富士通微电子(上海)有限公司在沪成立

富士通(Fujitsu)宣布在上海成立富士通微电子(上海)有限公司,新公司将统筹富士通在华的半导体设计、开发及销售业务,并在2003年10月30日正式运营,据信这是富士通致力开拓中国半导体市场长远战略的一部分。富士通从1986年开始在中国市场开展有关半导体的设计、开发及销售,由新加坡富士通微电子亚洲私人有限公司和香港富士通微型电子亚太有限公司共同创立。新成立的富士通微电子(上海)有限公司将与富士通微电子亚太有限公司香港设计中心在设计新产品方面紧密合作,开发专用集成电路(ASIC)及单片机等产品。在半导体生产业务方面,富士通微电子(…     

业界新声

富士通在沪成立全新半导体企业 今年10月,富士通在上海成立了富士通微电子(上海)有限公司。新公司作为富士通致力开拓中国半导体市场长远战略的一部分,将统筹富士通在华的半导体设计、开发及销售业务。据悉,在新产品设计方面,新公司将与富士通微型电子亚太有限公司的香港设计中心紧密合作,开发专用集成电路(ASIC)及单片机等产品;在半导体生产方面,新公司将把前道晶片的生产工作分包给本地厂商,然后由南通富士通微电子有限公司进行后道     

富士通半导体选用Cadence签收解决方案

Cadence设计系统公司日前宣布富士通半导体有限公司已经采用Cadence Encounter Timing System（ETS）进行时序签收,此前富士通半导体集团公司旗下的富士通半导体和富士通VLSI有限公司的工程师们完成了一系列ASIC／ASSP和SoC设计的全面对比。     

IP与设计服务

富士通半导体:以55nm工艺提供接近40nm的功耗在移动互联时代,低功耗和低成本芯片技术成为竞争焦点,富士通半导体(上海)有限公司凭借以55nm的工艺提供接近40nm的功耗,满足了客户对低成本和低功耗的需求,并形成自身独特的优势。富士通半导体(上海)有限公司是富士通在中国的半导体业务总部,于2003年8月成立,在北京、深圳、大连、厦门、西安及青岛等地均设有分公司,负责统筹富士通在中国半导体的销售、市场及现场技术支持服务。富士通半导体(上海)有限公司的产品包括专用集成     

富士通在沪成立全新半导体企业统筹其在华的半导体设计、开发及销售业务

富士通宣布在上海成立富士通微电子(上海)有限公司,这是富士通致力开拓中国半导体市场长远战略的一部分,新公司将统筹富士通在华的半导体设计、开发及销售业务,并在2003年10月30日正式运     

富士通半导体携手京西电子发布中国本土化低成本开发工具CN2100-01-E

富士通半导体（上海）有限公司宣布携手其中国最大代理商之一的上海京西电子信息系统有限公司（以下简称京西）,已于近日在京西上海办公室召开了中国本土化低成本开发工具CN2100—01-E产品发布会——暨富士通一上海京西汽车电子应用方案合作研讨会。富士通作为全球领先的汽车半导体厂商之一,深耕中国市场,不断结合本地市场的需求,提供最新的汽车电子领域的产品及各类解决方案。     

富士通年度巡展,首次以统一品牌亮相

富士通首次以统一的“FUJITSU”品牌出现,集结了北京富士通系统工程有限公司、南京富士通南大软件技术有限公司、福建富士通通信软件有限公司和富士通总部等资源,在已有的服务器、ATM等硬件设备的基础上,融合这些公司在软件与服务、IP网络和无线通讯的能力,不以单一产品销售为目标,而是强调为 客户提供全方位解决方案,旨在为客户提供全方位网络信息系统和通信整体解决方案。这充分体现了富士通为顺应本土客户需求作出的重大转变。据悉,富士通已将最新的战略目标确定为“选择和集中,提速,本地化”三个方面,即以富士通(中国)信息系统有限…     

东洋魅力

富士通F705i富士通(中国)有限公司021-33109888 RMB 3000身为DOCOMO的705i系列,富士通F705i以全球最薄的防水手机为卖点。虽然厚度只有     

“引”来金凤凰 “走”出新天地——我国电信业利用外资的相关政策介绍

富士通首次以统一的“FUJITSU”品牌出现，集结了北京富士通系统工程有限公司、南京富士通南大软件技术有限公司、福建富士通通信软件有限公司和富士通总部等资源，在已有的服务器、ATM等硬件设备的基础上，融合这些公司在软件与服务、IP网络和无线通讯的能力，不以单一产品销售为目标，而是强调为客户提供全方位解决方案，旨在为客户提供全方位网络信息系统和通信整体解决方案。这充分体现了富士通为顺应本土客户需求作出的重大转变。据悉，富士通已将最新的战略目标确定为“选择和集中，提速，本地化”三个方面，即以富士通(中国)信息系统有限公司带动在中国的各个公司，形成集成的力量，为中国的用户提供最佳的服务。     

富士通“统一”在中国

富士通号称全球第三大IT及服务公司，但自从1974年进入中国以来，它的中国业务进展得却并不十分顺利。。2003年，富士通在中国的销售额只占其全球收入的百分之三点几。“富士通(中国)有限公司副董事长兼总经理武田春仁说，目前整个富士通70％的收入还是来自于其日本本土市场，其次是欧美市场，富士通(中国)在其总部会议中还处于”人微言     

Theoretical studies of poly(para-phenylene vinylene) (PPV) and poly(para-phenylene) (PPP)

The electroluminescence from PPV and the blue light emission from PPP constitute exciting subjects of study. The band gap of these semiconducting polymers can be engineered in a wide range from red to ultraviolet by structural changes made on them. In the present work, we present a theoretical approach based on semiempirical and ab initio total energy and force calculations of PPV and PPP. We perform a conformational analysis in order to investigate the connection between their structural, optical and electronic properties. We use the large cell approach, in connection with the semiempirical quantum method Extended Hückel (BICON-CEDiT code) and the density functional theory (DFT) within the full-potential linearized augmented-plane-wave method (FPLAPW) as implemented in the computational code WIEN2k. Our results are compared to other calculations and to optical absorption measurements.     

(Sr_(0.5)Ba_(0.5))_(1.9)Ca_(0.1)NaNb_(5–x)TaxO_(15)陶瓷的介电性能

通过Ta掺杂改性钨青铜陶瓷(Sr0.5Ba0.5)1.9Ca0.1NaNb5–xTaxO15(x=0～0.30),分析了Ta掺杂量对其烧结性能、微观结构及介电性能的影响。陶瓷的烧结温度随x的增大略有提高。当x<0.10时,陶瓷的tC和弛豫性变化不大;当x≥0.10时,tm(1kHz)明显降低,从270℃(x=0)降低至231℃(x=0.30)。且tm随频率增加向高温移动,弛豫性明显增强。认为Ta掺杂引起其性能变化是由于Ta—O键与Nb—O键键能的差异,导致陶瓷氧八面体中心离子位移量以及A位离子有序程度的变化所致。     

纳米复合(Nd,Pr)FeTiBC永磁合金的结构与磁性能

采用熔体快淬法制备了纳米复合(Nd1-xPrx)9.4Fe75.6Ti4B10.5C0.5(x为0,0.2,0.4,0.6,0.8和1.0)合金薄带,研究了Pr对合金薄带结构与磁性能的影响规律。结果表明:Pr降低了合金薄带的晶化温度,使合金薄带晶粒变得粗大,不利于合金矫顽力的提高。Pr对合金薄带磁性能的影响不大,不同Nd和Pr比例的合金薄带在最佳热处理条件下,剩磁Br在0.86 T与0.90 T之间,内禀矫顽力Hcj在1 000 kA/m左右,最大磁能积(BH)max介于130 kJ/m3与136 kJ/m3之间。     

Miniband spectra of (AlAs)M(GaAs)N(111) superlattices

Semiconductors - Electron states in the conduction band of (111)-oriented (AlAs)M(GaAs)N superlattices (SLs) with M≥N and N&;lt;10 are considered. The properties of such SLs are mainly...     

单层超晶格Ga_(0.47)In_(0.53)As/InP(110)及半导体合金Ga_(0.235)In_(0.765)P_(0.5)As_(0.5)的状态密度及介电常数(英文)

The DOS, JDOS and ε2(Ω) of monolayer superlattice Ga0.47ln0.53As/ InP(110) have been calculated by a tight-binding approach and compared with that of alloy Ga0.235ln0.765P0.5As0.5 which has the same stoi-chiometric composition as the monolayer superlattice. By using the techniques of the group theory we have obtained the expressions of momentum matrix elements between valence band states and conduction band states with four adjustable parameters. These parameters are determined by fitting the calculated values of ε2(Ω) with the experimental values for InP, GaAs and InAs. Our results show that the superlattice periodicity makes its DOS, JDOS and ε2(Ω) different from those of alloy in varying degree. Due to the folding of Brillouin zone, the JDOS of superlattice turns round in comparison with that of alloy. The momentum matrix elements have different effects for the superlattices and alloys.For the alloys, they can only change the amplitudes of peaks but not the positions of peaks; however, for the superlattices both amplitude and position can be changed.     

Electron-phonon interaction in short-period (GaAs) m (AlAs) n (001) superlattices

The deformation potentials of electron scattering at short-wavelength phonons for intervalley transitions in the conduction band of short-period (GaAs) _m (AlAs) _n (001) (m, n = 1, 2, 3) superlattices are determined by the electron density functional method. The dependences of the electron and phonon states and deformation potentials on the layer thickness in the superlattices are analyzed. The results of ab initio calculations are in good agreement with the data of empirical calculation of the deformation potentials integrated over phonons, but differ from data on the corresponding potentials for partial scattering channels because of approximations of the phenomenological model of interatomic binding.     

Sr0.3Ba0.7Bi3.7La0.3Ti4O15铁电陶瓷的烧结及介电性能

采用两步烧结工艺制备Sr0.3Ba0.7Bi3.7La0.3Ti4O15铁电陶瓷,研究了烧结工艺对陶瓷的晶相和介电性能的影响。结果表明:适当提高最高温度、保温温度和保温时间可改善陶瓷的介电性能。当最高温度为1180～1200℃,在1050～1080℃保温5～15h时,其εr为238～262,tanδ小于10–2,σ为1.0×10–11～10–12S·m–1。该烧结工艺可减少铋的挥发,降低氧空位浓度,因而减弱了陶瓷的高温低频耗散现象。随着保温时间的增加,高温电导得到有效抑制,在1050℃保温15h样品的σ降低了一个数量级,在280℃时为5.2×10–9S·m–1。     

全球信息基础设施总体概念问题(上)

本文讨论了电信技术、网络形态和发展电信技术的指导思想,目的是从技术机理和工程应用方面说明GII网络形态的总体概念.     

sol-gel法制备Ba_(3.99)Sm_(9.34)Ti_(18)O_(54)微波介质陶瓷

以柠檬酸为络合剂,通过sol-gel法制备了Ba3.99Sm9.34Ti18O54陶瓷前驱体;经1100℃预烧2h压片成型后,再在1300℃保温3h,即得到了烧结致密的陶瓷样品。与传统固相法相比,其烧结温度降低了50℃,且陶瓷晶粒细小,晶粒分布均匀,具有更加优良的微波介电性能:εr=79.56,Q·f=9636GHz(4.71GHz),τf=–1.23×10–6/℃。