氮化铝共烧多层基板平整性的研究

对影响AIN共烧多层基板平整性的几个因素进行了研究。取得了一定的成果。     

依靠科技架长虹——阳极氧化多层布线基板工艺研究走红

在微电子领域中,以布线密度高、互连线短、体积小、重量轻及性能优良等特点为人们所关注的MCM组件,仍是21世纪电子技术发展的重点之一。而多层布线基板又是MCM的一个非常关键的组成部分。随着这些年不断地开发和研制,有机叠层基板、共烧陶瓷多层基板、淀积薄膜多层基板已发展得较成熟,混合多层基板和新出现的阳极氧化多层基板还在研制过程中。     

依靠科技架长虹——阳极氧化多层布线基板工艺研究走红

在微电子领域中,以布线密度高、互连线短、体积小、重量轻及性能优良等特点为人们所关注的MCM组件,仍是21世纪电子技术发展的重点之一。而多层布线基板又是MCM的一个非常关键的组成部分。随着这些年不断地开发和研制,有机叠层基板、共烧陶瓷多层基板、淀积薄膜多层基板已发展得较成熟,混合多层基板和新出现的阳极氧化多层基板还在研制过程中。     

通过控制LTCC多层基板收缩率消除通孔与导带间的开路失效

LTCC基板的失效分析表明，通孔与导带间开路是多层基板布线互连失效的主要模式，原因是基板在共烧工艺过程中，布线金属与陶瓷材料收缩失配产生的界面应力导致布线开路。调整布线金属和陶瓷材料的致密化温度和基板收缩率后，有效控制了两种不同材料的界面收缩失配，消除了开路失效。     

低温共烧多层陶瓷基板实用化技术研究

在第五代电子组装技术中,低温共烧陶瓷多层基板(LTCC)由于具有高密度布线、高信号传输速度、低损耗和高可靠性,在国内外受到极大重视。自八十年代以来,日、美很多公司做了大量研究工作,开发出这种高技术电路基板,并试制出多芯片组件(MCM),在先进的航天、航空电子设备和复杂的通信机、计算机中得到应用。目前,我国已基本形成一条低温共烧多层陶瓷基板研制线。本文根据电子部43所的研究成果和现有工艺装备,介绍低温共烧多层陶瓷基板的应用情况。     

埋置型薄膜多层布线技术研究

埋置型薄膜多层布线基板与其它多层布线基板相比有更高的集成度。本文讨论了埋置型薄膜多层布线基板制造工艺中的技术问题及解决措施。并成功地在埋置双层混合电路中进行了应用。     

氮化铝共烧基板表面焊盘的研究

本文研究了在AlN多层布线共烧基板中，采用Ni作为添加剂的表面焊盘浆料体系中SiO2含量对共烧基板烧结性能的影响。结果表明SiO2的质量分数在0．3％时，AlN多层布线共烧基板的焊接强度达到42MPa，基板的翘曲度小于50μm／50mm。     

AIN多层基板的研制

MCM技术推动了现代微电子技术迅猛发展，已广泛应用于各种通讯系统的收发组件之中。AIN基板作为MCM技术多层基板主流之一，由于其高热导率、与硅片匹配的热膨胀系数、高介电常数、兼容各种芯片组装工艺的优点，在各个领域均获得了广泛的应用。文章结合一个微波组件AIN基板的研制，阐述了在AIN基板研制过程中解决的工艺难点，如粉料配制、流延、层压、烧结等，对研制的AIN基板进行了物理性能与电性能测试，结果表明AIN基板完全可以满足大功率毫米波／微波组件的实用化要求。     

阳极氧化铝薄膜多层布线基板技术

本文介绍了一种制作多层布线基析的新技术－－选择性阳极氧化技术，用这种新技术，把非导体型区域的铝膜转变成隔离导带和通柱的绝缘氧化铝膜。在绝缘基板或者铝基光板上，形成多层布线结构。分析和阐述了这种多层布线基板的平面化结构特性、高导热特性、材料电特性及独特的封装形式，这种多层布线基板的平面化特性，使导体互连具有高密度和高可靠性优点，以铝基板为载体作为封装的一部分，充分体现了这种封装具有良好的电特性和热特     

沸合多层基板技术及其应用

混合多层基板是混合型多芯片组件的关键组成部分,而混合型多芯片组件是一种高级类型的多芯片组件,具有优良的性能／价格比。本文阐述了混合多层基板的类型和特点,并重点介绍共烧陶瓷－薄膜型混合多层基板的设计考虑和设计规范、关键工艺技术及其应用概况。     

共烧多层陶瓷基板制造技术

本文对共烧多层陶瓷基板制造技术作了较为全面的探讨，详细分析和研究了它的工艺物性和材料系统特性。在分析和研究过程中用大量的数据和实例说明共烧多层陶瓷基板技术在微组装领域具有强大的生命力。事实表明，共烧多层陶瓷基板制造技术在未来的微电子封装技术中将发挥重要作用。     

铝阳极氧化多层布线基板在混合集成电路中的应用研究

铝阳极氧化多层布线基板是一种新型的MCM用多层布线基板，具有优良的性能。本文介绍了这种基板的特点和制作工艺原理及制作方法，并重点介绍了它在实用化电路研制过程中的设计、关键工艺技术及电路的研制情况。     

MCM多层共烧陶瓷基板技术的研究进展

本文介绍了MCM中的高温共烧陶瓷与低温共烧陶瓷基板技术,以及共烧陶瓷基板技术的研究进展情况。讨论了多层共烧陶瓷基板的关键工艺,比较了HTCC和LTCC的工艺。并对多层共烧陶瓷基板的发展进行了展望。     

MCM用氮化铝共烧多层陶瓷基板的研究

通过实验优化AlN(氮化铝)瓷料配方及排胶工艺,对共烧W(钨)导体浆料性能及AlN多层基板的高温共烧工艺进行了研究,并对AlN多层基板的界面进行了扫描电镜分析。采用AlN流延生瓷片与W高温共烧的方法,成功地制备出了高热导率的AlN多层陶瓷基板,其热导率为190 W/(m·K),线膨胀系数为4.6106℃1(RT~400℃),布线层数9层,W导体方阻为9.8 m,翘曲度为0.01 mm/50 mm,完全满足高功率MCM的使用要求。     

AlN多层基板的研制

MCM技术推动了现代微电子技术迅猛发展,已广泛应用于各种通讯系统的收发组件之中。AIN基板作为MCM技术多层基板主流之一,由于其高热导率、与硅片匹配的热膨胀系数、高介电常数、兼容各种芯片组装工艺的优点,在各个领域均获得了广泛的应用。文章结合一个微波组件AIN基板的研制,阐述了在AIN基板研制过程中解决的工艺难点,如粉料配制、流延、层压、烧结等,对研制的AIN基板进行了物理性能与电性能测试,结果表明AIN基板完全可以满足大功率毫米波／微波组件的实用化要求。     

埋置型多层布线技术中的光刻工艺研究

埋置型薄膜多层布线与其它多层布线技术相比有更高的集成度。本文讨论了埋置型薄膜多层布线基板的制备在光刻工艺中的技术问题及解决措施。并成功地在埋置型双层混合电路中进行了应用。     

MCM-C多层基板技术及其发展应用(续二)

3三种MCM-C多层基板技术的对比 　　厚膜多层技术与共烧陶瓷技术的主要区别在于:厚膜多层布线需要一个基片作为支撑点,以及厚膜多层布线需要逐层依次制造.每一布线层需要印刷6次,其中包括独立印烧介质层3次(有时4次)、填充通孔2次及印刷导体1次. 　　……     

液晶聚合物多层基板特性及应用

介绍了液晶聚合物(LCP)多层基板的工艺实现方法,在LCP多层基板上制作了阻抗变换器、谐振器等微波无源器件,针对频率较高时传统威尔金森功分器遇到的布线困难和隔离电阻难以实现的2个问题,提出了2种改进的功分器结构并用LCP多层基板实现,测试结果说明了设计思路的正确性和LCP多层基板的可用性。     

LTCC基板上薄膜多层布线工艺技术

LTCC基板上薄膜多层布线工艺是MCM-C/D多芯片组件的关键技术。它可以充分利用LTCC布线层数多、可实现无源元件埋置于基板内层、薄膜细线条等优点,从而使芯片等元器件能够在基板上更加有效地实现高密度的组装互连。文章介绍了LTCC基板上薄膜多层布线工艺技术,通过对导带形成技术、通孔柱形成技术和聚酰亚胺介质膜技术的研究,解决了在LTCC基板上薄膜多层布线中介质膜"龟裂",通孔接触电阻大、断路,对导带的保护以及电镀前的基片处理等工艺难题。     

陶瓷多层布线基板的高密度封装

系统的高密度封装或在功能块化方面的进展,都使高性能的小型多层电路基板成为迫切需要的了。作为半导体器件直接装配的多层电路基板,由其性能特点陶瓷多层布线基板引起重视。关于陶瓷多层布线基板的制造方法,特长以及应用方法阐述如下: