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碳化硅颗粒增强铝基复合材料的无压浸渗反应机理探讨 总被引:12,自引:0,他引:12
为探讨SiCp/Al复合材料无压浸渗反应机理,利用XPS鉴定了SiC预制体浸渗前沿界面上的反应产物结构,采用HRTEM研究了SiCp/Al基复合材料的界面结构。结果表明,浸渗与未浸渗部分之间的界面上存在MgO,Al2O3和ZnO诸化合物,没有发现氮的化合物,在SiC相与铝相的界面上仅存在MgAl2O4相,MgAl2O4相几乎连续地包敷在SiC颗粒上,这表明,高温下SiC与熔Al合金接触后,SiC颗粒表面上的SiO2与Al,Mg,Zn诸元素发生了放热反应,从而降低了表面张力,提高了湿润性,促进了自发浸渗。 相似文献
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高导热金属基复合材料的热物理性能 总被引:2,自引:0,他引:2
分别采用无压浸渗、气压浸渗、内氧化技术制备了高导热Al/SiC、Al/C、Cu/Al2O3复合材料.研究了增强相和界面对这三种复合材料的热导率和热膨胀系数的影响,并对这些性能进行了理论分析和数值模拟.当颗粒尺寸与界面层厚度之比固定时,颗粒尺寸对Al/SiC复合材料热导率影响很小,但界面热导率对其影响很大;Al/SiC复合材料的CTE随温度的升高而增加,随SiO2层厚度的增加而减小;碳纤维中混杂3%SiC颗粒有利于改善纤维的分布,降低Al/C复合材料的缺陷,并提高其热导率;压力加工增加了Cu/Al2O3的致密度,也提高了其热导率;可用Schapery和Kerner模型计算复合材料的热膨胀系数,用Hasselman-Johnson模型计算热导率. 相似文献
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研究了SiC颗粒在1000~1200℃的氧化行为, 其氧化增重率与保温时间符合抛物线规律, 氧化增重受扩散过程控制, 氧化激活能为219 kJ/mol. 采用预氧化处理的SiC颗粒为增强体, 含Si、Mg的铝合金为基体, 通过无压浸渗方法制备了SiCp/Al复合材料, 分析了复合材料的微观组织与界面形貌, 探讨了无压浸渗机理. 复合材料中颗粒分布均匀, 无偏聚现象. 材料制备过程中存在界面反应, SiC颗粒表面的氧化层与铝合金中的Mg、Al反应形成了一定数量的MgAl2O4. 界面反应的存在提高了润湿性, 促进了无压自发浸渗. 相似文献
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无压浸渗法制备不同体积分数及梯度SiCp/Al复合材料 总被引:1,自引:1,他引:0
选用不同粒径大小的SiC颗粒,并通过对颗粒分布的有效控制,采用无压浸渗工艺制备了不同体积分数(15%~65%)的SiCp/Al复合材料,并在此基础上试制了梯度SiCp/Al复合材料.运用OM,XRD等手段对所制备的复合材料进行了显微组织观察与成分分析,并对选定体积分数的复合材料进行了密度以及力学测试.研究结果表明,无压浸渗工艺下不同体积分数的SiCp/Al复合材料组织均匀、致密,力学性能良好;具有梯度结构的SiCp/Al复合材料层间结合良好,没有层间剥离现象. 相似文献
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无压渗透法是制备SiCp/Al复合材料的重要技术.应用实验方法系统地研究了无压渗透法的工艺参数和添加元素对制备工艺的影响.结果表明,在无压渗透法制备SiCp/Al复合材料的工艺过程中,浸渗温度是浸渗过程顺利进行的重要因素,900℃的浸渗温度为最佳浸渗温度.适量加入Mg元素能提高熔融金属Al和增强体SiC颗粒之间的浸润性,获得结合强度好、孔洞和疏松较少的SiCp/Al复合材料,Mg元素的最佳含量约为1.2%(质量分数).适量添加Si元素能增强熔融铝液的流动性,降低SiC颗粒与Al液间的表面张力,改善其润湿性. 相似文献
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为研究陶瓷添加物对Ti3SiC2基复合材料性能的影响,首先,采用反应热压烧结法制备了Ti3SiC2材料及陶瓷添加物含量均为30wt%的SiC/Ti3SiC2、Al2O3/Ti3SiC2和MgAl2O4/Ti3SiC2复合材料。然后,测试了材料的力学性能和导电性,在1 373~1 773K温度范围内对Ti3SiC2基复合材料的抗氧化性进行了研究,并对其烧结试样的物相组成和显微结构等进行了表征。结果表明:Ti3SiC2在高温氧化后的主要产物为TiO2和SiO2;氧化层分为内外2层,内层由TiO2与SiO2这2相混合组成,外层为TiO2;氧化层中存在大量显气孔,结构较为疏松,导致抗氧化性较差。与Al2O3/Ti3SiC2和MgAl2O4/Ti3SiC2复合材料相比,SiC/Ti3SiC2复合材料具有更好的抗氧化性。 相似文献
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铝基复合材料在电子封装领域存在着潜在的应用前景。为获得高体积分数的铝基复合材料,利用压力浸渗法制备了高体积分数SiC颗粒增强A356复合材料(SiC_p/A356),通过金相显微镜、XRD、SEM和EDS等分析手段对其物相、显微结构和电导率进行了表征。结果表明:用该方法制备的SiC_p/A356复合材料组织致密,颗粒分布均匀,界面结合性能较好;SiC增强颗粒与A356基体界面反应控制良好,仅有少量Al4C3脆性相生成。SiC粉体经颗粒表面氧化处理在其表面生成一层SiO_2薄膜,虽抑制了界面反应的发生,但也使复合材料的收缩减小,电阻率增大,导电性能变差。 相似文献
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常规铸造工艺条件下SiCp/Al-Si复合材料中的界面反应 总被引:1,自引:0,他引:1
采用搅拌复合法制备了10%SiC/Al—5Si—Mg,10%SiC/Al—7Si—Mg(体积分数)复合材料,研究了在常规铸造工艺条件下重熔后复合材料中的界面反应。通过透射电镜和能谱分析可知,SiC界面基本上都是单一的SiC/Al及SiC/Si界面,部分界面上有MgAl2O4颗粒相形成,由于基体合金中Si的存在,生成Al2C3的有害界面化学反应得到了抑制。对不同文献中抑制Al4C3产生所需临界Si含量实验测定结果的差异进行了分析。 相似文献
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1. IntroductionBecause of the adVantages such as ease of fabrication, low cost and near net shape forming capability,liquid metal infiltration has become a popular technique to fabricate metal matriX composites(MMCs)with high contellt reinforcements. In the process ofmelt infiltration, liquid metal penetrates into the continuous porosity of a packed ceramic filler or preform either by aPPlied positive or negative pressuresuch as in vacuum infiltration[1], pressurized liquldmetal infiltration… 相似文献
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将粒度为F280的SiC颗粒振实后直接无压浸渗液态AlSi12Mg8铝合金,制备出高SiC含量的铝基复合材料,并对其结构和性能进行了研究。结果表明:采用该方法制备的SiC/A1复合材料内部组织结构均匀致密,无明显气孔等缺陷,界面产物主要为Mg2Si,MgO,MgAl2O4;平均密度为2.93 g·cm-3,抗弯强度在320 MPa以上,热膨胀系数为6.14×10-6~9.24×10-6 K-1,导热系数为173 W·m-1·K-1,均满足电子封装材料要求。 相似文献
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Al2O3短纤维Al—1/5wt%Mg复合材料的界面研究 总被引:5,自引:0,他引:5
实验研究了液态浸渗后直接挤压工艺制备的Al2O3短纤维/Al-1.5wt%Mg复合材料的界面特点。发现;基体中的Mg在纤维/基体界面处偏聚,发生了界面反应;反应产物MgAl2O4,其厚度约为20nm,远小于由Metcalfe定义的界面反应层第一临界厚度;界面反应产生MgAl2O4的存在,为其体与纤维间提供了较好的结合强度。 相似文献
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采用TEM,EDS,HREM 等测试手段,对液体压力浸渗法制备的Al2O3- SiO2(sf)/ZL109复合材料的界面结构以及界面反应机理进行了观察和分析,结果表明:多晶Al2O3- SiO2纤维和基体金属在复合材料的高温制备过程中发生了化学反应,产生了尖晶石MgAl2O4;MgAl2O4沿复合材料界面呈颗粒状分布,形成了非连续分布的反应结合型界面结构。 相似文献
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《Materials Science & Technology》2013,29(8):1057-1064
AbstractSiCp/Al composites containing high volume fraction SiC particles were fabricated using a pressure infiltration casting process, and their thermophysical properties, such as thermal conductivity and coefficient of thermal expansion (CTE), were characterised. High volume fraction SiC particulate preforms containing 50–70 vol.-%SiC particles were fabricated by ball milling and a pressing process, controlling the size of SiC particles and contents of an inorganic binder. 50–70 vol.-%SiCp/Al composites were fabricated by high pressure infiltration casting an Al melt into the SiC particulate preforms. Complete infiltration of the Al melt into SiC preform was successfully achieved through the optimisation of process parameters, such as temperature of Al melt, preheat temperature of preform, and infiltration pressure and infiltration time after pouring. Microstructures of 50–70 vol.-%SiCp/Al composites showed that pores resided preferentially at interfaces between the SiC particles and Al matrix with increasing volume fraction of SiC particles. The measured coefficients of thermal expansion of SiCp/Al composites were in good agreement with the estimated values based on Turner's model. The measured thermal conductivity of SiCp/Al composites agreed well with estimated values based on the 'rule of mixture' up to 70 vol.-% of SiC particles, while they were lower than the estimated values above 70 vol.-% of SiC particles, mainly due to the residual pores at SiC/Al interfaces. The high volume fraction SiCp/Al composite is a good candidate material to substitute for conventional thermal management materials in advanced electronic packages due to their tailorable thermophysical properties. 相似文献
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用晶化的硅酸铝短纤维作增强体, 用磷酸铝作黏结剂制得预制体, 用AZ91D作基体金属, 通过挤压浸渗工艺制备镁基复合材料。通过光学显微分析、 XRD衍射分析、 SEM扫描分析等, 初步观察研究了硅酸铝短纤维增强镁基复合材料的界面反应规律和反应产物。结果表明: 用硅酸铝短纤维增强AZ91D镁合金通过浸渗挤压法制备镁基复合材料是可行的; 镁与磷酸铝黏结剂反应后在界面上生成一定数量的MgO颗粒和少量的MgAl2O4颗粒, 致使硅酸铝增强纤维和镁合金基体之间形成较强界面结合; 另外, 在硅酸铝短纤维的晶化处理过程中, 由于非晶态SiO2的析出, 导致Mg2Si脆性相在界面附近产生, 从而对该复合材料的力学性能产生一定影响。 相似文献