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SiC宽带功率放大器模块设计分析 总被引:1,自引:1,他引:0
功率放大器是射频前端中的关键部件,宽带是目前功率放大器的主要发展趋势。基于碳化硅(SiC)宽禁带功率器件,利用ADS仿真软件,依据宽带功率放大器的各项指标进行电路的设计、优化和仿真,制作了500~2 000 MHz波段宽带功率放大器,并对放大器进行了性能测试和环境实验。测试结果表明利用该方法设计宽带功率放大器是可行的,SiC宽禁带功率器件具有较宽的工作带宽。 相似文献
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《固体电子学研究与进展》2004,24(1):F003-F003
宽带GaAs MMIC功率放大器在电子系统和微波通信中得到广泛应用。南京电子器件研究所最近研制成一种2~6GHz宽带功率放大器,具有比较优异的性能。 相似文献
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针对宽带功率放大器的需求,以及传统匹配网络只能用于实现窄带设计的现状,在匹配网络研究的基础上,提出了一种可行的、有效的宽带功率放大器匹配网络的设计方法。基于该方法,对最优匹配网络算法进行Matlab建模,并利用ADS软件进行了仿真和优化,实现了1~2.8 GHz宽带功率放大器。对设计的宽带功率放大器进行测试,结果表明,在1~2.8 GHz宽频带范围内,增益为27 dB,平坦度为±1 dB,输入回波损耗小于-10 dB,匹配性能明显优于其他类型的拓扑结构。该方法对于设计宽带功率放大器具有良好的应用价值。 相似文献
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针对未来无线通信系统中的宽带和效率问题,设计了一种宽带高效率的J类功率放大器。为了减少谐波阻抗对效率的影响,该J类功率放大器在输出匹配网络中采用了谐波控制单元,并通过对晶体管模型的简化,综合出一种较好的匹配网络。另外,在输入匹配网络中,使用了具有宽带效应的混合集中和分布元件的π形匹配网络。设计中使用10 W GaN HEMT晶体管对理论进行验证,测试结果显示,在2.2 GHz~2.8 GHz之间的频带内,J类功率放大器的漏极效率大于61%,增益大于10.4 dB。该J类功率放大器在下一代无线通信系统中具有良好的应用前景。 相似文献
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为了满足移动通信系统中功率放大器宽频带和高效率的需求,采用阶梯阻抗网络实现宽带匹配电路,设计了一款高效率连续逆F类功率放大器。选用CGH40010F GaN HEMT晶体管,通过对连续逆F类功率放大器的理论分析,并且结合ADS负载牵引与源牵引仿真,提取各频点的最佳负载阻抗和源阻抗,设计阶梯阻抗匹配电路,最终实现了一款宽带高效率功率放大器。测试结果表明,该功率放大器在3.2~3.8 GHz频段内,增益大于14 dB,增益平坦度小于±0.4 dB,饱和输出功率为40.6~40.9 dBm,最大漏极效率为64%~68%。该功率放大器的测试性能良好,可以为宽频带高效率功率放大器的设计提供参考。 相似文献
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《固体电子学研究与进展》2000,20(2):178
南京电子器件研究所应用0.5μm的GaAs离子注入工艺,研制开发了2~6GHz的宽带单片功率放大器,其中的大电容采用高介电常数的电介质制造。放大器的主要性能如下: 工作频率/GHz 2~6.7 电压驻波比 1.7增益/dB17±1功率附加效率/%24输出功率/dB31芯片面积/mm×mm2.2×22~6GHz单片宽带功率放大器 相似文献
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利用ADS设计基于MESFET的宽带功率放大器 总被引:2,自引:0,他引:2
文章介绍了一种在无法获取器件大信号模型的情况下采用小信号法设计宽带功率放大器的方法.基于微波砷化镓场效应管,采用小信号设计方法,利用ADS软件,依据宽带功率放大器的各项指标来同步进行电路的设计、优化和仿真,设计出了满足预期期望值的宽带功率放大器. 相似文献