LSI中的金属化工艺

钨丝加热法蒸发纯Al,采用“U”型状,在我国首先研制出双极LSI。为了缩小芯片面积,防止浅结漂发射区工艺纯Al布线后造成EB结短路,研制成功钨丝加热法蒸发Al-Si薄膜。为进一步缩小芯片面积,采用双层布线工艺,又研制成功钨丝加热法蒸发Al-Cu-Si合金膜。本文主要介绍三种薄膜蒸发工艺及应用。     

微波同轴管壳的生陶瓷金属化工艺

本文论述了生陶瓷金属化工艺;并分析了此工艺与传统的金属化工艺相比在微波同轴管壳应用中的优越性。     

氮化铝陶瓷及其金属化工艺

本文综述了最近几年来 A1N 陶瓷的发展动态,介绍了国内外有关 A1N 陶瓷的金属化工艺,指出了A1N 陶瓷进一步发展和实用化所必须注意以及要解决的几个技术关键问题。     

孔金属化印制板直接金属化工艺

概述了利用ｐｄ／Ｓｎ催化剂活化和后活化处理有机结合的直接电镀工艺，适用于制造孔金属化印制板。     

氧化铝陶瓷金属化工艺的改进

针对影响氧化铝陶瓷活化钼锰法金属化的工艺因素，在配方、原料处理、涂敷方式、烧结等方面进行改进，提高工艺水平，保证质量稳定性、一致性。     

薄膜电路孔金属化工艺

孔金属化技术在混合集成电路中的应用十分广泛,它对减小电路串扰和插入损耗、增加电路散热和可靠性方面具有较大的价值,笔者从工艺的角度出发,应用薄膜制造技术对孔金属化的制作过程进行了分析和研究,并对其在微波产品中的应用进行了介绍。     

压电陶瓷表面金属化工艺的改进

分别采用磁控溅射技术及真空蒸发技术对压电陶瓷基片进行表面金属化处理,比较了该两种工艺对压电陶瓷基片表面金属电极的银层结合力、耐焊接热特性的影响.结果表明,较之真空蒸发技术,磁控溅射技术可使压电陶瓷基片表面金属电极的银层结合力提高103％,耐焊接热时间大于30 s;该技术还可提高压电陶瓷基片表面金属化的处理效率,使贵金属...     

过电压保护气体放电管

综述了过电压保护气体放电管的结构性能和原理，着重论述了放电管设计和大规模现代化生产的方法。同时，讲述了二电极放电管和三电极放电管的测试，试验及其应达到的主要标准。     

双层金属布线中隔离介质淀积工艺研究

隔离介质淀积是微波硅功率器件双层金属布线工艺中的核心工序.从隔离介质结构层次的选取入手,通过理论分析,选取SiO2-Si2N4两层介质为最佳隔离介质结构;着重对隔离介质淀积工艺进行深入研究.通过实验对比分析,确定芯片的隔离介质淀积工艺条件,从而避免光刻胶、腐蚀液等物质残留在芯片内部,提高双层金属布线的可靠性.     

太阳能电池的金属化技术

在工业生产中,太阳能电池在保证效率的前提下最大限度地降低成本。通过对丝网印刷太阳能电池结构介绍和局限性分析,研究了埋栅太阳能电池用电镀的方法进行产业化的步骤,进而提高太阳能的转化效率。     

一种新颖的灯管排列显示技术

提出了一种用灯管排列显示图像的方法。研究了灯管的排列、放电单元结构,以及放电气体成份、氧化镁保护膜和荧光粉的效用,证实各放电单元可以外围驱动电路单独控制。该技术可用于显示高清晰大屏幕图像。     

气体放电灯荧光粉涂覆技术的探讨

介绍了气体放电灯荧光粉的工艺和实验研究，并讨论了工艺和材料对其光电参数的影响。     

陶瓷电路基板的新型金属化技术

研制成功一种新型的陶瓷电路基板的金属化技术，它兼容了薄膜和厚膜技术的优点，采用ＳＥＭ研究了陶瓷基体的浸蚀特性。测量了金属化导体的附着强度、可焊性、薄层电阻、导热能力及微波损耗，并进行了温循和老化等可靠性试验。测试及应用结果表明，采用该技术可在氧化铝瓷基板上制作附着牢固的铜金属化电路图形，其机、电、热性能优良，可靠性好，为微波和混合集成电路衬底金属化技术开辟了新的工艺途径。     

触发管放电延迟时间的研究

本文叙述了触发管的延迟和抖动时间在实际应用中的意义及其定义,研究了它们受阳极工作电压、间隙距离、气体压力、触发能量与结构等因素的影响,指出了与应用有关的问题。     

Feature Size Limit of Liftoff Metallization Technology

The feature size limits for liftoff metallization technology are evaluated both experimentally and by computer simulation following Blech's model. The mechanism producing a smoothly sloped metallization pattern profile was also clarified. The simulation reveals that the average slope angle of the metallization pattern sidewalls is determined by the reverse mask topology, metallization thickness, and the maximum incident angle of the evaporation system used for the metallization deposition. Simulation results showed good coincidence with experimental results. It is shown that the average slope angle can be controlled between 20/spl deg/and 70/spl deg/ with polyimide liftoff technology. Feature size limit, i.e., the minimum pitch of metallization patterns, is determined by the reverse mask topology and the maximum incident angle as well as by mechanical and chemical properties of the polyimide layer, but is independent of metallization thickness. In a sample application of the technology in the fabrication of interconnections on rugged LSI surfaces, the minimum pitch of the polyimide liftoff metallization patterns was estirriated to be 2.6 /spl mu/m.     

广告牌用碳纳米管像素管的研究

采用热解酞菁铁（FePc)方法制备了碳纳米管,并用它作为场发射阴极,开展了制作一种三极结构的发光像素管的研究。此发光管器件具有稳定的发射电流和极高的亮度。它可用于户外大屏幕广告牌的像素。