Ka频段分谐波混频技术的研究

介绍Ka频段分谐波混频技术,详细描述基于反向并联二极管对式的混频电路,从理论上进行阐述,并应用到Ka频段发射机的变频单元。该变频单元采用二次谐波混频技术,将S频段上变频至Ka频段,本振频率降低了一半;同时完成分谐波混频芯片匹配电路的设计和测试。     

分谐波混频在数字微波直接变频调制／解制器中的应用

在微波／毫米波频段，高电平载波泄漏是制约数字直接变频调制器（如ＱＰＳＫ）性能、产生调制矢量误差的一个重要因素。在直接变频接收方式中，二阶交调失真（ＩＭ２）及本振噪声是制约动态范围的关键因素之一。偶次分皮混频可有铲地抑制载波泄漏、二次混频失真及本振噪声、是提高调制器精确度及直接解调器动态范围的有效技术。     

微波变频组件杂散信号分析与抑制设计

微波变频组件是通过一次或多次变频将微波信号变频至所需频率的器件,在变频过程中生成所需信号的同时也会混频产生多余的频率分量,这些频率分量对所需信号构成杂散信号必须予以抑制。基于降低杂散信号对输出信号的影响阐述了变频原理,具体分析了射频信号和本振信号混频后的频率分量,最后给出了一种变频组件的实现方法,实现了抑制杂散信号分量的目的。     

基于肖特基二极管的四次谐波混频器

针对冰云探测设备的预研,详细介绍了一款基于肖特基二极管的低变频损耗670 GHz四次谐波混频器.为了提升混频效率,采用两级紧凑微带共振单元（CMRC）本振低通滤波器来抑制射频信号、本振三次谐波及二次谐波混频产物.由于本振频率仅为射频频率的四分之一,大大降低了本振链路的复杂度和成本.测试结果表明,在640~700 GHz频带内单边带变频损耗为16.7~22.1 dB,在665 GHz最优单边带变频损耗为16.8 dB.     

采用次谐波混频技术的毫米波超宽带混频器研制

提出了一种次谐波混频技术结合宽带匹配滤波电路的设计方法,能有效降低本振源的制作难度,并可扩展中频带宽。应用高频场仿真软件以及谐波平衡仿真软件,研制了两个频段的超宽带次谐波混频器。测试结果:K频段混频器,固定本振频率15 GHz,射频频率在18~26.5 GHz的频带内变化时,变频损耗小于10.7 dB,最小变频损耗为7.5 dB;Ka频段混频器,固定本振频率22 GHz,射频频率在26.5~40 GHz的频带内变化时,变频损耗小于11.5 dB,最小变频损耗为8 dB。测试结果指标与传统的双平衡混频器指标相当,证明了电路设计方案的正确性。     

基于肖特基二极管的四次谐波混频器（英文）

针对冰云探测设备的预研,详细介绍了一款基于肖特基二极管的低变频损耗670 GHz四次谐波混频器,为了提升混频效率,采用两级紧凑微带共振单元(CMRC)本振低通滤波器来抑制射频信号、本振三次谐波及二次谐波混频产物.由于本振频率仅为射频频率的四分之一,大大降低了本振链路的复杂度和成本.测试结果表明,在640-700 GHz频带内单边带变频损耗为16.7～22.1 dB,在665 GHz最优单边带变频损耗为16.8 dB.     

4mm宽带集成电路混频器的研制

用国产梁式引线混频二极管研制成功鳍线平衡混频器，在本振为６７ＧＨｚ，射频在６８～８０ＧＨｚ变动时，其变频损耗为８．６～１１ｄＢ．     

一种使用一维电磁带隙结构的高性能Ka频段四次谐波混频器

介绍了一种全集成微带四次谐波混频器,该混频器采用了一种新型电磁带隙结构,可获得很低的变频损耗指标.阐述了一般的谐波混频理论,并用谐波平衡软件对整个电路进行优化仿真.实测得到射频在34~36GHz的频带内,固定中频为100MHz,该混频器最小变频损耗7.67dB,最大变频损耗<10dB.     

GaAs MMIC MESFET混频器性能比较

给出了几种 Ga As MESFET单片混频器结构与芯片测试结果比较。实验表明 ,在相同本振功率激励下 Ga As MMIC双栅混频器具有良好变频特性 ,栅混频器指标次之 ,漏混频器结构最简单 ,但变频特性不如前两种。另外 ,单片巴仑双平衡混频器具有高的动态范围和宽频段工作特点。     

一种小体积X波段频率合成器设计

介绍了一种小体积频率合成器的设计，该频率合成器通过直接数字频率合成器（DDS）产生线性调频信号，通过锁相环产生固定二本振信号，通过锁相环（PLL）与2 倍频器产生一本振信号，通过变频部分完成二次混频产生射频激励信号。同时采用现场可编程门阵列（FPGA）完成DDS 控制以及与系统通讯，电源控制部分产生各种电源。     

高线性度上变频混频器设计

首先介绍了二次变频接收机的架构及其优点,随后采用Gilbert单元设计了适用于二次变频结构数字电视调谐器的上变频混频器。基于Chartered 0.25／μmCMOS工艺的仿真结果显示该混频器达到了良好的性能;转换增益为3dB,在50～860MHz的频率范围内增益变化小于0．5dB,IIP3为10dBm,在3．3V单电源下消耗20mA的电流。对实际样片的测试表明电路的混频功能良好。     

V槽结型场效应晶体管在模拟集成电路中的应用

结型场效应晶体管(简称J-FET)具有低噪声、高输入阻抗以及高截止频率、高输出阻抗的特点。把它做进模拟集成电路里,用于输入级、动态负载和恒流源,可以提高电路的性能。但是,在模拟集成电路里,外延层厚度、扩散深度被双极型晶体管要求所固定。因此,采用一般平面J-FET存在以下二方面的限制: 第一,对J-FET参数的控制,在工艺上比较困难。第二,通常只能把P沟J-FET做进双极型集成电路里,要制造内含N沟低阈值电压的J-FET则是十分困难的。为此,采用了这种新的J-FET结构。它与一般平面的J-FET结构主要不同处是具有V形槽沟道区。顶控制栅沿着V形槽边壁。由于沟道区非     

W波段印刷电路宽频带平衡混频器

本文介绍用廉价的Ku波段混频二极管研制W波段印刷电路平衡混频器的计算机辅助设计技术和实验结果。整个电路集成在一块软基片上,基片装在E面剖开的波导盒内,结构简单,生产性好。在80至100CHz频带内,混频器变频损耗小于12分贝。     

正交混频相位式激光测距方法与系统实现

针对传统的二次混频式激光测距仪鉴相精度不高,难于消除系统误差等问题,提出了正交混频相位激光测距法,利用成熟的正交调制技术进行激光光强的幅度调制,提高了基于二次混频原理的激光测距仪的鉴相精度,并且通过改变低频信号相位来获得两个相对很小的频差,易于消除系统附加相移,大大简化了二次混频式激光测距仪的硬件设计。详细阐述了基于正交混频相位测距方法的激光测距原型机设计要点。系统原型机设计方案采用了集成度很高的正交调制芯片完成,结构紧凑没有冗余元件。原型机实验精度达到±1.52mm,在62.5MHz频点下测相精度达到0.042°,并且可以很方便地通过加入多频调制的方法大大提高测量距离,是采用二次混频法进行相位激光测距的优秀解决方案。     

宽带Ka频段下变频器的设计与实现

介绍了一种宽带Ka频段下变频器的设计与实现。变频器链路采用低本振的二次变频方式,无频谱倒置,通过合理的频率配置和电平分配,减小了混频非线性导致的组合频率干扰,降低了输出杂散。变频器本振源应用双环频率合成技术实现了宽带、低噪声输出,设计结果得到了测试验证。变频器结构设计采用了模块化技术,便于调试、故障定位和维修,可广泛适用于Ka频段卫星通信地面站。     

硅UHF混频二极管的设计与研制

硅UHF混频二极管用于全频道电视机.本文分析了UHF混频二极管的势垒高度、变频损耗和抗烧毁能量等主要参数,概述了制造技术.最后,给出研究和使用结果,并与日本同类产品作了比较.     

用于相干光通信的平衡探测器的设计与实现

针对国内长距离相干光通信接收系统采用单管探测器接收微弱信号噪声大、信噪比低等缺点,设计了一种应用于相干光通信系统的平衡探测器,运用两个PIN管分别加跨阻放大器(TIA),经过两个180°混频魔T进行耦合相减,消除了大部分的激光器相对强度噪声(RIN)。搭建了测试平衡探测器的相干光通信系统,使本振光和信号光进行光混频,输出眼图显示通信状态良好。通过对比双管和单管的频谱图,进一步说明相干光通信系统的噪声通过这种平衡探测器得到了降低,系统的信噪比提高了大约10 dB,从而证明了该平衡探测器运用于相干光通信系统的可行性和优越性。     

基于石英基片的二毫米波段二次谐波混频器设计和研制

介绍了一种基于石英基片的2mm波段二次谐波混频器.阐述了谐波混频器的基本原理,建立了混频二极管对结构的高频模型,并用全波分析软件对整个电路进行了仿真优化.实测得到射频信号在116～120GHz范围内,当本振频率为59GHz、功率为7～14dBm时,最低变频损耗为17dB,最高变频损耗为20dB.混频器的P1dB为1dB...     

一种二次混频预失真线性化技术

在射频功率放大器设计时,通常采用预失真技术来改善宽带信号的线性度。在普通的预失真技术基础上,提出了一种二次混频预失真线性化器,其非线性失真信号通过二次混频产生,并给出了该电路的应用方式,从理论上对其特性进行了分析,计算机仿真结果表明:使用这种预失真技术能有效抑制三阶交调。通过双音测试,IMD3改善了39 dBc。     

1.9 GHz高线性度上混频器设计

介绍了采用0.35μm CMOS工艺实现的单边带上变频混频电路。该混频电路可用于低中频直接混频的PCS1900(1 850~1 910 MHz)发射器系统中。电路采用了multi-tanh线性化技术,可以得到较高的线性度。在单电源+3.3 V下,上混频器电流约为6 mA。从上混频电路输出级测得IIP3约8 dBm,IP1dB压缩点约为0 dBm。