Cu,In双掺杂量子点的光学性质研究

以环己烷为溶剂,通过溶剂热合成方法,在Cu:CdS体系中引入In3+实现双掺杂,合成了发光颜色可调、稳定性好的Cu,In:CdS双掺杂量子点。通过调节硫醇的用量与反应时间,Cu,In:CdS量子点的光学性质得到了优化。在Cu,In:CdS双掺杂量子点外层包覆ZnS壳层,消除表面缺陷,可以有效提高量子产率,随着ZnSt2包覆量的改变量子点发光波长在500~600nm可调,表明部分Zn进入基质晶核形成了ZnCdS合金。     

包覆ZnS对ZnS:Mn发光性质的影响

采用溶剂热法制得ZnS∶Mn,并采用Larmer法,在ZnS∶Mn表面包覆不同量,不同层数的ZnS。利用X-射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),荧光光谱(PL)对ZnS∶Mn/ZnS复合材料的结构,形貌及发光性能进行了表征。结果表明,包覆对ZnS∶Mn结构没有影响,但随着包覆比和包覆层数的增加,XRD衍射峰逐渐向左偏移。包覆量和包覆层数对ZnS∶Mn/ZnS复合材料的发光性能有很大的影响,呈现出先增大,后降低的趋势。文中对所制备材料的结构、形貌及发光性能进行了讨论。     

修饰量子点使其发射白光

<正>研究人员利用两种不同的有机分子修饰硫化锌(Zn S)量子点,使其发射出纯白色的光。这些颗粒提供了一种使量子点发射白光的新方法,并且能够作为目前市场上所用量子点的无毒替代物。量子点是能够发光的半导体纳米晶体,其波长范围较短。电子产品制造商想要使用量子点材料     

聚酰胺-胺树形分子的合成及其包覆的CdSe@CdS核壳结构量子点的性能研究

以乙二胺和丙烯酸甲酯为原料,采用扩散法合成了不同端基类型不同代数的聚酰胺-胺(PAMAM)树形高分子,并用红外光谱进行表征;以G5.0-NH2 PAMAM树形高分子为模板,以二甲基亚砜为溶剂,在常温下制备了稳定的PAMAM树形高分子包覆的CdSe@CdS核壳结构量子点,并用紫外-可见吸收光谱和荧光发射光谱进行表征。结果表明,适当厚度CdS的包覆修饰可以有效提高CdSe量子点的发光性能;与单一组分的CdSe量子点相比,CdSe@CdS核壳结构量子点的相对荧光强度最大提高约123 %。     

有机相微波合成AgInS2量子点及其白光发光二极管应用研究

AgInS₂量子点(AIS QDs)由于具有绿色环保、发射波长可调、荧光寿命长、斯托克斯位移大等优势,在光电和生物医药领域具有广阔的应用前景。采用微波辅助加热法在十八烯溶剂中制备了AIS QDs。通过X射线衍射、透射电子显微镜、光致发光光谱系统研究了反应时间对AIS QDs的物相、形貌及荧光性能的影响,采用傅里叶红外光谱和X射线光电子能谱表征了量子点表面结合的情况。实验结果表明：当微波功率为800 W、反应时间为5~25 min时均可以制备出AIS QDs。随着反应时间的延长,AIS QDs的粒径由3 nm增加至4 nm,发光峰位在592.0~619.6 nm范围内调谐;同时AIS QDs的荧光强度逐渐提高,并在15 min达到峰值,量子产率(PLQY)达到16.16%。进一步采用ZnS作为包覆壳层有效钝化量子点表面缺陷、提高荧光性能,制备出的AIS@ZnS QDs的PLQY增加至31.21%。将AIS@ZnS QDs和商用荧光粉共同作为发光层制备成白光发光二极管(WLED)器件,在20 mA电流驱动下发光效率(LE)为74.90 lm/W,显色指数(CRI)和色温(CCT)分别为83.31和3823 K,表明制备的量子点在固态照明领域具有潜在的应用前景。     

CdSe@ZnS胶体量子点的合成及其在发光二极管中的应用

以氧化镉、硒粉和二乙基二硫代氨基甲酸锌为原料,采用微流体法合成了稳定的CdSe@ZnS核-壳结构胶体量子点,利用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微电镜(TEM)、荧光光谱仪(PL)和紫外-可见吸收光谱(UV-vis)对量子点的结晶性能、微观形貌和发光性能进行了表征。将CdSe@ZnS核-壳结构量子点作为量子点发光二极管(QLED)的发光层材料,成功组装出ITO/PEDOT:PSS/Poly-TPD/Cd Se@ZnS/PCBM/Li F:Al三明治结构的量子点发光二极管,在2 V电压下成功点亮,器件发出黄色光,亮度达到4500 Cd/cm~2。     

硅壳包裹核/壳型CdSe/CdS纳米晶的制备与性能研究

采用低温水热技术,分别以柠檬酸、聚乙二醇(PEG400)和甲硫氨酸为稳定剂,在水相中合成了核壳型CdSe/CdS量子点,研究了稳定剂、CdSe与CdS物质的量比对量子点发光性能和结构的影响。XRD结果表明,当CdSe∶CdS在1∶3~4时,CdS主要在CdSe的外延生长,形成核壳型纳米粒子,当比例达到1∶5时,CdS单独成晶现象严重。CdSe∶CdS=1∶4时,核壳型量子点具有较高的荧光发射效率。TEM研究表明CdS在CdSe外表面生长形成较为完整的壳层,有效钝化CdSe表面,减少表面缺陷,从而显著提高CdSe量子点的发光效率。CdSe核尺寸为2~3nm的核壳型纳米粒子外包裹一层SiO2壳后,荧光发射效率没有显著提高,发射峰位置无明显红移。量子点包壳后能有效提高该量子点的光化学稳定性,提高量子点的生物相容性。     

CdSe量子点掺杂硼硅酸盐玻璃的光学性能

将CdO和ZnSe作为量子点引入前驱体,采用高温熔融冷却–热处理法,制备了CdSe量子点掺杂硼硅酸盐玻璃。透射电子显微镜测试表明,CdSe量子点呈六方晶结构。荧光光谱测试表明,CdSe量子点在可见波段存在本征发光和缺陷发光。随热处理温度增高,可以降低缺陷发光,提高量子点本征发光。研究了玻璃网络结构对CdSe量子点析晶影响。结果表明,随着B2O_3含量增大,玻璃中二维(2D)网络结构增多,Cd~(2+)和Se2–移动能力增强,有利于量子点析出和表面缺陷钝化。CdSe量子点波长可调谐发光的特性,使得其有望作为在可见光波段的光增益介质。     

Mn掺杂ZnS量子点的合成及其水溶性修饰

利用苯乙烯-甲基丙烯酸共聚物对疏水性的Mn掺杂的ZnS量子点(ZnS:Mn QDs)进行包覆,得到了发光效率更好的水溶性量子点复合物(QDs-NIP)。用紫外分光光度计(UV-vis),荧光分光光度计(PL)和红外分光光度计(FTIR)对其进行结构及光学的表征。结果发现,红外光谱图证明我们成功合成了量子点、共聚物的复合纳米粒子,且其水溶后的复合纳米粒子仍能拥有高的发光效率;我们得到的高发光效率,水溶性好的ZnS:Mn QDs为后续的细胞成像,生物传感,细胞标记等打下了好的基础。     

塑料发光材料的研究

通过对长余辉蓄能发光粉(以下简称发光粉)的包覆处理,改善了塑料发光材料的发光效果。采用硬脂酸、二甲基硅油、硅烷偶联剂及SiO2溶胶分别包覆发光粉,发现对发光粉进行包覆处理后,塑料材料的发光效果均比未包覆的好;经二甲基硅油包覆发光粉制成的塑料发光材料的相对发光强度最高;以硬脂酸包覆的方法未能如其他包覆方法那样有效地阻断机器加工对发光粉发光性能的削弱。     

硫脲法制备硫化锌及其应用

<正> 以硫化锌为基质的发光材料是目前最广泛使用的一种发光材料,在阴极射线发光、光致发光、电致发光和X射线发光等领域中,都占有非常重要的位置。作为发光材料基质的硫化锌,在工业上都采用硫化氢法进行大量生产。但这种方法存在以下缺点:工艺复杂,有大量毒气产生;所生成的硫化锌晶体结构不致密,易吸附杂质。气液相间的反应受各种因素影响,气体流量、流速和压力、溶液浓度和pH值以及反应温度的控制都会影响硫化锌的特性,从而对硫化锌发光材料的性能带来影响。采用以硫脲为沉淀剂的均匀沉淀法(下面简称硫脲法)制备硫化锌可克服上述特点,这种方法得到的硫化锌颗粒大,粒度分布均匀,结晶性好,可作成性能更优良的发光材料。另外,利用硫脲法在绿色发光材料粒子的表面上均匀地包复一层硫化锌膜,可以获得一种新的发光材料——电压敏感性多色发光材料。     

BaMgAl10O17:Eu2+蓝色荧光粉表面包覆MgF2的性能

采用机械研磨包覆法对BaMgAl10O17:Eu2 (BAM)粉体进行表面包膜处理,获得了表面均匀包覆MgF2膜层的BAM荧光粉。并用SEM、XRD和IR手段对其表面形貌、晶格结构性能进行了表征;用EDS对BAM粉体的表面元素进行了定性分析;用荧光光谱测试对荧光粉的发光性能进行了研究。结果表明,在BAM粉体表面均匀包覆MgF2层后,BAM的晶格结构、发光性能没有改变,初始亮度较未包覆的荧光粉有所降低,经过相同条件的热处理后,包覆MgF2荧光粉的亮度热衰减程度明显低于未包覆的荧光粉,且没有发生明显的色坐标偏移现象。     

荧光碳点的绿色合成及发光影响因素

本实验以抗坏血酸为前驱体,一锅煮、绿色合成了荧光碳量子点,并考察了合成时间、合成温度对碳量子点发光效率的影响以及碳量子点对不同pH缓冲溶液和常见离子的耐受性。结果表明90℃时加热5 h时该碳量子点的荧光强度最强,不同的pH缓冲溶液对碳量子点的荧光猝灭作用较强,Pb2+、Cr~(3+)、Hg2+、NO2-离子对碳量子点的发光影响不大。     

硫化锌掺锰量子点磷光探针法快速检测牛奶中的三聚氰胺

基于三聚氰胺(MA)对谷胱甘肽(还原型)包覆的硫化锌掺锰量子点磷光的猝灭作用,建立了快速测定牛奶中MA的磷光探针法。实验结果表明,在中性溶液中,MA浓度在8.0~70.0 nmol/L范围内,磷光量子点强度的猝灭值(ΔPL)与MA的浓度呈线性关系,线性方程为ΔPL=1.59cMA+15.17,相关系数(r)为0.996 5,方法检出限4.0nmol/L。将本方法用于牛奶加标样品中MA的分析,RSD为3.26%,MA的平均回收率为90.05%~98.08%。     

水热法合成仙人掌荧光碳量子点的研究

以仙人掌为碳源,通过水热法合成了荧光碳量子点,并通过荧光光谱对样品的光学性能进行了表征,同时考察了仙人掌用量、水热反应时间和温度对合成荧光碳量子点的影响。结果显示:以仙人掌为碳源合成的荧光碳量子点在水溶剂30 m L条件下,仙人掌质量为0.5 g时得到的荧光碳量子点发光效率最高;同时,水热反应时间为3 h,反应温度为160℃时得到的荧光碳量子点发光强度最高。荧光碳量子点在紫外灯照射下发出明亮的绿光。     

全无机铯铅卤钙钛矿量子点的研究进展

全无机铯铅卤钙钛矿〔CsPbX3(X=Cl、Br、I)〕量子点稳定性高、色纯度好、量子产率高,受到人们广泛关注.然而,CsPbX3量子点中组分铅的毒性限制了CsPbX3量子点的进一步应用,同时,如何进一步提升其性能和稳定性也备受关注.首先,对CsPbX3量子点进行了简介;接着,对离子掺杂CsPbX3量子点、表面包覆CsPbX3量子点、表面钝化CsPbX3量子点的研究进展进行了综述;离子掺杂、不同材料表面包覆、表面钝化提高了CsPbX3钙钛矿量子点的稳定性.最后,对CsPbX3量子点未来的发展方向进行了展望.     

Y_2O_3：Eu~（3＋）@Gd_2O_3核壳结构发光材料的制备与浓度猝灭

采用均相沉淀法制备均匀球形的Y2O3：Eu3＋@Gd2O3核壳结构纳米发光材料,用X射线衍射、红外光谱、扫描电镜、X射线光电子能谱及荧光光谱等表征样品的形貌、结构及发光性能。结果表明：Y2O3：Eu3＋表面成功包覆了Gd2O3,包覆后仍为均匀的球形,包覆层厚度约为5nm;包覆前后样品的猝灭浓度均为7%（摩尔分数）,包覆...     

高空气及热稳定性CsPbBr_3@SiO_2复合量子点的制备

三溴铅酸铯量子点(CsPbBr_3 QDs)由于具有高的荧光量子产率与窄的半高峰宽,其荧光波长可以覆盖整个可见光区。然而,目前大多数有机无机卤素钙钛矿量子点的水氧及热稳定性较差,通过改进的St■ber法直接在预先合成的13 nm CsPbBr_3 QDs表面包覆了一层无定型SiO_2层,成功制备了SiO_2包覆的CsPbBr_3 QDs(CsPbBr_3@SiO_2)。SiO_2包膜后形成了颗粒较大的聚集体,量子点在颗粒内被保护且均匀分散,其形状类似火龙果且量子产率高达80. 9%。CsPbBr_3@SiO_2在升温至80℃后还能保持90. 7%的PL强度,在紫外灯下持续照射120 h后,保持了95. 1%的PL强度。CsPbBr_3@SiO_2复合量子点在水和乙醇气氛下均稳定,有利于制造白光发光二极管器件。     

光转换薄膜用碳量子点的合成及其发光性能

开展了光转换薄膜用碳量子点的合成及其发光性能研究,着重探讨了氮(N)源种类对碳量子点发光性能的影响。结果表明,以尿素为N源时,合成出发射峰值位于440～530 nm范围的具有不同颜色特征的碳量子点。而以二乙烯三胺为N源时,合成出发射峰值位于450～460 nm的蓝光N掺杂碳量子点;随着激发波长的增大,碳量子点的发射光谱产生红移。采用不同N源时所合成碳量子点的发光特性差异,主要源于碳量子点晶粒尺寸的不同和表面官能团的化学修饰作用,后者填补了碳量子点的表面缺陷、或使碳量子点的带隙产生了差异,进而导致了不同的发光特性。     

碱土铝酸盐蓄光型发光材料的后处理研究

采用胶体包覆和表面成膜包覆相结合的方法,对碱土铝酸盐蓄光型发光材料进行包覆后处理研究。分析了包覆后处理对材料表面结构变化、发光性能及应用性能的影响。研究表明:经过包覆后处理的发光材料在水中浸泡时,发光材料对水能保持稳定,水相的pH值和电导率保持基本稳定;而未经包覆后处理的发光材料在水中分解,其水相的pH值和电导率上升很快。经过包覆处理的SrAl_2O_4:Eu,Re(Re为稀土元素)(PLO)在水中浸泡720 h后能保持80％的初始亮度,未经处理的发光材料则失去发光性能。包覆后处理能在发光材料表面形成了一层连续的比较致密的保护层,有效地减少外界对发光材料的影响,而且可以修复发光材料颗粒原有的裂纹等缺陷。包覆处理后能有效提高发光材料的应用性能,如耐水性、分散性及耐高温性能,更能适应不同的应用领域。