激光修调厚膜电阻机理浅析

本文着重讨论激光修调厚膜电阻时，激光机的输出功率、Ｑ－开关速率、光斑直径、尖刻尺寸以及所选择的修调图形对厚膜电阻的影响。     

CrSi薄膜电阻制作工艺

研究用溅射法制作CrSi电阻中，工艺技术与工艺参数间的相互关系，给出了高方阻，低温度系数CrSi薄膜电阻制备的方法，及其工艺条件的确定。     

CrSi薄膜电阻退火条件的优化

针对CrSi薄膜电阻稳定性,对CrSi薄膜电阻阻值变化的机理进行分析;通过开展退火条件对CrSi薄膜电阻稳定性的影响实验,获得优化的退火条件,将CrSi薄膜电阻的温度系数从原来的100 ppm降到20～50 ppm,大大提高了电阻网络的稳定性.     

CrSi薄膜电阻温度系数研究

对可能影响CrSi（铬硅）薄膜电阻温度系数（TCR）的工艺参数进行研究分析,通过有针对性的多组试验,优化了工艺奈件,使电阻温度系数从±50ppm／℃降到了±20ppm／℃。     

不同波长激光电阻修调的对比研究

微电子线路的被动或主动元件的激光修调技术，经过二十多年的实践已经发展成一项成熟技术了。在生产精确的混合信号、线性和被动网络方面，该项技术已成为必要工序。由于市场要求器件的尺寸更小、性能更高，因此在大多数情况下必须用激光来精确修调电路。同时，被修调的元件尺寸越来越小，公差越来越严格，也推动了激光修调技术走向更高水平。传统的1m激光波长产生的光斑尺寸及其热影响区域（HAZ），可能不够小，不足以维持电阻的稳定性，也难以使阻值温度系数（TCR）的漂移和改变降到最小。 本文研究了用更短波长的激光进行电阻修调，并将结果与传统的1m波长的修调技术作了比较。     

激光修调工艺

采用先进的激光工艺,对硅上集成电路进行修调(trimming)时,不需要物理接触,可以大大减少电路上pad的数目;同时,激光修调工艺可以实现对电路中的薄膜电阻阻值高精密的调整,等等,半导体集成电路制造商可以大大提高产品的成品率、实现更多以及更高精度的电路功能、获得更高的利润回馈。现在,全球超过70%的模拟电路半导体公司正在采用基于激光的修调工艺(trimming)和融丝(link-blowing)工艺,来提高集成电路的性能和缩短新产品的上市周期,以获得更高的利润空间。全球有超过700台GSI集团公司的硅上集成电路激光修调系统(如图1)在运转。首先,通过…     

一种高精度快速激光修调方案设计

在激光修调过程中,激光的修调路径和控制策略是影响修调精度和修调速度的关键因素,而常规激光修调方案难以同时满足高精度和快速修调。因此,提出了一种高精度快速激光修调方案,使用“离散+连续”结构的金属薄膜电阻图形提高修调效率和可靠性;利用阶梯形的激光修调路径提升修调精度;采用动态测试步长的控制策略提高修调速度。采用上述方案对60个金属薄膜电阻样品进行激光修调,结果表明：修调精度可达0.004%,平均测试步长为2.53,验证了所提出的修调方案可有效提升修调精度和修调速度。进一步将该方案应用在200个温度传感器芯片的校准中,结果表明200个温度传感器芯片的测温误差均校准至±0.2℃以内,平均测试步长为6.29。     

厚、薄膜电阻激光快速微调技术

详细介绍了激光微调厚薄膜电阻的基理、激光调阻系统的构成、激光器选择、光束定位扫描系统及实时检测原理,并给出了调阻过程中各种相关参数。     

溅射法制作CrSi薄膜电阻工艺技术

薄膜混合集成电路中，高方阻、高稳定、低TCR、高命中率的薄膜电阻网络制备是一大难题。本文介绍使用直流磁控反应溅射工艺攻克该难题的方法，即通过对影响电阻结构的多种工艺要素（反应气体成分、比例，磁场强度，热处理温度等）的实验归纳，寻找出制作高方阻CrSi电阻的最佳工艺条件。     

片式电阻激光微调过程中的调阻精度控制

提出了一种基于激光刻蚀路径的修调电阻精度控制方法。该方法通过动态确定L型调阻图形的横、纵向切割长度实现对调阻精度的控制。存保证阻值测量精度的条件下,应用该法在0．1Ω～100MΩ的薄膜电阻阻值进行修调,调阻精度可达到1％。     

TureType字库在激光调阻机中的应用

为了获得一种用于自动激光调阻机中的激光打标系统,选用VB程序设计语言并采用API函数从TureType字库中提取字符信息,将字符信息保存为激光调阻机可读取的文件,以激光划线和激光扫描打点的方式打印空心字和实心字,并将激光打印程序指令化。结果表明使用API函数可以方便地提取字符信息和进行各种字符格式的变换,该系统已经运用到自动激光调阻机中。     

厚膜混合集成电路用的激光调阻系统

介绍厚膜混合集成电路用的激光调阻系统的机理，结构，切割图形及工艺参数。     

氧气氛退火对BST薄膜电阻热敏特性的影响

利用氩离子束镀膜技术在 SiO2/Si 衬底上淀积 BST 薄膜,研究了氧气氛下退火对 BST 薄膜热敏特性的影响。结果表明,当退火温度不太高时(≤600℃),薄膜热敏特性随退火温度升高而变差;但当退火温度较高时(>600℃),薄膜热敏特性随退火温度升高而得到改善。在室温至 200℃范围内 BST 薄膜具有较好的热敏特性,其温度系数最大值为–5.3 %℃–1。并利用 SEM 和 AES 分析了退火条件对薄膜电阻热敏特性的影响机理。     

基于低频噪声的薄膜电阻器可靠性表征方法

薄膜电阻的低频噪声同器件的损伤程度密切相关。文中采用两级低噪声放大器和高速高精度PCI数据采集卡构建的测试系统测量了一组1.5 kΩ镍铬薄膜电阻老化试验前后的低频噪声,结合显微分析发现电迁移是薄膜电阻可靠性退化的主导机制,电迁移损伤发生前后低频噪声的幅值、频率指数和转折频率等参量均会发生异常波动。分析表明,低频噪声能更敏感地反映薄膜电阻的损伤程度,可作为此类器件可靠性无损的筛选依据。     

镍铬薄膜电阻器噪声特性研究

薄膜电阻器的低频噪声有别于常规电阻器的噪声特征,与其结构和工艺密切相关。通过溅射工艺生产的阻值为1.5k?镍铬薄膜电阻器分别在生产完成和1000h老化试验之后进行了低频噪声测量和分析得到器件低频噪声特征,结合电子元器件低频噪声理论探讨了器件中各种噪声成分的来源及产生机制并给出该镍铬薄膜电阻生产线降低噪声的工艺手段。并讨论了电迁移损伤对1/f噪声特征的影响,指出噪声的异常波动对电迁移损伤具有明确的指示作用。     

Laser Trimming of CuAlMo Thin-Film Resistors: Effect of Laser Processing Parameters

This paper reports the effect of varying laser trimming process parameters on the electrical performance of a novel CuAlMo thin-film resistor material. The films were prepared on Al₂O₃ substrates by direct-current (DC) magnetron sputtering, before being laser trimmed to target resistance value. The effect of varying key laser parameters of power, Q-rate, and bite size on the resistor stability and tolerance accuracy were systematically investigated. By reducing laser power and bite size and balancing this with Q-rate setting, significant improvements in resistor stability and resistor tolerance accuracies of less than ±0.5% were achieved.     

混合集成电路激光功能调值技术

本文提出了激光功能微调技术在高精度混合集成电路上的应用，讨论了关键技术问题，并以实例具体说明。该技术的应用为研制高精度混合集成电路开辟了新途径。     

激光调阻工艺参数对调阻精度的影响分析

激光调阻的工艺参数主要包括光斑重叠率、激光功率、调Q频率和调阻速度 ,它们选择的合适与否直接影响激光调阻精度 ,如何确定激光调阻工艺参数是激光调阻控制中的重要问题。文中从理论分析和实验数据分析两个方面研究了激光调阻工艺参数对激光调阻精度的影响 ,并给出了激光调阻工艺参数之间的函数关系式和实际应用 ,为激光调阻工艺参数的选择提供了必要依据。