用离子注入GaAs晶片实现闪光灯泵浦Nd∶YAG激光器中的被动调Q

对半绝缘GaAs晶片进行As 注入,注入能量为400keV,剂量为1016cm-2.用这种注入条件下的GaAs晶片作为吸收体和输出镜,在被动调Q闪光灯泵浦的Nd∶YAG激光器上获得了62ns的单脉冲宽度.这是迄今为止国内最好的报道结果.     

用离子注入GaAs晶片实现闪光灯泵浦Nd∶YAG激光器中的被动调Q

对半绝缘GaAs晶片进行As+注入,注入能量为400keV,剂量为1016cm-2.用这种注入条件下的GaAs晶片作为吸收体和输出镜,在被动调Q闪光灯泵浦的Nd∶YAG激光器上获得了62ns的单脉冲宽度.这是迄今为止国内最好的报道结果.     

黄昆X射线漫散射的实验研究

本文描述了黄昆X射线漫散射的实验方法及其所需的实验条件,并利用它研究了离子注入CaAs中点缺陷所引起的黄昆散射,在同一GaAs晶片上的不同部分分别注入Mo和Er,浓度均为1×10~(15)cm~(-2),注入电压为500keV,经850℃退火30分钟后分别在77K的条件下进行黄昆散射测量,实验观测到注入Er元素比Mo元素引起的黄昆散射要强,这一结果表明Er元素在GaAs中大多处于间隙状态,而Mo元素在GaAs中大多处于替换状态.     

纳米CeO2磨料对GaAs晶片的CMP性能研究

通过均相沉淀法制备了不同粒径的CeO2超细粉体,并配制成不同氧化剂浓度和pH值的抛光液对GaAs晶片进行化学机械抛光.研究了不同粒径CeO2磨料对GaAs晶片的抛光效果,并对GaAs晶片化学机械抛光材料去除机理进行了探讨.结果表明,使用超细CeO2磨料最终在1 μ m×1 μ m的范围内达到了微观表面粗糙度Ra值为0.740nm的超光滑表面,而且抛光后表面的微观起伏更趋于平缓.实验证明,超细CeO2磨料对GaAs晶片具有良好的抛光效果.     

基于硼酸溶液处理的GaAs/InP低温晶片键合技术

提出了一种基于硼酸溶液的GaAs/InP低温晶片键合技术,实现了GaAs/InP基材料间简单、无毒性的高质量、低温(290℃)晶片键合。GaAs/InP键合晶片解理截面的扫描电子显微镜(SEM)图显示,键合界面整齐,没有裂缝和气泡。通过键合过程,InP上的In0.53Ga0.47As/InP多量子阱结构转移到了GaAs基底上。X射线衍射及荧光谱显示,键合后的多量子阱晶体质量未变。二次离子质谱(SIMS)和Raman光谱图显示,GaAs/InP键合晶片的中间层厚度约为17 nm,界面处B元素有较高的浓度,键合晶片的中间层很薄,因此可以得到较好的电学、光学特性。     

GaAs/Si直接键合用GaAs表面化学活化技术

研究了GaAs/Si疏水性直接键合技术中GaAs表面化学活化关键工艺,对比分析了不同体积分数的HF和HCl溶液作为表面活性处理剂时对GaAs表面进行活化处理的结果。发现用HCl和H2O溶液处理GaAs晶片得到的表面均方根粗糙度要优于用HF处理得到的结果,并且将处理过的GaAs晶片与Si片进行直接键合,发现用HCl进行表面活化的GaAs晶片与Si片键合的成功率要高于用HF进行表面活化的GaAs和Si键合。在200,300和400℃条件下,采用HCl和H2O体积比为1∶10的溶液处理的GaAs晶片与Si片都成功键合,并且200℃条件下键合后的界面质量较好。     

基于亲水表面处理的GaAs/GaN晶片直接键合

对晶片进行亲水表面处理,在氮气保护下500℃热处理10min,成功实现GaAs与GaN晶片的直接键合,键合质量较好.扫描电子显微镜观测结果表明,键合界面没有空洞.光致发光谱观测结果表明,键合工艺对晶体内部结构的影响很小.可见光透射谱测试结果表明,键合界面具有良好的透光特性.GaAs与GaN晶片直接键合的成功,为实现GaAs和GaN材料的集成提供了实验依据.     

基于亲水表面处理的GaAs/GaN晶片直接键合

对晶片进行亲水表面处理,在氮气保护下500℃热处理10min,成功实现GaAs与GaN晶片的直接键合,键合质量较好.扫描电子显微镜观测结果表明,键合界面没有空洞.光致发光谱观测结果表明,键合工艺对晶体内部结构的影响很小.可见光透射谱测试结果表明,键合界面具有良好的透光特性.GaAs与GaN晶片直接键合的成功,为实现GaAs和GaN材料的集成提供了实验依据.     

退火对GaAs窗口晶体力学性能的影响

在LEC GaAs晶片中,存在相当大的弹性应变,在高温退火后,晶片的晶格参数的相对变化量不到原生晶片的70%,残余应力得以部分释放,从而减小残余应力诱生断裂的可能性,提高了GaAs晶体的断裂模数.原生GaAs晶体加工的样品的断裂模数平均值约为135MPa,而退火GaAs晶体加工的样品的断裂模数平均值更高,约为150MPa,断裂模数最高值达163MPa.     

GaAs/InP低温晶片键合的研究

将硫脲溶液用于GaAs/InP基材料低温晶片键合的表面处理工艺,实现了GaAs/InP基材料间简单、无毒性的低温(380 ℃)晶片键合.并通过界面形貌,解理后断裂面,键合强度及键合界面I-V特性对键合晶片进行了分析.     

热退火对GaAs半导体晶片均匀性的影响

主要讨论热退火(850℃退火2小时)对GaAs半导体晶片的位错密度和电阻率的影响,阐述了位错密度的分布与电阻率分布之间的关系。通过特殊的实验方法得到的结果证明:适当的退火处理将改善GaAs晶片中缺陷密度、电阻率的大小及分布,从而得到均匀性较好的GaAs材料。     

晶片键合在AlGaInP发光二极管中的应用

(AlxGa1-x)0.5In0.5P高亮度发光二极管是在GaAs衬底上匹配外延的，它的外量子效率受限于吸收光线的GaAs衬底。LED晶片键合技术可以把LED外延片和GaP透明衬底、金属镜面衬底或蓝宝石衬底结合以提高出光效率。本文对上述三种晶片键合的器件制备过程和器件特点进行了描述。     

用垂直布里奇曼法生长GaAs晶片

美国国际晶体专业公司已发展了一种GaAs晶片商品的晶体生长新工艺,称为垂直布里奇曼法或VB法。此法与现有的GaAs方法相比,据说能产生     

化合物半导体

Z99-51304-24 9914827MOCVD 法生长 AtGaAs 的组分控制研究[会]/公延宁//第六届全国固体薄膜学术会议论文集.—24～26(D)Z99-51304-155 9914828砷化镓抛光晶片表面吸附问题的分析[会]/郑红军//第六届全国固体薄膜学术会议论文集.—165～168(D)采用 ASS(俄歇电子能谱)测试方法,分析了经过不同方法后步清洗工艺处理的 GaAs 抛光晶片表面态,结果表明,抛光晶片表面吸附物主要是与晶片表面悬挂键相结合的残留反应生成物、残余抛光液-氧,而化学吸附-氧是影响 GaAs 抛光晶片清洗、封装工艺技术发展的关键问题之一。     

〈511〉晶向GaAs单晶主次参考面的确定

在半导体照明工程中采用<511>晶向GaAs抛光片作为衬底材料进行外延生长制作LED器件.根据<511>晶向GaAs单晶的晶格结构特性,在晶片的生产加工过程中采用多步工艺进行其主次参考面的确定,通过采取理论分析和微观观察及X射线衍射测试的方法,互相对照.共同确定GaAs单晶的主次参考面的位置.单晶主次参考面的确定是整个晶片加工工艺链中的关键工艺,对提高生产效率、批量化生产具有很大的实用性.     

与(100)GaAs晶格匹配的Ga_xIn_(1-x)A_(SY)P_(1-Y)/Ga_xIn_(1-x)A_(SY)P_(1-Y)双异质结(■H)可见光注入激光器

使用可见光半导体激光器作为各种信息处理和储存系统的光源增加了人们的兴趣。为了这些目的,与GaAs晶格匹配的GaInAsP四元合金用作可见光光源是引人注目的。曾报导过室温脉冲工作的GaInAsP可见光激光器,其GaInAsP四元合金是使用过饱和溶液的液相外延(LPE)生长的。在本文中,报导了与(100)GaAs晶格匹配的GaInAsP双异质结(DH)可见光注入激光器。DH晶片是用LPE生长的,激光器有源层的生长采用了两相溶液生长技术。     

Ⅲ-Ⅴ族半导体晶片键合热应力分析

利用结构力学模型并且结合有限元方法,分析了InP/GaAs晶片键合时界面热应力的分布情况,理论分析结果和有限元结果一致,实验也证实了分析结果.最后详细讨论了减小晶片键合热应力的有关因素,对在热处理时提高晶片的键合质量提供一定的理论参考.     

砷化镓超高速电路用SI-GaAs材料——Ⅰ.砷化镓超高速电路发展概况;Ⅱ,砷化镓晶体管的基本特性

SI—GaAs(半绝缘砷化镓)材料是研制GaAs VHSIC((超高速集成电路)和MMIC(单片微波集成电路)的重要的衬底材料,SI—GaAs晶片的质量对GaAs集成电路的性能和成品率有很重要的影响。 离子注入掺杂(在SI—GaAs中形成有源层、欧姆接触层、电阻层等),是制造GaAs集成电路的关键工艺。由于GaAs(具有一定极性的Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体)与Si(非极     

光路可调的红外透射方法检测键合质量

基于红外透射原理,采用调节光路的冷光源方法搭建了晶片键合界面的质量检测系统。利用该系统可以很好的实现GaAs,InP材料的键合界面检测和刀片分离时的在线监测,同时本文以GaAs基分布布拉格反射镜(DBR)和InP基有源区键合为例,结合红外透视图像和薄膜转移照片分析,对键合表面处理方法进行了优化选择。试验表明该检测系统数据可靠,使用方便,为晶片键合条件及参数优化提供了实用平台。     

用连续CO_2激光合金化制备Au-Ge-Ni-n GaAs欧姆接触

本文利用CW CO_2激光对GaAs的穿透性从GaAs晶片背面进行辐照,形成了良好的Au-Ge-Ni-n GaAs欧姆接触。研究了激光合金化对不同摻杂浓度GaAs的欧姆接触,并与热合金化作了对比试验。结果表明,激光合金化有较低的比接触电阻,材料的载流子浓度越低,比接触电阻降低得越显著。AES分析表明,激光合金化造成了一个优良的以Ge取代Ga的重掺杂的n型GaAs层。