碲熔剂法生长Hg_(1-x)Cd_xTe熔点测量

红外器件材料Hg_(1-x)Cd_xTe是CdTe,HgTe两种化合物以化学计量比配制的连续固溶体。这种三元合金半导体在生长中存在一系列问题。为获得一定波长的红外器件,必须把生长的晶体控制在响应波长所对应的组份均匀、结构完整而且具有一定电学性能的化学配比范围内。但是,目前所依据的Hg_(1-x)Cd_xTe膺二元系相图并不完全一致。为研究膺二元系碲镉汞晶体的相图,使用了热分析法对我所生长的加入过量碲作熔剂的碲镉汞晶体的熔点进行了测量。应用差热分析方法测量物质的熔点,这是热分析方法常用的手段。但对于碲镉汞材料来说,确实存在着相当的困难。首先,由于碲镉汞材料在熔化过程中汞的挥发,造成熔点测量操作上的困难。其次,由于汞的挥发带来x值的相应改变,使得测量不能获得良好的再现性。第三,由于碲镉汞晶体熔点     

Hg_(1-x)Cd_xTe MIS器件电学特性的研究

MIS器件是研究窄禁带半导体材料碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe)体内及其界面特性的有效工具。我们主要对一种由双层介质组成的Hg_(1-x)Cd_xTe MIS器件的电学特性进行了研究。对Hg_(1-x)Cd_xTe材料表面作适当的物理化学处理之后,利用阳极氧化的方法,在Hg_(1-x)Cd_xTe衬底上生长一层阳极氧化层(厚约600～1200(?)),再利用蒸发或溅射方法在阳极氧化层上淀积一层介质ZnS(厚约1000～2000(?)),组成双层介质结构。而金属栅电极则通过蒸发金属     

Hg_(1-x)Cd_xTe上的阳极硫化〔物〕膜

本文第一次报导Hg_(1-x)Cd_xTe的一种新表面钝化法,它以自身硫化物而不是自身氧化物为基础。在溶液中的电化学元件上用简单的可再现阳极法形成自身CdS膜。在窄带隙Hg_(1-x);Cd_xTe(在77K时为0.1～0.2eV)上由阳极化形成的自身CdS的带隙为2.4eV,看来很适用于表面钝化。研究结果说明已形成具有所要求电和电光性能的界面供在p型Hg_(1-x)Cd_xTe上制备的光伏器件所用。     

无机光致抗蚀剂

一、硫硒碲化合物材料的特点元素周期表上以硒、碲为代表的ⅥB的硫硒碲化合物是与石英系玻璃并列的无机玻璃的代表.它们在热力学上具有清晰的玻璃转变点,在玻璃转变点以下是非平衡的,而且具有多余的内能和熵.它基本上是二配位的原子链或环状排列.     

Cd_xHg_(1-x)Te外延层的研究

在同一温度安瓿瓶中的不同过量组份条件下用“蒸发-冷凝-扩散”法于衬底上生长Cd_xHg_(1-x)Te外延层。研究了生长层的光和电物理性能,并根据生长层厚度研究其性能的变化。指出,在安瓿瓶中加入过量镉实际不影响外延层的性能和生长速率,而加过量碲则加速生长。看来,影响外延层生长的主要因素是HgTe源中碲的蒸发。     

富碲溶液中Hg_(1-x) Cd_xTe的外延生长

本文评论用开管式水平滑移装置从富碲溶液中液相外延(LPE)生长Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜。讨论与富碲溶液LPE生长有关的现象和相关曲线,以及在制备探测器级Hg_(1-x)Cd_xTe中所遇到的问题。本文也涉及LPE生长层的电学和光学特征。     

液相外延生长大面积Hg_(1-x)Cd_xTe外延层

引言本征半导体Hg_(1-x)Cd_xTe变成更为重要的红外光伏探测器材料是因为最近在液相外延(LPE)法生长晶体方面取得了进展。用液相外延法得到的组分均匀性比块体材料好,并且不需要长时间退火来达到均匀性。此外,用LPE法可制备具有不同组分和掺杂浓度的多层HgCdTe结构。用LPE法在CdTe衬底上生长HgCdTe对制备背照式探测器是理想的。在制备每个具有成百或上千个元的HgCdTe焦平面探测器阵列时,就必须要能够生长大面积均匀组分器件质量的HgCdTe。许多单位报导了在垂直和水平炉结构中用LPE法生长了HgCdTe。大多数工作集中于自富碲熔体中进行水平生长,但最近已进展     

用电子能谱法研究Pb_(1-x)Sn_xTe器件表面

一、引言化合物半导体红外探测器的表面性质往往限制了器件的性能。化合物半导体的表面钝化是一个重要问题,这至少部份是由于表面化学增加了复杂性,在多组份材料中这是可能出现的。Pb_(1-x)Sn_xTe属于经常出现明     

Hg_(1-x)Cd_xTe合金的低温热膨胀

测定了合金组分x=0.20和0.30的半导体Hg_(1-x)Cd_xTe的线性热膨胀系数,这对于红外探测器的制备工艺是有意义的。该类半导体的温度依赖关系类同于其它闪锌矿结构的化合物的温度依赖关系。在64K,热膨胀系数变成负值;并且除在30K以下外,热膨胀系数都不受组分影响。在30K以下,富HgTe的合金有较低的负极小值。     

Hg_(1-x)Cd_xTe的液相外延

本文介绍用平拉装置,在大气压力下,用富Te生长液,在面积达到2厘米×3厘米的CdTe衬底上,外延生长n型和p型Hg_(1-x)Cd_xTe晶体,能很好控制x值为0.2、0.3和0.4的Hg_(1-x)Cd_xTe晶体的生长,对其生长层的半导体特性进行了测量。     

有机金属气相外延生长的Cd_xHg_(1-x)Te及其性能

用二乙基碲化物、二甲基镉和液体Hg作源材料在流动H_2中完成了Cd_xHg_(1-x)Te的外延生长。在生长富Hg的Cd_xHg_(1-x)Te时碰到的问题是需要比较高的平衡Hg压以避免分解。生长的低温限由二乙基碲化合物的稳定性决定,讨论了这个问题以及蒸汽中额外化合物形成的结果。用X射线能量色钐显微分析(EDX)和二次离子质谱分析(SIMS)得出的Cd、Hg和Te的深度分布说明深度均匀性良好和相互扩散区不到1微米。对比了用有机金属汽相外延和其他一些外延方法的Cd/Hg相互扩散。用光学显微法和扫描电镜研究了在偏离(100)取向2°的CdTe上生长的外廷层,发现HgTe的表面光洁度很粗糙,但超过x=0.2的组分则表面平滑。根据阶梯生长模型讨论了这些结果。霍尔系数随温度变化的初步研究说明在最低温(～4.2K)下有高的自由电子浓度。用二次离子质谱分析对这些外延层之一进行的分析指出有高的In含量,但在初步检查所研究的其他外延层中没有这种情况。     

Hg_(1-x)Cd_xTe和Hg_(1-x)Zn_xTe的线性热膨胀系数

本文报道了有几种x值的Hg_(1-x)Cd_xTe(MCT)和Hg_(1-x)Zn_xTe(MZT)及其组成的二元化合物的热膨胀系数。膨胀系数的低温变化表明,与HgTe相比,MCT键参数变化很小,而对MZT,其键强度显著增加。     

Ⅱ-Ⅵ族化合物Cd_xHg_(1-x)Te的分子束外延

本文第一次报导了Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物Cd_xHg_(1-x)Te的分子束外延(MBE)。在MBE(111)CdTe表面上于100℃下完成外延。所用的三种材料源为Cd、Te和作为Hg源的HgTe。Cd/Te通量比率决定x值,即合金的组分。不同x值(由0～0.35)和厚度(达6微米)的层为具有条纹绕射花纹的单晶。其表面光亮清洁。     

Ga_xIn_(1-x)P-GaAs的液相外延生长

<正> 异质结半导体激光器问世以来已取得了很大的进展,目前已做到室温连续工作寿命十万小时以上.但是异质结激光器的工作大部份集中在Al_xGa_(1-x)As-GaAs和Ga(1-x)In_xPyAs(1-y)-InP两种材料上.它们的发光波长在近红外区,分别为～0.89μm和 1.1-1.6μm.配合光纤的最低损耗区,利于在光纤通讯中使用.可见光波段的半导体激光器有自己独特的应用前景,仅光盘一项的使用量就很大.目前虽然有很多人用Al_xGa_(1-x)As(0.2     

红外探测器用MOVPE生长Cd_xHg_(1-x)Te的最新进展

在英国用MOVPE(金属有机汽相外延)法生长红外探测器用的Cd_xHg_(1-x)Te已研究了将近十年。首次报导采用MOVPE法生长碲镉汞是在1981年,随后取得了一系列的重大进展,诸如IPM(互扩散多层工艺),在选择衬底上生长、选择烃基碲tellurium alkyls)以及由少数人命名的光-MOVPE。目前、英国人认为MOVPE在降低生长温度、生长多层结构及控制掺杂方面可取代块状或液相外延生长碲镉汞     

化合物半导体的最近研究动向

当前,硅工艺日趋成熟,在材料研究上,今后将主要以化合物半导体为目标了。去年秋天,关于化合物半导体,在欧洲曾开了几次国际会议,下面根据会议的情况介绍一下最近的研究动向。 10月5日～7日在两德的阿亨大学召开了第三次GaAs和有关化合物半导体的国际会议。会议共分五个部分:气相外延生长、液相外延生长、微波器件(电子转移振荡器)、光电子学及器件、其他器件。在材料方面,虽然对进一步提高GaAs的高纯度均匀性上曾做过一些努力,但目前研究的主要对象是InP、GaP等磷化物和Al_xGa_(1-x)As、Ga_(1-x)In_xAs、InAs_(1-x)P_x等三元化合物半导体。     

Ⅱ-Ⅵ族化合物(Hg_(1-x)Cd_xTe)非晶薄膜的半导体性质

本文对用蒸发法制备的非晶和多晶碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe)薄膜的结构特性及其光学和电学性质进行了研究。在800—2600nm的波长范围内测量了样品的透过率,得到了非晶和多晶状态相应的光学隙分别为1eV以上和0.65eV左右。对非晶样品的退火实验发现,在90—100℃区间退火使非晶样品的结构转变为多晶,同时电阻率突然变小约5个数量级和光学隙由1eV以上突变为0.62eV左右。在20—300K的温度范围内,分别测量了非晶与多晶样品的电阻率,所得结果可用现代非晶半导体理论进行解释。     

Ⅱ-Ⅵ族化合物Cd_xHg_(1-x)Te的分子束外延

本文是有关Ⅱ—Ⅵ族半导体化合物Cd_xHg_(1-x)Te的分子束外延法的第一篇报导文章。外延生长是在100℃温度下、在用分子束外延得到的CdTe(111)面上进行的。     

Hg_(1-x)Cd_xTe外延层的生长和性质

本文研究了在开管滑移系统中由富Te溶液生长较低x值(0.2—0.3)的碲镉汞(Hg_(1-x)C_(dx)Te)外延薄层问题。提出一种具有独到特色的半封闭滑移接触系统,使我们有可能在大气压下生长出低x值的材料。采用Cd_(1-y)Zn_yTe和Hg_(1-x)Cd_xTe衬底替代CdTe衬底,改善了薄膜的质量。讨论了衬底的影响和生长过程,同时给出位于较低温度处的固相线。原生外延层是p型的,77K时,空穴浓度约为1×10~(17)厘米~(-3),空穴迁移率为300厘米~2伏~(-1)秒~(-1),过剩少子寿命为3毫微秒。     

Hg_(1-x)Mn_xTe:红外探测器材料的一种新的侯选者

美国印第安纳州普杜大学物理系J.K.Furdyna在《SPIE》Vol.409(1983)上介绍一种新型材料Hg_(1-x)Mn_xTe,并将它与大家熟知并公认为目前最有前途的材料Hg_(1-x)Cd_xTe相比较。Hg_(1-x)Mn_xTe与Hg_(1-x)Cd_xTe这两种半导体材料有许多相似之处。在材料结构和晶体特性方面,Hg_(1-x)Mn_xTe也是一种优质的闪锌矿结构晶体,生长方法亦类似,只是Hg_(1-x)Mn_xTe的