用于工业的具有高频开关性能的1200V IGBT模块

带有平面门极和场止结构的新型IGBT器件已应用到最新研发的1200V模块上。与沟槽门极IGBT模块降低大约20%的功率损耗。     

1200V和1700V新型IGBT模块沟槽及电场截止型IGBT低注入续流二极管

介绍了最近开发的1200V和1700VIGBT模块的特性。该模块由沟槽栅极和电场截止结构的新型IGBT器件组装而成。由于采用了先进的封装技术，这种新型IGBT模块导致了更高的功率集成。进而，总功率损耗比常规IGBT模块的约减少了25％。     

两款新型1200V IGBT模块

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出两种新型1200V IGBT模块FMG2G50US120和FMG2G75USl20，电流额定值分别为50A和75A，具有优化的导通损耗(VCE(sat))与关断损耗(Eoff），提供非常低的总体功率损耗，适用范围涵盖焊接设备、不间断电源(UPS)，以及工作频率在10kHz-30kHz的普通逆变器。飞兆半导体的新型1200VIGBT功率模块还具有极低的VCE(sat）温度变化偏差。额定值为75A的     

Vishay推出用于通信电源的170V TMBS@整流器

VishayIntertechnology，Inc．宣布，推出9款采用功率TO—220AB、TO-263AB和TO-3PW封装的170V器件，丰富和扩大了TMBS TrenchMOS势垒肖特基整流器系列。这些器件定位于通信电源应用，电流等级从10～80A，在30A下的典型正向压降为0．65V。     

第六代1200V槽栅FS-IGBT模块

本文介绍了第六代IGBT模块技术。新模块设计的关键词是“低噪声辐射”、“高性能”和“紧凑性”。低热阻的封装技术与最近发展起来的第六代V—IGBT的结合使技术上的突破得以实现。尺寸为122mm×62mm EP3封装豹PIM（功率集成模块）功率额定值已被提高到12（X）V-150A，对于17mm厚的新型二合一模块，功率额定值则达到1200V-600A。     

第六代1200V槽栅FS-IGBT模块

本文介绍了第六代IGBT模块技术。新模块设计的关键词是低噪声辐射、高性能和紧凑性。低热阻的封装技术与最近发展起来的第六代V-IGBT的结合使技术上的突破得以实现。尺寸为122mm×62mm EP3封装的PIM(功率集成模块)功率额定值已被提高到1200V-150A,对于17mm厚的新型二合一模块,功率额定值则达到1200V-600A。     

Vishay Siliconix推出新型TrenchFET功率MOSFET

日前,Vishay Intertechnology．Inc推出新型20V和30VP通道TrenchFET功率MOSFET Si7633DP和Si7135DP。新器件采用SO-8封装,具有±20V栅源极电压以及业内最低的导通电阻。     

IR推出联合封装二极管的增强型高频IGBT

功率半导体领导厂商国际整流器公司(IR)宣布推出IRGP50860PD，这是一款600VNPT型IDBT，其中联合封装有一个工作频率高达150kHz、电流25A的HEXFRED二级管。这一新品的推出，成功扩展了高频IGBT／HEXFRED二极管联合封装器件群的WARP2产品系列。     

Vishay推出新款8V P沟道TrenchFET功率MoSFET-——SiA427DJ

日前,Vishay Intertechnology,Inc．宣布,推出新款8VP沟道TrenchFET功率MOSFET—SiA427DJ。该新器件采用2mm×2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装,具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。     

Vishay推出新尺寸器件。扩充IHLP电感器系列

日前，Vishay Intertechnology，Inc．宣布，推出新款采用3232外形尺寸的IHLP？小尺寸、高电流的电感器——IHIP-3232CZ-11。IHLP-3232CZ-11尺寸小巧，具有8．26×8．79mm的占位面积和3．0mm的超低高度，     

Vishay推出新型VEMT系列硅NPN光电晶体管

Vishay Intertechnology．Inc．推出的新系列VEMT宽角光电晶体管采用可与无铅（Pb）焊接兼容的PLCC-2表面贴装封装。VEMT系列中的器件可作为Vishay当前的TEMT系列光电晶体管的针脚对针脚及功能等同的器件,从而可实现快速轻松的替代。以满足绿色环保对无铅（Pb）焊接要求。     

Vishay推出用于无线充电的新款接收线圈

新器件采用铁粉并符合WPC标准，具有高磁导屏蔽和大于70％的效率。宾夕法尼亚、MALVERNVishayIntertechnology．Inc．宣布，推出新款采用铁粉材料，符合WPC（无线充电联盟）标准的接收线圈—IWAS-3827EC-50，可用于5V便携式电子产品的无线充电。该款器件的结构经久耐用，具有高磁导屏蔽，使10W接收应用的效率超过70％，尺寸为38x27mm。比标准的48~32mmIWAS--4832FF一50接收线圈小33％。     

1200V IGBT4-适用于大电流模块、具有优化特性的新一代技术

本文首次介绍了英飞凌的新一代IGBT——新型1200V IGBT4。IGBT4是一个产品系列,具有经过优化的垂直结构,分别对应于低电压、中等电压和高电压的应用,并且对不同功率级别的典型开关频率进行了优化。本文将重点讨论针对大电流模块进行的优化,解释最重要的设计目标。最后,利用测试数据对模块实现进行了讨论。     

IGBT芯片和IGBT模块封装技术全面蓬勃发展

正目前我国IGBT产业在国家政策及重大项目的推动及市场牵引下得到了迅速发展,呈现出大尺寸区溶(FZ)单晶材料、IGBT芯片工艺和IGBT模块封装技术全面蓬勃发展的大好局面。     

飞兆半导体推出1200V Field Stop Trench IGBT系列器件

1200V IGBT能够降低微波炉、电磁电饭煲和其它电磁炉的系统工作温度飞兆半导体(Fairchild Semiconductor)推出全新1200V Field Stop Trench IGBT系列器件FGA20N120FTD和FGA15N120FTD,为电磁感应加热应用的系统设计人员提供了高     

Vishay推出新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET

日前,Vishay推出新型20V p通道TrenchFET功率MOSFET-Vishay Siliconix Si8445DB,该器件采用MICRO FOOT芯片级封装,具有业界最小占位面积以及1.2V时业界最低的导通电阻。     

安森美半导体推出新IP模块

安森美半导体日前宣布推出专有ONC18180nm工艺技术上的经过认证的新的知识产权（IP）。这些新的经过认证的电路模块将帮助安森美半导体的晶圆代工厂（GDS2）接口客户把需要硅片重制（re—spin）的风险降至最低,因而帮助降低新设计的开发成本及缩短上市周期。（来自安森美半导体）     

Vishay Siliconix推出最低导通电阻的新型20V P通道TrenchFET第三代功率MOSFET

Vishay Intertechnology,Inc．发布采用其新型P通道TrenchFET第三代技术的首款器件——Si7137DP,该20VP通道MOSFET采用SO-8封装．具备业内最低的导通电阻。