小面积低功耗RFID射频前端电路设计

提出了一个适用于EPC Gen2协议的小面积低功耗RFID射频前端电路的设计方案.射频前端电路包括整流器、ASK解调器、ASK和BPSK调制器和传感器模块,射频的工作频率为860～960 MHz.基于具有不挥发存储器和肖特基二极管选项的0.35μm CMOS工艺,设计了RFID射频前端电路.采用开关电容电路技术实现了小面积低功耗RFID射频前端电路.     

小面积低功耗RFID射频前端电路设计

提出了一个适用于EPC Gen2协议的小面积低功耗RFID射频前端电路的设计方案. 射频前端电路包括整流器、ASK解调器、ASK和BPSK调制器和传感器模块，射频的工作频率为860～960MHz. 基于具有不挥发存储器和肖特基二极管选项的0.35μm CMOS工艺，设计了RFID射频前端电路. 采用开关电容电路技术实现了小面积低功耗RFID射频前端电路.     

低压低功耗无源UHF RFID标签芯片模拟前端电路的设计

本文从设计符合EPCTM C1G2协议的超高频无源射频识别标签芯片的角度出发,对RFID标签芯片模拟前端电路进行设计.通过对各个关键电路的功耗与电源进行优化,实现了一个符合协议要求的低电压、低功耗的超高频无源RFID标签芯片的模拟前端.该UHF RFID标签模拟前端设计采用SMIC 0.18 μm EEPROM CMOS工艺库.仿真结果表明,标签芯片模拟前端的整体功耗控制在2.5 μW以下,工作电源可低至1 V,更好地满足了超高频无源射频识别标签芯片应用需求.     

物联网中UHF频段RFID读写器设计

基于物联网中数据采集的需要,设计了一个UHF频段便携式RFID读写器。介绍了读写器的工作原理,重点阐述了射频前端电路的设计。用专用芯片AS3992及其外围电路完戍射频信号的收发,用STM32系列单片机完成基带信号处理和控制。还简单介绍了系统的软件工作流程以及低功耗设计的细节。测试结果表明：该读写器支持ISO／IEC18000—6B／6C协议,具备小型化、远距离、低功耗、易扩展等特点,能满足智能物联网的实际需要。     

低频低功耗无源RFID模拟前端设计与分析

介绍了一款低频低功耗无源射频识别(RFID)技术芯片模拟前端的设计.详细介绍了低频RFID模拟前端的整体结构和主要模块.通过对低功耗带隙基准的设计,产生合适的偏置电压,为其他模块提供偏置,以此来限制其他模块的功耗,达到降低整个模拟前端功耗的目的.通过对高性能解调电路的设计,提高解调精度,保证通信过程准确.芯片采用0.35 μm标准CMOS工艺设计和制作,实际测试结果显示,在要求的最远通信距离时,芯片依然可以正常工作,表明该设计满足实际要求.     

低功耗UHF频段RFID标签数字基带电路

通过对UHF频段EPC Global Class1 Generate2协议进行分析,详细论述了符合协议要求的被动式无源射频身份识别(RFID)标签的数字电路系统方案,并提出了一种新颖的、针对RFID标签的数字基带低功耗电路。在0.18 μm CMOS工艺环境下,使用Synopsys工具对电路进行前端综合和后端物理实现,同时对电路的功耗进行了简要的分析。仿真及测试结果表明,该标签数字基带电路功能符合协议要求。     

低功耗RFID射频接口电路的设计

介绍了RFID Tag结构,阐述了基于ISO/IEC 15693协议RFID无源芯片射频接口设计的关键技术,提出了电源产生电路、调制解调电路和时钟产生电路设计的优化方法.仿真验证结果表明设计的射频接口电路具有低功耗、高性能、高可靠性等特点,满足设计要求.     

低功耗射频触发唤醒电路设计

为解决目前有源RFID标签的能耗问题,提出了基于射频触发唤醒技术(Radio wake-up)的低功耗解决方案。在传统有源RFID标签的基础上增加射频唤醒电路,阅读器首先发送一个唤醒信号,将附近的标签从休眠状态唤醒,然后进行数据通信。这使得有源标签大部分时间均处于低功耗的休眠状态,该方式可大幅减少射频通信模块的功耗,延长有源标签的寿命。仿真结果表明,该电路在-45.2 dBm输入功率下可唤醒标签,唤醒距离为30 m,且唤醒电路的功耗仅为4.11 μW(3 V,1.37 μA),能够满足大部分应用需求。     

一种适用于无源超高频射频识别标签的低电压低功耗射频/模拟前端电路

提出了一种适用于无源超高频射频识别标签的低电压低功耗射频/模拟前端电路.通过引入一个使用亚阈值技术的基准源,电路实现了温度补偿,从而使得系统时钟在～40～100℃的范围内保持稳定.在模块设计中,提出了一些新的电路结构来降低系统功耗,其中包括一种零静态功耗的上电复位电路和一种新的稳压电路.该射频/模拟前端电路采用不带肖特基二极管0.18μm CMOS EEP-ROM工艺流片实现,它与数字基带、EEPROM一起实现了一个完整的标签芯片.测试结果表明,该芯片的最低电源电压要求为0.75V.在该最低电压下,射频/模拟前端电路的总电流为4.6μA.     

一种适用于无源超高频射频识别标签的低电压低功耗射频/模拟前端电路

提出了一种适用于无源超高频射频识别标签的低电压低功耗射频/模拟前端电路.通过引入一个使用亚阈值技术的基准源,电路实现了温度补偿,从而使得系统时钟在～40～100℃的范围内保持稳定.在模块设计中,提出了一些新的电路结构来降低系统功耗,其中包括一种零静态功耗的上电复位电路和一种新的稳压电路.该射频/模拟前端电路采用不带肖特基二极管0.18μm CMOS EEP-ROM工艺流片实现,它与数字基带、EEPROM一起实现了一个完整的标签芯片.测试结果表明,该芯片的最低电源电压要求为0.75V.在该最低电压下,射频/模拟前端电路的总电流为4.6μA.