈散射。在高于５００Ｋ的温度区域内,随着温度的上升「００１」织构和非强构的金刚石膜的电流都将以指数式上升,这与Ｓｉ占据金刚石格点产生１．６８ｅＶ的激活能有关。     

CVD金刚石膜的场发射机制

利用热灯丝化学气相沉积方法在光滑的钼上沉积了金刚石膜,用扫描电子显微镜和Raman谱对金刚石膜进行了分析。结果表明金刚石膜是由许多金刚石晶粒组成,晶粒间界主要是石墨相,并且在膜内有许多缺陷。金刚石膜的场发射结果表明高浓度CH4形成的金刚石膜场发射阈位电场较低浓度CH4形成的金刚石为低。这意味着杂质（如石墨）和缺陷（悬挂键）极大地影响了膜的场发射性能。根据以上结果,提出了一种CVD金刚石膜的场发射机制即膜内的缺陷增强膜内的电场,石墨增大电子的隧穿系数以增强CVD金刚石膜的场发射。     

高品质金刚石膜微波等离子体CVD技术的发展现状

金刚石膜拥有许多优异的性能。在制备金刚石膜的各种方法之中,高功率微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法因其产生的等离子体密度高,同时金刚石膜沉积过程的可控性和洁净性好,因而一直是制备高品质金刚石膜的首选方法。在世界范围内,美、英、德、日、法等先进国家均已掌握了以高功率MPCVD法沉积高品质金刚石膜的技术。但在我国国内,高功率MPCVD装备落后一直是困扰我国高品质金刚石膜制备技术发展的主要障碍。首先综述国际上高功率MPCVD装备和高品质金刚石膜制备技术的发展现状,包括各种高功率MPCVD装置的特点。其后,回顾了我国金刚石膜MPCVD技术的发展历史,并介绍北京科技大学近年来在发展高功率MPCVD装备和高品质金刚石膜制备技术方面取得的新进展。     

CVD金刚石厚膜刀具材料研究进展

本文对CVD金刚石厚膜刀具材料的制备技术及后加工工艺 ,VCD金刚石厚膜刀具材料的研究现状和发展前景进行了简要的综述     

CVD金刚石形核的研究

在钢渗铬层和硅片上进行了化学气相沉积金刚石膜,发现在渗铬层上形成的金刚石膜以球形金刚石为主;用高倍扫描电子显微镜分析显示,渗铬层上的球形金刚石是由大量二次晶核长大的微晶金刚石和非晶碳组成.     

CVD金刚石薄膜抛光技术的研究进展

采用化学气相沉积 (CVD)方法在非金刚石衬底上沉积的金刚石薄膜 ,本质上为多晶 ,而且表面粗糙。然而 ,在金刚石薄膜的许多重要应用领域 ,如光学和电子学 ,都要求金刚石薄膜具有光滑表面 ,以便器件的制备或后续加工。本文论述了目前国际上出现的抛光CVD金刚石薄膜的主要方法 ,包括机械抛光法、热 化学抛光法、化学 机械抛光法、等离子体 /离子束抛光法以及激光抛光法等 ,深入分析了这些抛光方法的优点和不足 ,指出了今后需要重点解决的问题。最后 ,展望了CVD金刚石薄膜抛光技术的发展趋势     

等离子体化学气相法沉积金刚石薄膜

本文介绍和评述了化学气相沉积法制备人造金刚石薄膜及其进展。重点评述了反应机理、发展历史、沉积方法、补底材料、检测手段。论述了有利于形成立方晶系金刚石材料的沉积条件。     

基片位置对MWPCVD制备金刚石薄膜的影响

在石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积实验装置中研究了基片位置对金刚石薄膜沉积质量的影响。扫描电子显微镜显微形貌观察和激光喇曼谱分析表明 ,对微波等离子体化学气相沉积制备金刚石薄膜而言 ,基片位置处于近等离子体球下游区域将有利于改善金刚石薄膜沉积质量。     

化学气相沉积法制备金刚石薄膜的工业应用

评述了金刚石薄膜的化学气相沉积方法,介绍了金刚石薄膜在工业中的应用前景,并分析了大规模应用所面临的技术困难。     

微波等离子体化学气相沉积技术制备金刚石薄膜的研究

介绍了微波等离子体化学气相沉积法（MPCVD）制备金刚石薄膜的研究情况，重点论述了该法的制备工艺对金刚石薄膜质量的影响及其制备金刚石薄膜的应用前景。     

化学气相沉积铜薄膜研究进展

本文综术了集成电路工艺的Cu布线中Cu薄膜化学气相沉积(CVD)的研究背景,详细介绍了CVD生长Cu金属薄膜的国内外研究进展及CVD对前趋物的要求,并对前趋物的一些物理、化学性质进行了总结,最后,对薄膜沉积的计算机摸拟作了简要介绍。     

热丝法沉积金刚石膜工艺参数优化的微观机理与预测

弄清化学气相沉积金刚石膜的机理对优化工艺参数具有指导意义。在前期工作中，作者辨析了氢原子、甲基和乙炔在金刚石膜沉积中的作用。本文建立了两个微观指标，即甲基浓度和氢原子与乙炔浓度的比值，分别对应生长金刚石和刻蚀非金刚石碳。通过对G-H和G-H-O反应气氛的模拟，讨论了这两个指标与灯丝温度、气源组成和气压的关系，并构建了含氧气氛生长金刚石的G-H-O三元相图。对热丝法沉积金刚石膜的工艺参数的优化选择进行了机理分析与预测。为工业化生产金刚石膜提供了参考。     

氧气对MWPCVD制备金刚石膜的影响

在水冷反应室式微波等离子体化学气相沉积装置中以混合的CH4/H2/O2为反应气体,研究了O2浓度对制备金刚石膜的影响.实验发现,很低浓度的O2会显著促进金刚石的沉积,并稍稍抑制非晶C的沉积,因而沉积膜中非晶C的含量急剧下降;较高浓度的O2会同时抑制金刚石和非晶C的沉积,但由于抑制金刚石的作用更强烈,沉积膜中非晶C的含量反而有所升高.另外,O2的存在,有利于沉积颗粒较小的金刚石膜.     

基于RFPECVD方法不锈钢上沉积类金刚石薄膜的机械与摩擦特性

讨论用射频等离子体增强化学气相沉积(RFPECVD)工艺,在室温下实现在1Cr18Ni9Ti不锈钢基底上镀类金刚石(DLC)膜.为提高DLC膜的结合力,首先在不锈钢基底上沉积Ti/TiN/TiC功能梯度膜.借助所设计的界面过渡层,成功地在不锈钢基底上沉积了一定厚度的DLC膜.通过优化沉积参数,所沉积的DLC膜在与100Cr6钢球对磨时摩擦系数低于0.020.在摩擦过程中DLC膜的磨损机制借助SEM、Raman分析进行了研究.