VLSI气密封帽成品率统计分析

一、概述随着VLSI技术的不断进步，封装形式日趋多样化，各种高密度封装形式如LCC、QFP、PGA、BGA纷纷出现，封装所需要费用越来越高。在VLSI的气密封装诸工序中，气密封帽是自动化程度相对较低的环节。这样，气密封帽的成品率就成为影响总的封装成品率的关健因素。因而，对气密封帽成品率进行统计分析，找出其影响因素并制定相应的改进措施，这对稳定和提高封帽成品率是非常重要的。二、封帽不合格品分类VLSI的气密封装主要有DIP、LCC、QFP和PGA等几种形式，由于密封工艺的不同，通常又可分为平行缝焊、低温玻璃封帽（俗称…     

电阻焊封帽机封帽工艺设计理论

本文着重论述了使用电阻焊封帽机封幔工艺设计理论,并通过应用该理论在汤姆森2400型电阻焊封帽机上封焊各种外形尺寸(最大封焊周长200mm)分立器件和厚薄膜集成电路的实例,证实了该理论的准确性.     

封帽机同轴精度分析及结构改进

为了提高封帽机同轴精度,满足封焊产品性能要求,对封帽机同轴精度进行了分析,并对封帽机烘箱容积、焊接系统结构、上下料方式、手套箱结构等进行了改进,通过分析和改进,提高了封帽机同轴精度,满足了封焊产品性能,保证了设备运行稳定性,提高了生产效率。     

VLSI低温合金焊料气密封帽技术

一、概述由于环境条件的恶劣，用于宇宙空间、舰船雷达等领域的IC产品通常要求采用高可靠的气密封装形式。一般说来，气密封装可分为金属、陶瓷一金属和陶瓷一玻璃一陶瓷几大类。按其封帽方式又可分为突缘电阻焊、平行缝焊、激光焊接、冷压焊、低温玻璃封帽（俗称“黑瓷”）和低温合金焊封帽等几种。其中，突缘电阻焊主要用于TO封装系列；激光焊接用于大腔体外壳的混合电路封状；VLSI封装主要采用手行缝焊、黑瓷和低温合金焊料焊接几种方式。由于黑瓷封装是采用玻璃作为封接材料，机械强度不能满足军用要求；尽管平行缝焊有诸多优点，但…     

MEMS封装中的封帽工艺技术

MEMS封装技术大多是从集成电路封装技术继承和发展而来,但MEMS器件自身有其特殊性,对封装技术也提出了更高的要求,如低湿,高真空,高气密性等。本文介绍了五种用于MEMS封装的封帽工艺技术,即平行缝焊、钎焊、激光焊接、超声焊接和胶粘封帽。总结了不同封帽工艺的特点以及不同MEMS器件对封帽工艺的选择。本文还介绍了几种常用的吸附剂类型,针对吸附剂易于饱和问题,给出了封帽工艺解决方案,探讨了使用吸附剂、润滑剂控制封装内部环境的方法。     

密封胶粘剂在高可靠微电子封装中的应用

阐述了高可靠微电子封装对密封胶粘剂的性能要求.通过试验优选出一种能实现高可靠、高气密粘接封帽的环氧树脂胶粘剂,用该胶粘剂封帽的外壳通过了严苛的可靠性考核.详细介绍了胶粘封帽工艺过程,并对影响封帽质量及可靠性的因素进行了探讨.     

N485封接合金阳极帽高温湿氢氧化性能研究

对N485封接合金为原料的彩色显像管玻壳阳极帽的进行了湿氢氧化特性研究,采用SEM和EDS技术对不同氧化条件下所生成的合金氧化层组成及其微观形貌进行表征分析,探讨了高频模拟封接炉检验各条件下阳极帽氧化层的封接性能及耐烧性能。结果表明,在一定范围内,氧化膜中Cr2O3含量随氧化温度的升高和时间的延长而升高,同时其耐烧性及封接浸润性得到增强。     

低碳含金阳极帽封接气泡的产生与控制

本文研究低碳封接合金阳极帽产生封接气泡的原因及控制措施。结果表明，低碳含金阳极帽产生封接气泡，主要是由于氧化膜破损和封接温度偏高造成，其实质是由于氧化膜表面因破损产生凹坑、膜上附着物等缺陷，封接时这些地方吸附的气体未能逃逸形成了气泡。通过降低封接温度和控制送料斗振动强度的措施，基本解决了封接气泡大量产生的问题。     

低碳合金阳极帽封接气泡的产生与控制

本文研究低碳封接合金阳极帽产生封接气泡的原因及控制措施。结果表明，低碳合金阳极帽产生封接气泡，主要是由于氧化膜破损和封接温度偏高造成，其实质是由于氧化膜表面因破损产生凹坑、膜上附着物等缺陷，封接时这些地方吸附的气体未能逃逸形成了气泡。通过降低封接温度和控制送料斗振动强度的措施，基本解决了封接气泡大量产生的问题。     

关于金属端帽压电复合换能器Cymbal的研究

研究了金属端帽尺寸对压电复合换能器Ｃｙｍｂａｌ位移的影响。Ｃｙｍｂａｌ由在厚度方向极化的压电陶瓷片夹在两个薄的黄铜端帽之间,每个端帽的内表面都有一个圆台形空穴。在施加交换 流电场下,陶瓷径向收缩,端帽弹性运动,在法向于端帽的方向产生一个放大的位移。Ｃｙｍｂａｌ换能器比相同尺寸的陶瓷元件的位移要出近４０倍。     

应用超声热压法实现对微波超小型器件的无边缘封帽

本文介绍一种对微波器件实现无边缘封帽的方法.利用超声热压方法来完成对超小型微波器件的无边缘封帽,结果表明用这种方法封帽后的器件其气密性(即漏气率Q≤10~(-6)托升/秒),成品率能达到90%以上,并能通过C级的振动、冲击、离心、变频、热冲、温度循环、加速热潮等项可靠性考核.同时对封帽后的器件进行了抗折强度和抗拉强度的试验.结果表明封帽边缘的抗折强度和抗拉强度高达200公斤/厘米~2,大大地超过了器件本身对管壳所提出的强度要求.采用本法对微波器件实现无边缘封帽,无需对器件管芯加热,使用的超声功率仅为0.3瓦左右,管帽受热时间仅为3秒到5秒,封管温度为340℃到360℃,因此,对器件的性能毫无影响.实践证明,本文所介绍的方法完全可以应用于微波超小型器件的封帽,并且具有效果好、封帽速度快等一系列优点.目前本法已应用到某些同轴型和微带型器件的产品定型和批量生产之中.     

64cmFS会聚帽变形原因分析与对策

通过对64cmFS会聚帽在加工、运输过程中变形的原因分析，设计制造了一种新型卡位式专用滚洗蓝和专用包装容器，改进冲压工作落下装置、半成品、成品的包装解决了会聚帽的变形的问题。     

金属端帽压电复合执行器的等静压性能研究

研究了金属端帽的机械性能对压电复合执行器Ｃｙｍｂａｌ的等静压压电常数的影响。研究表明,Ｃｙｍｂａｌ执行器等静压压电常数的耐压性能与金属端帽的形状参数、端帽材料的弹性极限及粘结强度有关。     

基于二氧化碳激光的光纤大直径端帽熔接技术

光纤大直径端帽熔接是千瓦级传能光纤封装的关键技术之一。为了实现光纤大直径端帽熔接,从理论上分析了光纤与大直径端帽熔接机理,设计并搭建了基于CO2激光的光纤大直径端帽熔接系统,掌握了光纤大直径端帽熔接方法和工艺,并利用熔接好的大直径端帽的光纤成功传输了千瓦级连续激光。     

尺度相互作用墨西哥帽小波提取图像特征点

图像特征点是图像的重要局部特征,它是图像理解和模式识别中的重要信息,图像特征点提取技术也是图像处理的有力工具之一。提出了一种在尺度相互作用模型下利用墨西哥帽小波来提取图像特征点方法,该方法对于经过旋转、亮度、模糊以及噪声处理后的失真图像仍能提取出相对位置和数量都较为一致的特征点。而针对尺度相互作用的墨西哥帽小波提取不同尺度的图像时的特征点相对位置不一致的问题,提出了在墨西哥帽小波中加入尺度因子的方法,通过仿真实验验证了算法的正确性。     

一种P-GaN栅结合混合帽层结构的HEMT器件

为了进一步提升P-GaN栅HEMT器件的阈值电压和击穿电压,提出了一种具有P-GaN栅结合混合掺杂帽层结构的氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)。新器件利用混合掺杂帽层结构,调节整体极化效应,可以进一步耗尽混合帽层下方沟道区域的二维电子气,提升阈值电压。在反向阻断状态下,混合帽层可以调节栅极右侧电场分布,改善栅边电场集中现象,提高器件的击穿电压。利用Sentaurus TCAD进行仿真,对比普通P-GaN栅增强型器件,结果显示,新型结构器件击穿电压由593 V提升至733 V,增幅达24%,阈值电压由0.509 V提升至1.323 V。     

基于光纤端帽的红外宽波段耦合光学系统设计

新一代红外对抗技术中，需要将红外高峰值功率激光耦合进红外传能光纤中进行传输。针对红外宽波段、高峰值功率激光进行光纤耦合时存在的问题，设计了一种光纤端帽参与聚焦的消色差耦合光学系统，能够对高峰值功率的2.1～4.6μm红外激光进行光纤耦合，并且光纤端帽可以提高光纤端面的损伤阈值。然后，对消色差耦合光学系统进行了详细设计，并选择了最佳三片式消色差玻璃组合ZNS/MGF2/IRG206进行设计，最终在耦合系统焦距为35 mm时，该系统对2.1～4.6μm波段的耦合效率达到92.74%。进一步分析可知，耦合光学系统最佳的焦距范围在35～47 mm，以及焦距在40 mm时，光纤对准最大容差为60μm。     

基于矢量线性运算的自适应球帽差分反馈算法

信道时间相关多输入多输出(MIMO)系统中一种重要有限反馈策略为差分反馈,该文提出一种适用于单用户多输入单输出(SU-MISO)系统的自适应球帽差分反馈算法。首先,运用相邻时刻信道间的扰动规律设计自适应差分反馈策略;其次,不同于现有差分码本的非线性构造方法,提出一种基于矢量伸缩和合成的球帽差分码本算法;最后,联合球帽码本空间分布规律和时间相关信道的统计规律推导出球帽半径计算方法。仿真结果说明,该算法能准确跟踪信道并较现有算法有一定性能提高。     

基于改进Faster R-CNN的接触网管帽目标定位算法

为了改善接触网管帽这类小尺度部件在故障检测过程中定位困难的情况,提出一种基于改进Faster R-CNN的接触网管帽目标定位算法.通过K均值聚类算法(K-means)对region proposal network (RPN)层中生成anchor boxes的比例及面积进行改进,所提算法在定位接触网管帽这类小部件上具有...     

基于CO2激光的双包层光纤端帽熔接实验研究

光纤端帽可以有效避免高峰值功率下脉冲双包层光纤激光器的光纤端面损伤。为了实现大直径双包层光纤端帽的低成本制作,设计并搭建了基于CO2激光的光纤端帽熔接实验系统,研究了光纤端帽的熔接方法和工艺,利用熔接好端帽的双包层掺镱光纤进行了高功率脉冲光纤激光放大器的实验,验证了光纤端帽的实际使用效果。实验结果表明,本装置可以实现高质量、低成本的双包层光纤端帽熔接。采用此方法熔接的光纤端帽可以显著提高光纤的损伤阈值,同时基本不影响激光输出效率以及光束质量。