浅析农村低压配电网无功补偿方案配置

由于农村处于整个供电网络的最末端,而且基本上都是低压用户,因此就会消耗一定的无功功率,本文对当前农村配电网当前所采取的无功补偿进行了分析。     

论配电网四种无功补偿技术方案的比较

配电网合理的无功补偿方式,能够有效地维持系统的电压水平,降低有功网损,提高网络输送容量,减少发电费用.本文对配电系统四种无功补偿方案进行了技术比较,并对配电网进行无功补偿时遇到的一些问题提出一些建议.根据配电网的实际,将四种无功补偿方案结合起来使用,可以获得最好的技术和经济效益.     

电力调度无功电压对网损减少的分析

对电力系统来说,无功补偿的作用是非常重要的,其可以给电网安全稳定以及经济运行带来一定的保障,所以,无功补偿受到了电力部门以及电力用户的共同关注。设计有效的无功补偿方案以及选择合理的补偿容量,可以有效增强系统电压所具有的稳定性,确保的电网电压质量,显著提升电力设备的实际利用率,减少有功网损以及所消耗的发电成本。本文主要对电力调度过程中无功电压对降低网损的作用进行分析,提出笔者的思考和建议,仅供参考。     

基于PIC16C72的电力三相不对称负载无功补偿算法的实现

用PICl6C72单片机设计了电力三相不对称负载的功率因数补偿控制系统，提出了补偿电容容量的优选算法及负载性质判定算法。该系统可用于380V、50Hz的三相电力系统，与无功功率补偿屏配套使用。他可根据电网无功功率的大小与性质启动控制补偿屏中的电容器投入或切断，从而减少电网的无功消耗，改善供电质量并节约电能。     

电工电子技术在无功补偿自动控制中的应用

无功补偿是降低生产设备电力消耗问题、提高设备运行效率的主要方式,为实现无功补偿自动控制,研究电工电子技术在无功补偿自动控制中的应用方法。将电工电子技术中的接触器与晶闸管应用于无功补偿自动投切控制过程中,基于接触器触头无功耗与晶闸管过零投切的优势,设计应用于无功补偿装置中的零投切接触器。该接触器主要由指令触发单元、接触器稳态接入单元以及晶闸管瞬态接入单元3部分组成。实验结果显示将该接触器应用于无功补偿装置中后,接触器运行状态良好,变电所功率因数显著提升。     

电网无功补偿的研究

无功补偿可以有效改善电压质量,提高功率因数,节约电能,减少运行费用,是电力配电网普遍采用的重要节能措施。文章主要介绍了无功补偿在配电网中的作用及五种补偿方式。     

城市配电网的无功补偿及其容量确定

伴随城市电力网络的发展,无功电压的管控和无功功率的补偿产生了一些新状况与新缺陷,对于此种状况,笔者联系工作现实状况,指出了在配网建设中,无功补偿应当注重的问题、核算无功容量和怎样选取补偿装备的位置与形式等问题。     

电气自动化中的无功补偿技术研究

伴随着社会经济和时代的快速发展,用电规模日益提升。很多大中型电力行业都采用无功补偿技术,这对减少客户耗电量、提升电力系统、维持供电系统稳定性起着至关重要的作用。本文研究了无功补偿新技术在电气自动化中的使用优势,讨论了无功补偿新技术在电气自动化中的运用存在问题和原因,重点关注电气自动化无功补偿关键技术的常见问题。     

高压供电系统无功自动补偿应用研究

本文探讨了高压无功自动补偿装置在实际高压配电网络中的运用,阐述了电压无功综合调节装置的运用价值和该装置的类别及选型,重点探讨了dmp3366微机电压无功综合调节装置的原理、功效特性及经济效益。     

广州换流站交流滤波器投退顺序异常分析及改进措施

直流输电系统运行时需要从交流输电系统吸收容性无功,即对于交流系统而言,换流器总是一种无功负荷。为了补偿无功,通用的做法是在换流站配置无功补偿设备。而交流滤波器作为重要的无功补偿设备,其伴随着系统运行方式的变化进行投退。文中研究了交流滤波器的投退控制,分析了运行中出现的问题。     

机场供电系统无功功率补偿方案探讨

在机场的用电系统中,大量的无功功率会被产生,从而对用电安全产生严重的影响,因此需要对其进行一定的处理。基于此,对机场供电系统中无功补偿方案进行详细的探讨。     

无功电流的实时检测研究

以瞬时无功功率理论为基础,介绍了p、q运算方式下的无功电流检测法,给出了Matlab仿真框图,并且运用实例验证了p、q检测法的正确性,为电路中无功电流的实时检测提供了方便。     

TCR无功补偿系统仿真分析

电力电子器件的广泛应用会引起电网和用电单位的无功功率下降。基于瞬时无功功率理论,以济宁2号井的电力系统为背景,设计了TCR单闭环控制策略,以此提高功率因数并补偿无功功率的下降。并对设计的无功功率系统进行仿真,仿真结果验证了设计的有效性。     

基于瞬时无功功率理论的谐波和无功电流检测

介绍了基于瞬时无功功率的谐波和无功电流实时检测理论。该理论突破了传统的平均值功率定义,系统的定义了瞬时无功功率、瞬时有功功率。可实时的检测电力系统中的谐波和无功电流。讨论了瞬时无功功率理论,得出基于瞬时无功功率理论的谐波和无功电流检测算法。结果表明,这种检测法能为抑制谐波和无功补偿提供可靠的谐波及无功分量。     

无铅焊料的研究（1）——反应润湿性

针对数种无铅焊料,如Sn-Cu、Sn-Ag、Sn-In与Sn-Ag-Cu四种合金,尤其是具应用潜力的共晶无铅合金与Cu、Ag、Ni三种基材的接触,整理分析了其重要的基础性质——反应润湿,可作为无铅焊料相关研究的参考。     

Patterning amorphous fluoropolymer films by reactive ion milling

Amorphous fluoropolymer films have low dielectric constants and high chemical resistance and, so, have potential to be used as the insulator for high speed interconnects and as protection layers. Many applications would require high resolution patterning of the fluoropolymer film. We have found that these films are easily etched by reactive ion beam etching using an O₂/Ar gas mixture. High etching rates of 600 nm/min with a 0.2 mA/cm^-2,500 eV ion beam were obtained. This technique allows good selectivity with typical underlayers such as Si, Au, and photoresist. We have also found that a short Arion milling of the fluoropolymer surface allows good wettability of the film by photoresist.     

TFT工艺中的反应性离子刻蚀

对ＴＦＴ器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行了研究,给出了ＴＦＴ器件工艺中常见薄膜刻蚀速率的实验结果,并讨论了掺杂气体（如Ｈ２、Ａｒ等）对刻蚀速率的影响。     

基于LabVIEW的高压无功补偿上位机监控系统

本文介绍了一种基于LabVIEW的高压无功补偿监控系统。系统采用标准modbus通信规约进行数据交换;现场控制器将监测数据和开关量实时的传送到上位Pc机当中,上位机应用LabVIEW进行数据处理和显示;同时也可以对现场的无功补偿装置进行参数下设和投切电容器等操作。系统硬件结构简单,软件设计方便直观,具有高度的灵活性和扩展性。     

浅谈电力谐波对煤矿无功补偿电容器的影响

通过对谐波电流放大机理的分析,结合实例说明了电力谐波对无功补偿电容器的危害,为煤矿安全使用电容无功补偿装置提供了借鉴.     

Characterization of selective reactive ion etching effects on delta-doped GaAs/AlGaAs MODFET layers

The effects of selective reactive ion etching (SRIE) using SiCl₄/SiF₄ plasma on delta-doped GaAs/Al_0.3Ga_0.7As modulation-doped field-effect transistor (MODFET) structures and devices have been investigated. The results are compared with those of corresponding conventionally doped MODFETs. Hall measurements were conducted at 300 and 77 K to characterize the change in the transport properties of the two-dimensional electron gas due to low energy ion bombardment during the SRIE process. Delta-doped structures showed a smaller change in sheet carrier density and mobility compared to conventionally doped structures. Direct current and high frequency measurements were performed on the SRIE gate-recessed MODFETs. No significant change in threshold voltage was observed for the delta-doped MODFETs in contrast to an increase of about 300 mV for the conventionally doped MODFETs processed at a plasma self-bias voltage of −90 V and a 1200% overetch time. Maximum dc extrinsic transconductance and unity current gain cutoff frequency did not change with SRIE processing for either of the structures. This paper was presented at the Electronic Materials Conference at MIT, Cambridge, 1992.