溶胶凝胶法制备声表面波器件用Li∶ZnO薄膜

用溶胶凝胶法在玻璃载玻片上制备Li∶ZnO薄膜 ,涂膜采用旋涂法。薄膜通过二次涂膜而形成。用X射线衍射、原子力显微镜、扫描电镜和电阻仪表征和测量了薄膜的特性和性能。实验结果表明 :通过改变每层涂膜热处理的温度 ,可使Li∶ZnO薄膜具有更好的c轴择优取向性、平整均匀、颗粒细小和高的薄膜电阻率 (≈ 10 7Ω·cm) ,这些性能可满足声表面波器件的使用要求。薄膜形成时每层采用不同成膜热处理温度可使薄膜有较好性能 ,主要是由于这种工艺能获得优化的薄膜微观结构     

溶胶-凝胶法制备ZnO多孔薄膜

以聚乙二醇(polyethyleneglycol,PEG2000)为模板剂,醋酸锌(Zn(CH3COO)2·2H2O)为前驱体,乙醇为溶剂,二乙醇胺[NH(C2H4OH)2]为络合剂,通过溶胶凝胶法在玻璃基片上制备了ZnO多孔薄膜。利用红外光谱,热重差热分析及扫描电镜等测试方法对薄膜的结构和特性进行了分析。探讨了样品在溶胶凝胶及煅烧过程中的物理化学变化。研究了前驱体浓度、PEG2000加入量及不同水浴温度对薄膜结构和性能的影响。结果表明:当m[Zn(CH3COO)2]/m[PEG2000]=9.43∶1(质量比),将溶胶在70℃水浴下处理1h,最终可制得具有一定多孔结构的ZnO薄膜。     

厚度对溶胶-凝胶法制备锂掺杂ZnO薄膜性能的影响

采用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃衬底上制备了不同厚度的ZnO:Li半导体薄膜.采用X射线衍射仪和扫描电子显微镜分析了薄膜的物相结构和形貌,用Hall效应测量仪常温下测量薄膜的电学性能.结果表明:该薄膜具有高度的c轴择优取向性,所有薄膜只有1个(002)衍射峰,并且衍射强度随着膜厚增加而加强.ZnO:Li薄膜晶粒呈柱状,晶粒直径不随膜厚改变,约为40 um.ZnO:Li薄膜为P型导电,薄膜越厚,其电学性能与晶体结晶越好,(002)方向择优取向生长越明显.电阻率随着膜厚增加而减小,最小的电阻率为1.32×102(Ω·cm).载流子-空穴浓度为3.546×1016/cm3,迁移率为1.34cm2/(V·s).ZnO:Li薄膜在可见光范围内的透过率达到90%,薄膜对紫外光的吸收与厚度有关.     

溶胶-凝胶法制备氧化铝薄膜

以Al(NO3)3·9H2O作为前驱体制备AlOOH溶胶,通过提拉法在不锈钢表面形成氧化物薄膜。探讨了热处理制度和表面处理对薄膜形成过程的影响,并通过XRD和SEM等分析手段对氧化铝薄膜形成过程的物相组成和表面质量进行了分析。实验结果表明:温度在500～800℃,升温速率控制在1.5℃/min,可以得到表面致密的氧化铝薄膜,所制得的薄膜成分以晶态氧化铝和非晶态氧化铝共存,其中晶态氧化铝以γ-氧化铝的形式存在。     

溶胶-凝胶法制备薄膜

综述了溶胶-凝胶法制备薄膜材料的一般原理及工艺步骤。并对其应用做了一定的展望。     

溶胶-凝胶方法制备ZnO：Al薄膜及其制备工艺条件研究

采用Sol—Gel工艺在玻璃基片上制备出C轴择优取向性、高可见光透过率以及高电导率的Al^3＋离子掺杂的ZnO透明导电薄膜ZnO：Al（ZAO薄膜）．并研究了退火温度、Al掺杂量等对其光电性能的影响．结果表明，溶胶-凝胶法制备ZAO薄膜的最佳工艺条件为：溶胶浓度0．75mol／L、掺杂量1．5atm％，镀膜层数10层（厚度约为136nm）、退火温度600℃．     

ZnO薄膜的新溶胶-凝胶法制备及其光学性能

氯化锌和乙酰丙酮在乙醇中反应得到乙酰丙酮(AA)络合锌溶液(即Zn(AA)Cl2),利用Na OH与Zn(AA)Cl2反应去除溶液中的Cl-,制得含锌的溶胶溶液。使用制得的溶胶溶液利用浸渍-提拉法在玻璃基上制备Zn O薄膜。通过X射线衍射仪和紫外-可见光光度计对样品进行晶体结构分析和光学表征。结果显示:在500℃制备的薄膜样品具有六方纤锌结构的Zn O,由谢乐方程估算Zn O薄膜的平均晶粒尺寸为70~80 nm,由薄膜的光学表征确定制得的Zn O薄膜的直接禁带宽度为3.17 e V。     

溶胶-凝胶法制备ZnO:Al薄膜的热分解及晶化过程

采用溶胶-凝胶浸渍提拉法在普通玻璃片上制备了ZnO:Al薄膜.通过热重-差示扫描量热曲线分析了前驱体在热处理过程中的物理化学变化,采用X射线衍射分析了薄膜的结晶特性.结果表明:ZnO:Al的结晶过程分2个阶段:在约300℃开始成核和生长,在500℃左右进一步晶化.在413～523℃时,薄膜组成为ZnO:Al与残余碳的混杂物:温度升至500℃时,残余碳大部分完全氧化,ZnO:Al进一步晶化,使薄膜结晶质量变好.薄膜的最佳预热处理温度和后期热处理温度分别为420℃和530℃.通过扫描电镜观察发现:在530℃下后期热处理的薄膜具有致密均匀的微观组织结构,在400℃下真空退火处理后其表面方电阻最小(140Ω/□).所有薄膜在可见光范围内透过率均超过90%.     

热处理工艺对溶胶-凝胶法制备ZnO:Al薄膜光电性能的影响

采用溶胶-凝胶法以提拉的方式在普通玻璃基底上制备出ZnO:Al(AZO)薄膜。通过X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、方块电阻测试仪、Hall效应测试仪、紫外-可见-红外分光光度计研究了薄膜物相、微观结构、光电性能;分析了不同热处理方式对于薄膜光电性能的影响。结果表明:经10次提拉所制备薄膜可见光透过率85%左右。热处理工艺的选择对于提升AZO薄膜的电学性能至关重要,相比于空气气氛和真空下的热处理,采用具有还原性的5%H_2和95%N_2的混合气氛热处理得到了具有最好电学性能的AZO薄膜。在550℃还原气氛下保温60 min得到薄膜方块电阻约为300Ω/□,电阻率约为3.3×10~(-3)Ω·cm。     

溶胶-凝胶旋涂法制备ZnO∶Cd薄膜

溶胶-凝胶法是一种有效制膜技术,以二水合醋酸锌Zn(CH3COO)2·2H2O为前驱体,以乙二醇甲醚CH3OCH2CH2OH为主要溶剂,以乙醇胺C2H7NO作为稳定剂制备溶胶溶液.将滴有此溶胶溶液的基片放入旋转涂覆机旋转,再在表面滴入氯化镉( CdCl2·2.5H2O)溶液,然后对基片进行热处理.经X-射线衍射测量,发...     

二氧化钛纳米薄膜溶胶-凝胶法制备研究

研究了在清洁的玻璃表面采用溶胶-凝胶法制备锐钛矿相二氧化钛纳米薄膜,重点研究了薄膜制备过程中的关键工艺如溶胶配制及其稳定性、溶胶陈化及胶粒长大、提拉法涂膜次数及是否添加稳定剂对薄膜表面形貌均匀性的影响等.对所制备的薄膜的X射线衍射、光学显微镜、扫描电子显微镜及能谱分析表明,该薄膜为典型锐钛矿相二氧化钛,薄膜中二氧化钛纳米颗粒分布均匀、致密,纳米颗粒大小分布窄,直径约为30 nm,薄膜厚度约为300 nm.     

溶胶-凝胶法制备NiO薄膜及影响因素

NiO薄膜可作为电致变色材料、电容器材料、气敏材料、电极材料等而受到人们关注。溶胶凝胶法(sol-gel)制备NiO薄膜材料因其无可比拟的优点成为研究的热点。简要介绍了sol-gel法制备NiO薄膜的特点及基本原理,重点论述了成膜方式、溶胶性质以及热处理条件对薄膜形貌、结构和电化学性能的影响,展望了NiO薄膜材料的发展方向,旨在为NiO薄膜材料的研究和开发提供一些借鉴和启发。     

溶胶-凝胶法制备LiNbO3薄膜的研究

对近年来有关溶液－凝胶法制备LiNbO3薄膜的研究进行了较详细的论述，分析讨论了在溶胶－凝胶法制备了LiNbO3薄膜过程中，各主要因素对LiNbO3薄膜制备的影响，简要地介绍了LiNbO3薄膜的一些性能。研究结果表明，目前可以用溶胶－凝胶法在蓝宝石及LiTaO3等基板（基板的晶格参数与LiNbO3的晶格参数失配较小）上制备出有光学应用的LiNbO3薄膜，制膜的热处理温度通常在500℃左右，讨论了溶胶－凝胶法制备LiNbO3薄膜过程中存在的主要问题、发展前景有今后的研究方向。     

钛酸铅系薄膜的溶胶-凝胶法制备及其应用

简单介绍了钛酸铅系薄膜的制备方法，分析了溶胶-凝胶法较其它方法的优点。探讨了钛酸铅溶胶的稳定因素，如原料、溶剂、添加剂的选取。阐述了热处理温度、时间，退火温度、时间，基片和过渡层对促进钛酸铅系薄膜晶化的影响，并对钛酸铅系薄膜的应用现状进行了概括，展望了钛酸铅系薄膜的发展前景。     

复杂氧化物陶瓷薄膜的溶胶-凝胶法制备方法

研究以溶胶一凝胶制备复杂氧化物薄膜的方法，此方法我们首先要考虑反应中醇盐的作用。凝胶过程实际上是溶液变成固体，包括醇盐的水解和致密化过程。凝胶的干燥得益于毛细管力的作用，同样，要制备合格的薄膜，还必须考虑薄膜与基层的附着能力。     

溶胶-凝胶法制备锰酸锂薄膜及影响因素

全固态薄膜锂离子电池在未来微电子器件中具有广泛的应用前景，但该微电池在制备工艺方面还需进一步优化。溶胶-凝胶法制备无机薄膜材料具有其它方法无法比拟的许多优点成为目前研究的热点。简单介绍了溶胶-凝胶法制备薄膜的基本过程和特点，重点评述了该方法制备LiMn2O4薄膜的各种影响因素。     

溶胶-凝胶法制备Co掺杂ZnO薄膜及其室温铁磁性(英文)

以聚乙烯醇为溶剂,用溶胶-凝胶法在石英玻璃基底表面制备了Zn1-xCoxO(x=0.08,0.10,0.12)稀磁半导体薄膜。研究表明:Zn1-xCoxO薄膜均为纤锌矿结构,没有出现与Co相关的杂质相,Co2+取代Zn2+位置进入ZnO的晶格,样品的光学带隙随Co含量的增加而减小。Zn1-xCoxO稀磁半导体薄膜具有室温铁磁性,其饱和磁化强度(Ms)和矫顽力(Hc)均随Co2+含量(x=0.08,0.10,0.12)的增加而逐渐增大,Ms分别为1.12×104,1.45×104A/m和1.66×104A/m,Hc分别约为2.31×105,3.30×105A/m和4.26×105A/m,并讨论了其铁磁性的来源。     

溶胶-凝胶法制备掺铝氧化锌薄膜及其近红外反射性能研究

采用溶胶-凝胶法制备了掺铝氧化锌(ZAO)薄膜,用X射线衍射(XRD)、紫外-可见光-近红外分光光度计等分析测试手段对薄膜进行了表征;通过正交试验探讨了镀膜层数、溶胶浓度、铝离子的摩尔分数以及退火温度等因素时掺铝氧化锌(ZAO)薄膜近红外反射率的影响,优选了制备具有高近红外反射率的薄膜的工艺参数.研究结果表明,当溶胶浓...     

溶胶-凝胶法制备SiO_2薄膜工艺研究

以正硅酸乙酯为前驱体,以溶胶-凝胶法制备SiO2溶胶并且采用提拉法在玻璃基片上制备二氧化硅薄膜。研究了反应过程中反应温度、反应时间、催化剂、乙醇和水的加入量对溶胶性质和成膜性能的影响,研究了提拉速度和焙烧温度对二氧化硅薄膜润湿性能的影响。实验结果表明,适宜的反应条件为:反应物的摩尔比TEOS∶EtOH∶H2O=1∶1.5∶1.0,反应温度70℃,pH=3,反应时间1h,薄膜适宜的焙烧温度为450℃。所制备出的二氧化硅薄膜均匀透明,润湿性能良好。     

溶胶-凝胶法制备WO3电色薄膜

采用溶胶-凝胶法以钨粉过氧化聚钨酸的有机溶液为先驱物制备出了WO3薄膜,研究了添加无水乙醇、冰乙酸对其成膜性能的影响,并进行了厚度、可见光谱、电化学循环伏安、X-射线测试.结果表明该法能制得质量好的WO3非晶态薄膜.