质子轰击GaP外部电光采样

采用质子轰击n-GaP晶体作为外部电光采样材料,用倍频移相扫描电光采样技术和反射式光路结构,对ITO共面波导上的微波信号进行了测量.结果表明,用质子轰击的方法可以使n-GaP样品的电阻增大四个量级,接近于半绝缘材料,能有效地减小GaP晶体内部自由电荷对电场的屏蔽效应.在2.30GHz微波信号时,质子轰击GaP外部电光采样测量获得了40mV(/Hz)的电压灵敏度.     

质子轰击GaP外部电光采样

采用质子轰击 n- Ga P晶体作为外部电光采样材料 ,用倍频移相扫描电光采样技术和反射式光路结构 ,对 ITO共面波导上的微波信号进行了测量 .结果表明 ,用质子轰击的方法可以使n- Ga P样品的电阻增大四个量级 ,接近于半绝缘材料 ,能有效地减小 Ga P晶体内部自由电荷对电场的屏蔽效应 .在 2 .30 GHz微波信号时 ,质子轰击 Ga P外部电光采样测量获得了 40 m V/Hz的电压灵敏度 .     

质子轰击GaP电光采样测量

在ｎ－ＧａＰ衬底上制作共面波导（ＣＰＷ）,用质子轰击的方法减小共面波导的漏电损失,用倍频扫描移相电光采样技术测量了１～５ＧＨｚ微波信号．质子轰击后ＧａＰＣＰＷ的电阻增大了４个量级,在２．３０ＧＨｚ微波信号时,质子轰击ＧａＰＣＰＷ电光采样测量获得了１０ｍＶ／Ｈｚ的电压灵敏度．     

InSb质子轰击损伤的隔离效应

本文研究了高能质子对InSb轰击所引起的损伤的绝缘隔离效应,并将这一效应用于解决InSb红外探测器的光敏面扩大及多元列阵的串音问题.试验是在能量为40keV—2MeV,剂量为10~(13)-10~(16)/厘米~2范围内分别在离子注入机或静电加速器中对 InSb 进行室温下的质子注入.用双晶衍射仪、直径为100微米的小光点设备、串音的电学法测试及高帧速成象仪上检测了损伤隔离效应.实验结果证明了质子轰击损伤隔离是一种优良的电隔离技术,不仅可用于解决InSb红外探测器光敏面扩大及多元列阵探测器的电学串音问题,也是制备平面型器件的优良方法.     

选择性质子轰击DC—PBH激光器

在普通双沟平面掩埋异质结（ＤＣ－ＰＢＨ）激光器的基础上，采用质子轰击的技术，制作了一种新型的选择性质子轰击ＤＣ－ＰＨＢ激光器。这种新型的激光器结构与以前普通的ＤＣ－ＰＢＨ结构相比阈值电流降低，输出功率及量子效率得到提高，尤其是它的调制特性得到明显改善，这种结构激光器的调制带宽由原来的２．０ＧＨｚ提高到６．０ＧＨｚ。     

质子轰击条型GaAlAs激光器的温度特性

研究和分析了温度对GaAIAs DH激光器电光参数的静态和动态特性及工作寿命的影响。实验结果表明:在-40℃～ 40℃范围内,随着温度的升高,激光器串联电阻下降率9.6×10~(-3)欧姆/℃,阈值电流变化率0.54mA/℃,激光峰值波长向长波漂移率2.78(?)/℃,外微分量子效率保持不变;在20～70℃范围内,阈值温度系数I_(th)(70℃)/I_(th)(20℃)约1.3,特征温度T_o约202℃,外微分量子效率不变。最高连续工作环境温度可达150℃。阈值电流变化率低的激光器,外推室温连续工作寿命8×10~4小时以上还相当稳定。本文还研究了自脉动和功率扭析现象等。     

质子轰击的锑化铟n-p结光伏探测器

本文介绍了用质子轰击产生 n-型层来制备锑化铟 n-P 结光伏探测器的方法。在77°K 时,直径为20密耳的二极管具有几十万欧姆的零偏压电阻。这些二极管在4.9微米时的典型峰值探测度在2π,300°K 背景条件下大于3×10~(10)厘米赫~(1/2)/瓦,所观察到的最大值是10~(11)厘米赫~(1/2)/瓦。已观察到接近35％的二极管量子效率。     

InP、InGaAsP质子轰击区的光学特性及质子轰击条件对InGaAsP/InP DH激光器特性的影响

研究了InP、InGaAsP材料在质子轰击前后的光吸收特性和荧光特性,观察了热处理对这些光学特性的影响.用扫描电镜观察了DH片子解理面上质子轰击区的形貌,由此确定了一定加速能量下的轰击深度和电极金属层的阻挡能力.分析比较了不同的质子轰击深度对激光器伏-安特性和激射特性的影响,发现在最佳的轰击条件下才能得到阈值低、效率较高,功率-电流曲线的扭折点较高,光谱比较单纯的激光器.     

质子轰击条形InGaAsP/InP双异质结激光器

用液相外延方法生长了InGaAsP/InP四层双异质结,采用了镀金石英玻璃炉和水平滑动式石墨舟.研究了外延生长界面平直晶体质量好的InGaAsP/InP和InP/InGaAsP异质结的工艺细节.测量了异质结晶格失配度,确定了异质结匹配生长条件。研究了在InP液相外延中锌和碲的掺杂规律,分析了掺锌工艺对p-n结的位置、结的注入效率和其它结特性的影响.制作了质子轰击条形InGaAsP/InP DH激光器.在室温(300K)连续激射波长为1.30-1.33μm.室温宽接触激光器的阈电流密度为2000A/cm~2,规一化阈电流密度为5kA/cm~2·μ.测量了阈电流随温度的变化,在80—285K范围内特征温度T_o=79-108K,室温附近T_o=63-73K.选择两只激光器作了长期工作实验,其中一只寿命为560小时,另一只已经工作2500 小时,现仍在继续工作中.     

Ga_(1-x)Al_xAs-GaAs DH 激光器的质子轰击研究

质子轰击条形DH激光器,通常我们采用常规的液相外延方法来制造。一般在n-GaAs衬底材料上生长Ga_(1-x)Al_xAs-GaAs五层DH结构。n面衬底上的接触电极用AuGeNi合金化形成;p-GaAs顶层上则先扩散锌,蒸发Cr-Au。对质子束的掩蔽     

TOP5

仲夏的促销大战已经进行了一段时日,在看够了漫天的价格轰炸以后。单纯的数字,对消费者已经无法形成太强的吸引力。这个时候,一些具有新鲜卖点的本本逐渐浮出水面,成为关注焦点。     

Flash 5

著名的网页动画制作软件“FLASH 5”,采用更具弹性的操作界面,新增的Action Script是这次改版的重点,为网页设计者提供了更强大的互动网页设计工具。     

一种提供5位频带切换控制的5GHz压控振荡器

设计了一种提供5位频带切换控制的5GHz电容电感压控振荡器,采用NMOS-PMOS交叉耦合结构,并且为消除电流源的闪烁噪声而应用电阻偏置调节工作电流.电路采用TSMC RF0.18μm CMOS工艺进行仿真,仿真结果显示,在1.8V电源电压下,在偏离中心频率1MHz处的相位噪声为-120.8dBc/Hz,调谐范围为24.6%,功耗仅为2.3mW.     

A 5-by-5 element coupled oscillator-based phased array

Design, fabrication, and test of a 25-element planar coupled oscillator based phased array is described. The array operates at S-band and is shown to produce an agile beam which is steerable via adjustment of the perimeter oscillator tuning biases only. A phase diagnostic system is described which displays the aperture phase distribution during the far field measurements of the radiated beam. Measured results are presented both with and without the diagnostic system present. Without the diagnostic system, the beam pointing was achieved by setting the perimeter oscillator biases to be values previously used in the measurements with the diagnostic system present. The far field was then measured without the benefit of a knowledge of the aperture phase distribution. Finally, the results of far field measurements are described in which the beam position was incremented from a position previously measured with the diagnostic system in place to a new position by incrementing the perimeter oscillator biases by a fixed amount.     

将-5V转换为5V的电荷泵

通用的开关电容电荷泵式电压转换器都能将一个正电压源的电压转换为负电压，或使之增加一倍。但是．某些完全由ECL(射极耦合逻辑)电路组成的设备。只能提供一个负电压，如-5.2V。图1说明如何用一只开关电容转换器来获得一个适宜为ECL-TTL电平转换器和其它电路供电的正电源电压。     

5GLAN在5G专网中的优化应用

在通信技术高速发展的背景下,5GLAN技术同样呈现出快速发展的趋势,该技术通过5G接入,可以提供LAN,VPN等类型的功能服务。自该技术诞生以来,就受到了各领域的广泛关注,尤其是在工业、交通等领域中,基于5GLAN等场景的应用,可以有效实现灵活组网、内外网融合、安全管理等目标,为LAN内5G终端互通、终端隔离等提供灵活的通信服务。基于此,文中阐述了5GLAN的特点及优势,并分析了其在5G专网中的优化应用要点。     

DBW5/SBW5型无触点补偿式电力稳压器

一、前言 我国目前还有很多地区交流电网的供电质量不太高,表现为经常过欠压、瞬时跌落、浪涌和尖峰干扰较多等。而随着科技和经济的发展,信息技术和微电子技术的应用,大量用电设备对供电质量的要求越来越高,因而,电力稳压器已成为许多电子设备(如计算机、通信设备、广电发射设备、医疗设备等)和机电设备(如数控机床、注塑机等)不可缺少的供电装置。