PV—InSb红外探测器工作温度的实验研究

在－１９６℃到－９６℃范围测量了ＰＶＩｎＳｂ红外探测器的信号，噪声和阻抗数据。给出了信号，噪声，信－噪比和阻抗随温度变化的曲线族。分析讨论了器件结构设计时，选择ＰＶ－ＩｎＳｂ红外探测器工作温度的有关问题。     

MBE生长InSb外延层特性及红外探测器研究

本文报道了采用含有ＩｎＳｂ非晶过渡层的两步ＭＢＥ生长技术，在ＧａＡｓ（１００）衬底上异质外延生长的ＩｎＳｂ外延层材料特性及初步的器件性能。５μｍ厚的ｎ型本征ＩｎＳｂ外延层７７Ｋ时的电子浓度和迁移率分别为：ｎ～２．４×１０￣（１５）ｃｍ￣（－３），μ～５．１２×１０￣４ｃｍ￣２Ｖ￣９－１）ｓ￣（－１），高质量ＩｎＳｂ外延层的Ｘ射线双晶衍射半峰宽（ＦＷＨＭ）＜１５０″。ＩｎＳｂ表面的相衬显微形貌，ＩｎＳｂ／ＧａＡｓ界面的ＴＥＭ形貌相和ＩｎＳｂ外延层的红外透射谱等测试结果都肯定了ＭＢＥＩｎＳｂ外延层的质量。研究结果已基本达到目前国外同类研究水平。用ＭＢＥ生长的ｎ型ＩｎＳｂ外延层薄膜首次制作了中波（３～５μｍ）多元光导线列器件，终测表明，器件的光导响应率较高Ｒ（Ｖ）～７８００Ｖ／Ｗ，均匀性很好ΔＲ（Ｖ）／Ｒ（Ｖ）＜７％，ＭＢＥＩｎＳｂ外延薄膜展示了良好的红外探测器应用前景。     

锑化铟表面硫化处理

本文介绍了利用ＡＥＳ、ＸＰＳ和Ｃ－Ｖ法对经过硫化物处理后的ＩｎＳｂ表面进行研究，其结果显示硫在ＩｎＳｂ表面替代锑或填补锑的空白与铟形成共价健，从而减少了ＩｎＳｂ与氧化层之间的表面态。     

锑化铟红外探测器组件中附加噪声的控制

锑化铟红外探测器组件中附加噪声的控制张文全，周赞熙，兰学强，朱建华（航天工业总公司第三研究院八三五八所天津３００１９２）锑化钢（ＩｎＳｂ）红外探测器的组装是指将封有ＩｎＳｂ芯片的杜瓦、微型Ｊ－Ｔ制冷器及外定位套、引线等组装为一体的工艺过程。在这一工艺...     

J—T制冷器对InSb探测器噪声的影响

Ｊ—Ｔ制冷器对ＩｎＳｂ探测器噪声的影响航天工业总公司三院八三五八所张文全，周赞熙，兰学强，朱建华Ｊ—Ｔ制冷器是ＩｎＳｂ红外探测器的重要组成部件之一。探测器组装后（即将封装有ＩｎＳｂ芯片的杜瓦、Ｊ—Ｔ微型制冷器及定位套等组装在一起），往往会使探测器本身...     

MBE生长长波InAsSb应变层超晶格材料研究

本文介绍了ＩｎＡｓＳｂ应变层超晶格用于红外探测器的基本特点，简述了国外ＩｎｓＳｂ应变层超晶格研究现状及我们研究所的研究成果，并指出存在的差距及发展前景。     

新一代长波长红外探测器

文章旨在介绍适应于长波红外焦平面阵列技术发展的红外探测器，由于篇幅的关系，本文着重评述ＩｎＡｓＳｂ应变层超晶格红外探测器和ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ多量子阱红外探测器的特点、器件结构、主要制作工艺，性能参数，以及急需要解决的一些问题。     

新一代红外探测器：红外焦平面列阵

作为新一代红外探测器，红外焦平面列阵（ＩＲＦＰＡ）以其高灵敏度、高分辨率，在军事和空间高技术的研究和发展中发挥着重要作用，已成为红外光电子技术研究的一个热点和核心课题。当前正在大力发展的ＩＲＰＦＡ有Ｓｉ肖特基势垒，Ｉｎｓｂ、ＨｇＣｄＴｅ、ＣａＡｓ／ＡｌＣａＡｓ多量子阱等。     

C－dBASEⅢ在红外探测器研制和生产中的应用

本文叙述了使用Ｃ－ｄＢＡＳＥⅢ软件在Ｈｅｒｃｕｌｅｓ微机上，编制用于ＩｎＳｂ光伏型红外探测器研制和生产的工艺数据库，以及具有查询、打印、维护等功能的文件管理程序。运用表明，实施计算机管理可大大提高工作效率。     

真空分层蒸镀InSb薄膜的研究

采用双源分层蒸镀的方法制作ＩｎＳｂ薄膜，将区域熔融技术用于ＩｎＳｂ薄膜的热处理，提高了薄膜的纯度和择优定向程度，室温下电子迁移率达到３００００ｃｍ２／（Ｖ·ｓ）。在此基础上，分析了影响ＩｎＳｂ薄膜性能的几个主要因素。     

光伏锑化铟红外探测器的老化现象与处理

光伏锑化铟红外探测器在长期使用过程中会逐渐老化,出现一些如等效阻抗降低、噪声增大等现象。本文叙述了闪光处理对于降低这类老化的探测器的噪声特别有效,加上一些清洁措施,已使一个工作了6年多的探测器基本上恢复了性能。     

CW CO2激光对PV型InSb探测器的破坏效应

通过测量光伏型锑化铟探测器在不同功率密度、不同辐照时间的CW CO2激光辐照时性能的变化,得到其破坏阈值区间.理论上用一维热模型计算了探测器在激光辐照过程中的温升,结果表明,PV型InSb探测器的破坏效应源于连续波激光辐照过程中温升达到InSb材料熔点时其pn结退化为电阻.     

256元锑化铟光伏焦平面探测器

本文从几个方面简要介绍了２５６元锑化铟光伏焦平面探测器的研究情况，并从焦平面的角度讨论了长线列探测器的工艺及设计要求，另外也介绍了信号处理电路的研制情况以及如何完成焦平面的互连及测试工作。最后介绍了器件的测试结果及一些应用情况。     

基于InSb的新型红外探测器材料（特邀）

InSb单晶是制备工作于中波红外大气窗口（3~5 μm）光子型探测器的典型光电转换材料,采用该单晶材料所制备的InSb红外探测器以高性能、大规格像元阵列、高稳定性和相对低成本为特点,广泛应用于军用红外系统和高端民用红外系统领域。然而,InSb 红外探测器响应波长范围固定不可调节、响应仅限于短中波红外而对长波红外无响应、相对有限的载流子寿命制约器件高温工作性能等固有特点,限制了该型探测器在工程中的广泛应用。文中系统地介绍了基于InSb材料人们为改进上述不足所开展的新型材料及其光电响应方面的研究结果。这些材料主要包括:采用合金化方法改变InSb组分形成新型多元合金材料、采用量子结构形成新型低维探测材料。对于新型合金材料,介绍了材料的合金相图、带隙与合金组分的关系、带隙的温度关联特性,并给出采用该材料制备器件的典型光电性能;对于量子结构材料,介绍了材料的制备方法、带隙与量子尺寸的关系,以及采用该材料制备原型器件的典型光响应特性。最后,对新型InSb基红外探测材料与器件的发展趋势、关键问题、研究重点进行了探讨。     

激光辐照光伏型锑化铟探测器的损伤机制研究

本文研究激光辐照光伏型梯化铟探测器的损伤机制，指出激光的损伤使局部ｐｎ结退化为电阻，对器件性能的影响等效于并联一个电阻，用来解释实验中的各种现象，理论与实验曲线符合得很好。该模型也可以解释闪光效应，即光照对此种器件的修复作用。     

锑化铟晶片的电学均匀性研究

锑化铟焦平面探测器是红外成像系统的重要组成部分,对红外成像的成本和性能都有重要影响。锑化铟晶片的质量及均匀性决定了探测器的性能。通过霍尔效应测试、低温探针法以及微波光电导衰退法研究了锑化铟晶片的电学性能均匀性。结果表明,所制备的锑化铟晶片的载流子浓度和电子迁移率的面分布较均匀,但低温电阻率以及少子寿命的分布呈现较小的非均匀性变化,这主要与锑化铟生长过程中的杂质分凝有关。     

外延型InSb(InAlSb)探测器工艺分析

结合相关文献对近年来InSb基MBE外延InSb(InAlSb)材料工艺及器件性能进行了梳理分析和总结,对还存在的问题进行了探讨。InSb基外延材料(尤其是InAlSb)确实具有低暗电流、噪声抑制、高工作温度和温度稳定性优势,但材料中存在的较多缺陷影响了探测器的信号电流、探测率、响应率和电阻。分子(原子)氢脱氧技术、生长温度和V/III比等工艺参数优化可以降低材料表面缺陷,提高像元的均匀一致性;继续优化材料结构和掺杂,可以提高探测器的信号响应和工作温度;继续优化刻蚀等器件工艺可为外延型大面阵焦平面阵列制备奠定基础。     

用于InSb探测器芯片的激光划片工艺方案简析

针对InSb探测器芯片,基于紫外皮秒激光器搭建了定制化的光学平台和振镜系统。通过固定激光脉冲的重复频率,探讨了低能量多刀数以及高能量少刀数等工艺条件,获得了适合InSb探测器芯片激光划片的工艺条件。结果表明,热影响与崩边情况均可满足项目要求。     

高速数字电路相位噪声测试研究

对高速数字电路相位噪声测试技术进行了探索.利用直接频谱仪法、鉴相器法、鉴频器法等相位噪声测试方法,通过阻抗匹配等合理的测试设计,开发出测试系统,对高速数字电路相位噪声进行了测试研究,获得了准确的测试数据,有效地表征了电路实际性能.     

激光辐照对红外探测器的损伤

根据红外探测器的结构特点和传热学理论,研究激光干扰机的激光器对探测器的损伤效果。以InSb探测器为例,设定入射激光从顶层辐照,结合各层之间热传导效应建立分层热模型。考虑激光在空间上的分布为高斯分布,给定初值和边界条件,利用Matlab偏微分工具箱进行建模仿真。重点研究了辐照距离、辐照时间和激光器功率等因素对探测器损伤效果的影响,给出了相应的仿真结果。当连续激光功率为50 W、距离为200 m、辐照时间为3 s时,对探测器的损伤效果主要是软损伤,受激光功率密度所限,未能造成永久性破坏。