近红外可调式磁光隔离器

研制了近红外可调式磁光隔离器。计算了亚铁磁性材料磁光旋转的色散关系;设计了可调式磁场系统。有效地改善了磁光晶体的温度特性,外界强磁场和时间老化等因素对磁光隔离器性能的影响;降低了晶体加工的精度要求,提高了磁光隔离器的实用价值。在入射光波长1.3μm和室温条件(27～25℃)下进行了器件性能测试,获得了正向插入损耗<1.8dB,反向隔离比>29dB的实验结果。     

稀土—过渡族金属非晶态磁光材料信号读出特性研究

在计算RE-TM饱和磁化强度和温度关系曲线的基础上,本文建立了一种适用于计算磁光光盘读出信号质量与读出激光功率关系的方法,对经优化的四层膜结构实例给出了最佳读出激光功率,并讨论了稀土含量变化时,对最佳读出激光功率和信噪比的影响,结果与有关的实验规律相吻合。     

电磁波在磁光介质磁畴壁的传播特性分析

为了进一步研究电磁波在磁光介质中的传播。文中先从理论上分析了磁光介质磁畴壁处的单向模特性,然后通过基于时域有限差分法的软件模拟电磁波从一种磁光介质磁畴壁进入另一种磁光介质的磁畴壁的传输情况。发现外磁场的调控对电磁波在磁畴壁处的传播产生极大影响。     

磁性液体磁光特性及其应用研究

本文综述了磁液磁光效应的研究动态,报道了我们对其磁致双折射及其光学双稳特性的研究。实验表明磁液具有良好的红外传输特性,可用作新型红外磁光材料。     

用于光纤通信系统的磁光隔离器及其磁光材料

介绍了磁光隔离器及其在光纤通信系统中的应用，并讨论了其相应的磁光材料的发展和最新进展。     

采用不同中间夹层的双记录层磁光光盘热光特性比较

磁光存储技术是一种颇受关注的下一代光存储技术.为提高单个磁光光盘的存储容量,途径之一是采用多值存储、多波长读出技术,实现所谓三维磁光存储.通常使用不同波长的蓝光来实现信号的读写操作.如果不同波长的激光在磁光存储多层膜中产生热场分布的差异较大,将有利于提高读出信号的信噪比.本文结合光学矩阵法及有限元方法分析了中间夹层分别为SiN、GaP时,磁光存储多层膜的热光特性.结果表明在蓝光波段,用GaP层替代传统的SiN中间夹层,将使磁光光盘具有更好的热光特性.     

氟化物磁光晶体的研究进展与应用

光通信技术发展迅速,激光平均功率不断提高,磁光隔离器是保证激光单向传输、维持光学系统稳定高效工作的基础,而磁光介质作为磁光隔离器的核心部件也因此得以快速发展。首先简要介绍了几种磁光材料以及当前广泛应用的石榴石磁光晶体的缺点、法拉第效应的原理和应用,随后系统分析了作为新一代磁光晶体的各类氟化物磁光晶体的优缺点,最后展望了CeF₃磁光晶体潜在的应用前景以及未来氟化物磁光晶体的发展趋势。     

新型磁光调制装置及其实验研究

提出一种新型磁光调制装置，特点是用一个磁光元件同时实现交流调制和直流调制，装置中加入一个半波片，可扩大装置的角度测量范围。另外，配上可编程直流电源和微机可实现自动测量。     

一种新型磁光开关的理论分析与磁路设计

介绍了一种新型的磁光开关器件（magneto-optic switch）.重点阐述了磁光晶体旋光的原理和磁光晶体的光学性质,并从理论上分析了磁光晶体的旋光角度和控制磁光效应的螺线管产生的非轴线磁感应强度,并对磁路进行了设计与计算.     

一种新型磁光开关的理论分析与磁路设计

介绍了一种新型的磁光开关器件（magneto-optic switch)，重点阐述了磁光晶体旋光的原理和磁光晶体的光学性质，并从理论上分析了磁光晶体的旋光角度和控制磁光效应的螺线管产生的非轴线磁感应强度，并对磁路进行了设计与计算。     

磁光盘盘温的自动控制和测量系统设计

本文概述了温度对磁光记录特性的影响及盘温测量的重要性,设计出了实现磁光盘有温自动测试和控制的新型系统。该系统集数据采集、数据处理和参数计算等功能于一体,应用软件具有交互性强户界面友好等特点。     

大克尔角磁光材料测试系统试验研究

磁光存储系统中,存储信息的介质——磁光材料膜的读/写性能直接影响了系统信噪比和信号质量,直接擦写等性能指标,因此,研制和开发高性能磁光材料是改善系统性能的直接手段.本文介绍了一个磁光材料读/写性能测试系统以及利用该装置对大克尔角磁光材料MnBiAl样品进行的静态读/写试验,测试结果可以为分析和改进这种新型磁光材料的读/写性能及其实用性提供有益的数据.     

磁性液体复合体的磁光效应

制备了含强磁性Ｆｅ３Ｏ４的纯磁性液体胶体和掺入聚苯乙烯小球的磁性液体复合胶体样品,系统测量了样品的双折射效应的线二向色性,并对测量结果进行了比较分析,认为磁性液体复合体非磁性小球的不同排列影响了它的磁光特性。     

磁光记录磁畴及其热稳定性研究

磁光存储的原理是热磁记录，信息以磁畴的形式存储于记录介质中。磁畴的形貌及其热稳定性对磁光盘的存储性能有很大影响。报道了ＴｂＦｅＣｏ磁光盘磁畴形貌及其热稳定性的实验研究结果。     

GaAs衬底上Mn／Sb多层铁磁膜的磁光克尔效应

利用超高真空电子束蒸发技术GaAs(100）上生长Mn/Sb多层膜,并经短时间热退火处理分别研究了其退火前后的磁性、磁光克尔效应及相应规律,退火前Mn/Sb膜在室温下即具有较强的铁磁特性,其易磁化轴在膜面内,样品表面由密集的岛状铁磁颗粒组成,未能观测到纵向（H//平面）克尔效应,经350℃、20min退火的样品显示了最大饱和磁化强度Ms和最小矫顽力Hc,X射线衍射测量表明膜为MnSb单晶并具有均匀的铁磁特性,能观测到显著的要有向和纵向磁光克尔效应,其随磁场变化表现出相应于磁化强度的磁带行为。     

基于InSb-In薄膜磁阻元件电流传感器的应用

介绍了一种用InSb-In共晶体薄膜磁阻元件制成的电流传感器(MRCS)。为了检测微弱电流,此种电流传感器利用同时改变两个InSb-In磁阻元件阻值的途径来实现这一目的,设计了一种能较大幅度增大其输出电压的信号处理电路。当处理电路的电压增益为50~10000倍、,待测的50Hz交流电流在50mA~12A时,输出电压在0.3~3.5V变化,并且两者之间有比较好的线性关系,标准偏差小于0.02,完全能满足工业上对电流的监测作用,从而保护因异常情况停止运转的马达。     

磁流体热透镜耦合光磁效应用于高电压电流的光学测量

本报道将一种新的光学效应，即磁流体热透镜耦合光磁效应，应用于高电压电流测量的初步结果。该方法最大的特点是不用偏振光，避免了易受干扰人保偏装置，提高了信噪比，同时又具有光纤传输的优点，并使得该系统简单，经济，和国际 惯用的法拉第效应相比有可能推动电流光学测量实用化的进程。结果表明实验系统可以优于１％的精度测量０－５００Ａ范围的电流。     

Terfenol-D对层状材料PVDF/Terfenol-D/PZT的特性影响

采用热压法制备了中间层为聚偏氟乙烯(PVDF)/Tb-Dy-Fe合金(Terfenol-D)/锆钛酸铅(PZT),上、下层为PVDF/Terfenol-D的层状复合结构材料,研究了中间层Terfenol-D不同体积含量变化对样品介电常数、介电损耗、压电常数以及磁电耦合系数的影响规律。研究发现,在中间层的φ(Terfenol-D)=4%时,综合性能最优,其中压电系数d33为32.4pC/N,磁电耦合系数αE为1 118mV/A。     

Interfacial and Bulk Magnetic Properties of Stoichiometric Cerium Doped Terbium Iron Garnet Polycrystalline Thin Films

One of the best magneto‐optical claddings for optical isolators in photonic integrated circuits is sputter deposited cerium‐doped terbium iron garnet (Ce:TbIG) which has a large Faraday rotation (≈?3500° cm^?1 at 1550 nm). Near‐ideal stoichiometry $\left(\frac{\text{Ce}+\text{Tb}}{\text{Fe}}=0.57\right)$ of Ce_0.5Tb_2.5Fe_4.75O₁₂ is found to have a 44 nm magnetic dead layer that can impede the interaction of propagating modes with garnet claddings. The effective anisotropy of Ce:TbIG on Si is also important, but calculations using bulk thermal mismatch overestimate the effective anisotropy. Here, X‐ray diffraction measurements yield highly accurate measurements of strain that show anisotropy favors an in‐plane magnetization in agreement with the positive magnetostriction of Ce:TbIG. Upon doping TbIG with Ce, a slight decrease in compensation temperature occurs which points to preferential rare‐earth occupation in dodecahedral sites and an absence of cation redistribution between different lattice sites. The high Faraday rotation, large remanent ratio, large coercivity, and preferential in‐plane magnetization enable Ce:TbIG to be an in‐plane latched garnet, immune to stray fields with magnetization collinear to direction of light propagation.     

Boosting Room‐Temperature Magneto‐Ionics in a Non‐Magnetic Oxide Semiconductor

Voltage control of magnetism through electric field‐induced oxygen motion (magneto‐ionics) could represent a significant breakthrough in the pursuit for new strategies to enhance energy efficiency in magnetically actuated devices. Boosting the induced changes in magnetization, magneto‐ionic rates and cyclability continue to be key challenges to turn magneto‐ionics into real applications. Here, it is demonstrated that room‐temperature magneto‐ionic effects in electrolyte‐gated paramagnetic Co₃O₄ films can be largely increased both in terms of generated magnetization (6 times larger) and speed (35 times faster) if the electric field is applied using an electrochemical capacitor configuration (utilizing an underlying conducting buffer layer) instead of placing the electric contacts at the side of the semiconductor (electric‐double‐layer transistor‐like configuration). This is due to the greater uniformity and strength of the electric field in the capacitor design. These results are appealing to widen the use of ion migration in technological applications such as neuromorphic computing or iontronics in general.