太阳电池硅片ELCC技术用复合梯度涂层的研究

低成本太阳电池硅片电磁悬浮熔炼离心铸造（ＥＬＣＣ）技术可大幅度降低太阳电池的成本。硅片脱模技术是ＥＬＣＣ技术的关键之一。综合运行液相反应生成法，反应烧结法和溶胶－凝胶法，成功地在石墨基体表面制备了ＳｉＣ－Ｓｉ３Ｎ４－（Ｓｉ３Ｎ４＋ＳｉＯ２）复合梯度涂层，并用Ｘ射线衍射法（ＸＲＤ）、扫描电镜（ＳＥＭ）和界面性能测定仪（ＩＣＭ）考察了该涂层的组织结构和性能。     

利用涂层提高Si3N4陶瓷材料的抗氧化性能

采用ｓｏｌ－ｇｅｌ的方法在热压Ｓｉ３Ｎ４陶瓷材料的表面涂上一层ＳｉＯ２涂层或３Ａｌ２Ｏ３．２ＳｉＯ２涂层，并用Ｘ光电子能谱的方法检测了涂层后的Ｓｉ３Ｎ４陶瓷材料表面。     

Numerical Simulation of 3—D Temperature Distribution of the Flame Tube of the Combustion Chamber with Air Film COoling

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活性Si3N4粉末的研制

研究了碳热还原法合成Ｓｉ３Ｎ４粉末中的原料配比、Ｎ２流量、反应压力、反应温度和时间等因素对氮化的影响，获得了较佳的工艺参数，研制出氮含量大于３７％和平均粒径小于１．５μｍ的活性α－Ｓｉ３Ｎ４粉末。     

Cdln2O4和Cd2SnO4薄膜X—光电子能谱研究

研究了在Ａｒ－Ｏ２混合气氛中从Ｃｄ－Ｉｎ和Ｃｄ－Ｓｎ合金靶射频反应溅射而的ＣｄＩｎ２Ｏ４和Ｃｄ２ＳｎＯ４膜的Ｘ－光电子能谱。实验结果表明了粉末Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，ＳｎＯ２，Ｉｎ２Ｏ３和ＣｄＩｎ２Ｏ４，Ｃｄ２ＳｎＯ４膜的Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ３Ｄ３／２和３ｄ５／２ＸＰＳ峰值位置的形状的区别，并讨论了Ｏ１ｓ。ＸＰＳ峰随氧浓度的变化。当氧浓度增加时，Ｏ１ｓ分为两个峰。     

在SiO2和Si3N4膜上用RTCVD法沉积多晶硅薄膜的研究

报道了在ＳｉＯ２和Ｓｉ３Ｎ４膜上用ＲＴＣＶＤ法直接沉积多晶硅薄膜的实验结果,在这两种薄膜上制备出了具有柱状晶粒的多晶硅薄膜,发现两者在薄膜的结构和结晶取向上有很大不同,用ＲＴＣＶＤ法在ＳｉＯ２膜上沉积的多晶硅膜,晶粒较大,晶粒间的空隙也较大,晶粒的择优取向为（１１１）,在Ｓｉ３Ｎ４膜上沉积的多晶硅薄膜,晶粒尺寸较小,晶粒致密,晶粒间苯无空隙,晶粒的择优取向为（１００）。     

Si3N4系陶瓷材料中的相关系

总结了Ｓｉ３Ｎ４系陶瓷材料中几个主要系数的相关系，介绍了相图对研究Ｓｉ３Ｎ４系陶瓷材料的指导作用。     

400cm2 a-Si/a-Si叠层太阳电池的研究

以全部国产化装备和工业用原材料，以简单铝背电极制备出初始效率为８．２８％，经室外阳光照射一年后稳定效率为７．３５％，面积为２０ｃｍ×２０ｃｍ，有效面积为３６０ｃｍ２ａ－Ｓｉ／ａ－Ｓｉ叠层太阳电池。主要制备技术措施：（１）ＴＣＯ／ｐ界面接触特性的改善；（２）μｃ－ＳｉＣ∶Ｈ／ａ－ＳｉＣ∶Ｈ复合窗口层技术；（３）ｐ／ｉ界面Ｈ处理；（４）高质量本征ａ－Ｓｉ∶Ｈ材料；（５）优良的ｎ１／ｐ２隧道结；（６）最佳电池结构设计等。     

Si3N4材料抗氧化性能的研究

本文总结了各种Ｓｉ３Ｎ４材料有关氧化问题的研究状况；综合评述了Ｓｉ３Ｎ４的氧化行为和氧化机理。     

赛隆陶瓷——氮化硅陶瓷的替代物

氮化硅已作为主要陶瓷材料而得到使用氮化物陶瘊将成为陶瓷发动机部件的主体，同时在非发动机方面也得到应用，这是属于广义的特种陶瓷中的结构陶瓷材料的例子，是在１５００℃以上高温下制备的无机非金属材料。叙述了以Ｓｉ３Ｎ４为基础而开发出来的一种Ｓｉ－Ａｌ－ＯＮ全致密的多晶氮化物陶瓷－－赛隆陶瓷的有关技术问题。     

颗粒涂层法制备莫来石瓷

本文叙述了以α－Ａｌ２Ｏ３（平均粒径〈０．５μｍ）、正硅酸乙酯（ＴＥＯＳ）为原料，通过采用颗粒涂层法在α－Ａｌ２Ｏ３上涂覆ＳｉＯ３形成涂层复合粉料而制备的莫来石瓷。试验中用氟硅酸钾法测定了复合粉料的二氧化硅含量，并对涂层粉料的涂层质量进行了ＴＥＭ观察、ξ电位测量、ＸＲＤ分析和ＴＧ－ＤＴＡ分析，对涂层粉料烧结成的莫来瓷进行体积密度和开口气孔率的测定，利用ＸＲＤ分析了物相组成，并用ＳＥＭ观察了试样的显     

ZrN在Si3N4—ZrO2陶瓷中的形成与控制

研究了在制备Ｓｉ３Ｎ４－ＺｒＯ２复相陶瓷过程中，ＺｒＮ的形成对该复相陶瓷性能的影响；探讨了从工艺上抑制ＺｒＮ形成的措施。     

EBV法制备Znln2S4薄膜的性质研究

用电子束加热真空蒸发法（ＥＢＶ法）制备了厚度为３５０ｎｍ的ＺｎＩｎ２Ｓ４薄膜。研究了最佳成膜工艺条件和最新电子能谱分析结果；通过不同气氛处理可以控制材料的导电类型，典型膜的电阻率为２．５×１０＾－１Ω．ｃｍ，Ｈａｌｌ迁移率为５２ｃｍ＾２．Ｖ＾－１．ｓ＾－１，载流子浓度为１．４２×１０＾１７ｃｍ＾－３，禁带宽度为２．１３ｅＶ。探讨了ＺｎＩｎ２Ｓ４膜的导电机理，并制作了ＺｎＩｎ２Ｓ４－Ｓｉ太阳电池。     

籽晶法制备低电压压敏电阻器

介绍了对ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３－Ｓｂ２Ｏ３和ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３－ＴｉＯ２系分别进行的掺杂籽晶的试验研究，研究了籽晶加入对两系统各性能的影响规律；制备了性能优良，压敏电压低（１０Ｖ／ｍｍ）的压敏陶瓷。     

大面积单结a—Si：H太阳电池方阵现场稳定性的评价与测试方法

对不同工作状态的２７８７ｃｍ＾２单结集成型ａ－Ｓｉ：Ｈ太阳电池组件室外１年多的实验结果与２ｋＷａ－Ｓｉ：Ｈ太阳电池方阵现场运行４年多的结果进行比较，说明组件或方阵在室外运行１年后，经过正常衰退阶段，其性能趋于稳定。同时给出了大功率ａ－Ｓｉ：Ｈ太阳电池方阵性能的现场测试方法。     

The Engine Performance Prediction by Quasi—Steady Method

ＴｈｅＥｎｇｉｎｅＰｅｒｆｏｒｍａｎｃｅＰｒｅｄｉｃｔｉｏｎｂｙＱｕａｓｉ－ＳｔｅａｄｙＭｅｔｈｏｄ￥ＹｅＡｉ－Ｙｕｎ；ＺｈａｎｇＹａｎｑｉｎ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＴｈｅｒｍａｌＥｎｅｒｇｙＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＢｅｉｊｉｎｇＰｏｌｙｔｅｃｈｎ...     

SnO_2／p接触特性对a－Si太阳电池填充因子的影响

用ＰＥＣＶＤ方法制备出高电导率（～０．２ｓｃｍ－１）、宽带隙（～２．２ｅＶ）的Ｐ型微晶化硅碳合金（ｐ－μｃ－ＳｉＣ：Ｈ）薄膜材料。利用ｐ－μＣ－ＳｉＣ：Ｈ／ｐ－ａ－Ｓｉ：Ｈ复合结构做ａ－Ｓｉ太阳电池的窗口材料，明显改善了ＳｎＯ２／ｐ之间的接触特性，从而使１０ｃｍ×１０ｃｍ单结集成型电池的填充因子从０．７０以下提高到０．７２。     

Si3N4陶瓷用粉体的制备研究

着重阐述了特种陶瓷用Ｓｉ３Ｎ４粉体的制备，性能，结构和应用，及其相关的粉体材料的研究与介绍。     

CdIn_2O_4和Cd_2SnO_4薄膜X－光电子能谱研究

研究了在Ａｒ＋Ｏ２混合气氛中从Ｃｄ－Ｉｎ和Ｏｄ－Ｓｎ合金靶射频反应溅射而成的ＣｄＩｎ２Ｏ４和Ｃｄ２ＳｎＯ４膜的Ｘ－光电子能谱。实验结果表明了粉末Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３和ＣｄＩｎ２Ｏ４、Ｃｄ２ＳｎＯ４膜的Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ３ｄ３／２和３ｄ５／２ＸＰＳ峰值位置和形状的区别，并讨论了Ｏ１ｓＸＰＳ峰随氧浓度的变化。当氧浓度增加时，Ｏ１ｓ分为两个峰。     

乙烯对纳米硅碳薄膜晶化的影响

在等离子体化学气相沉积系统中采用高氢稀释硅烷加乙烯法制备了ｎｃ－ＳｉＣｘ：Ｈ薄膜。系统研究了Ｃ２Ｈ４／（Ｃ２Ｈ４＋ＳｉＨ４）（Ｘｃ）气体流量比对ｎｃ－ＳｉＣｘ：Ｈ薄膜的晶化和其它不龟性能的影响。