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1.
Faraz Hasan 《电子产品世界》2007,(C00):95-96
现在广受欢迎的PPTC高分子正温度系数可复位电路保护器件推出了额定线电压系列,为家用电机和专业电机保险丝和双金属保护装置提供了简单而具有成本效益的另一选择。 相似文献
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特种电器设备需要特种电机,而特种电机又需要配备一套安全实用,具有特殊安全的保护装置。多功能电机保护控制集相序检测、漏电缺相检测、过压欠压测量、守流过热保护等功能于一身,体现了特种电机保护控制器集成化、小型化、控制安全与可靠等特点。 相似文献
3.
通过对某厂一起其他故障引起负序电流保护事故的分析,分析了电动机负序电流的产生原因和对保护的影响,同时对高压电动机的微机保护装置其负序过流保护定值的整定方法进行了探讨和改进,根据该厂6kV高压电动机具体系统和设备参数对负序保护进行了定值优化. 相似文献
4.
阐述高压电力系统的保护装置的案例分析,探讨存在的问题,逐项进行具体分析,提出应对的解决方法,包括小电流选线、零序互感器、保护装置测试、保护定值设置,以及实施过程。 相似文献
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为了解决针对普通车床缺乏安全保护装置,在车削加工中易出现安全事故的问题,本文对机床的安全保护缺陷进行了研究,提出了采用基于SI4463芯片的无线通信技术和双MCU控制方法,设计并实现了安全保护控制器。该控制器通过安装在车床相关位置的检测元件测得的状态数据,控制车床主电机和快进电机状态,避免发生事故。车床安全保护控制器可以单机脱机工作,可以通过应用无线通信技术与上位机联机工作,也可以实现多台车床的远程集群控制。 相似文献
6.
《电子技术与软件工程》2016,(2)
本文调查了国内外电动机各种保护方法和各类保护装置的研究发展状况,结合实际情况,提出了一种通过人工神经网络预测电机绕组温升的方案,由PC机通过RS485总线实时读取下位机采集的电机运行参数,进行温升预测,并将预测结果传输回下位机,从而实现了对电动机长期稳定负载运行的过载保护。 相似文献
7.
随着光纤通信技术的发展,光纤通道在超高压线路保护中得到越来越广泛的应用。在目前实际运行当中,220KV高压线路保护装置与光纤通道连接构成系统时,存在一些必须考虑的问题。 相似文献
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220kV及以上的高压电网中,为防止在断路器或保护装置失灵时,仍能有效切除故障,如果简单的采用相邻元件的远后备保护方案来实现,容易造成事故范围的扩大,甚至引起系统失去稳定而导致全网瓦解。有鉴于此,通常装设两套独立的全线速动保护(即保护双重化),以防保护装置的拒动,而对于断路器的拒动,则专门装设断路器失灵保护。在实际的断路器失灵保护的设计中,存在以下几种情况,即:线路故障时线路断路器失灵后分别出现主变断路器、出线断路器及母联断路器再失灵的连环失灵特殊情况,为了缩小事故范围,通过对这几种特殊情况的分析,得出了一些实际应用中的改进措施。 相似文献
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针对煤矿井下高压供电系统中开关保护装置可操作性、可靠性差,测量、通信等方面的问题,设计出一种基于WinAC的高压防爆开关保护测控系统.硬件系统设计以WinAC RTX为控制核心,运用Profibus现场总线进行控制结构设计,软件开发以西门子公司的组态软件WinCCV6.0和Step7V5.2为平台,设计了友好的人机界面... 相似文献
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超低压ESD保护器件设计与工艺研究 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍了一种新颖的超低压保护器件的工作原理、结构特点,并进行了器件结构模拟。结合理论分析与模拟仿真得到超低压1.8~5 V的ESD保护器件系列模型。经过设计与工艺验证,制作出了非常吻合模拟结果的超低压器件,该系列器件具有工作电压低、电容小、漏电小的特点。由于采用新型复合型穿通结构及单片低温减压外延工艺,器件的电参数一致性非常理想,在高速数据线的保护电路中成功地得到应用。 相似文献
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继电保护装置是高压电力输送系统的主要构成部分之一,高压继电保护中电压传感器对继电设备检测数据稳定性,直接对高压电网继电保护装置的可靠性产生影响,本文对高压网继电保护系统装置可靠性评估研究主要从继电保护的主要技术要点和进一步加强继电保护措施进行分析. 相似文献
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在高压引风电机系统稳定运行过程中,继电保护发挥着重大的作用及影响,可以说继电保护是保障高压引风电机稳定运行的关键点.但是,在高压引风电机实际运行中,继电保护极有可能由于受到其它原因的影响而出现不稳定的现象,对电力系统的稳定运行造成影响,无法更好地展开保护,因此,及时对这些不良因素进行研究分析,并作出有效的解决对策,是确保高压引风电机继电保护正常工作的关键,更是有力的保障整个电力系统安全、稳定与可靠运行的基础. 相似文献
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The proposed device has a high holding voltage and a high triggering current characteristic. These characteristics enable latch-up immune normal operation as well as superior full chip electro-static-discharge (ESD) protection. The device has a small area in requirement robustness in comparison to gate-grounded NMOS (ggNMOS). The proposed ESD protection device is designed in 0.25 μm CMOS technology. In the experimental result, the proposed ESD clamp has a double trigger characteristic, a high holding voltage of 3.8 V and a high trigger current of greater than 120 mA. The robustness has measured to HBM 8 kV (HBM: human body model) and MM 400 V (MM: machine model). The proposed device has a high-level It2 of 52 mA/μm approximately. 相似文献
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In this paper, a new structure for an advanced high holding voltage silicon controlled rectifier (AHHVSCR) is proposed. The proposed new structure specifically for an AHHVSCR‐based electrostatic discharge (ESD) protection circuit can protect integrated circuits from ESD stress. The new structure involves the insertion of a PMOS into an AHHVSCR so as to prevent a state of latch‐up from occurring due to a low holding voltage. We use a TACD simulation to conduct a comparative analysis of three types of circuit — (i) an AHHVSCR‐based ESD protection circuit having the proposed new structure (that is, a PMOS inserted into the AHHVSCR), (ii) a standard AHHVSCR‐based ESD protection circuit, and (iii) a standard HHVSCR‐based ESD protection circuit. A circuit having the proposed new structure is fabricated using 0.18 μm Bipolar‐CMOS–DMOS technology. The fabricated circuit is also evaluated using Transmission‐Line Pulse measurements to confirm its electrical characteristics, and human‐body model and machine model tests are used to confirm its robustness. The fabricated circuit has a holding voltage of 18.78 V and a second breakdown current of more than 8 A. 相似文献
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随着现在的科学技术进步与各项领域中技术创新等,我国在很多方面都逐渐进入到高科技步伐中.我国电力方面的安装与维护等方面也在不断的进行着技术上的创新与维护,其中最主要的就是在中压配电变压器的使用与保护,根据现在电力装置方面的相关规定,对其自身的设计与实践等需要使用的是的变压器低压侧单相接地进行保护进行相关的计算与研究,并且根据这项研究表明不同的变压器在进行高压侧过中对于电流的保护与维修等使用的方式存在很大的不同,所以本文主要针对中亚配电变压器低压侧单相接地保护分析. 相似文献