LiF晶体中色心的吸收光谱与正电子湮没辐射多普勒展宽研究

我们用吸收光谱与正电子湮没方法研究了辐照LiF中的色心。样品是纯的LiF单晶。用~(60)Co的γ射线在室温下照射样品。当剂量的变化范围为1×10~5rad—1.3×10~8rad时,LiF晶体中出现了F、F_2、F_2~ 、F_3、F_4、R_1和R′等色心,由于受光谱仪波长范围的限制,F_2~-未观察到。当照射剂量小于1×10~6rad时,我们得出F-心浓度、S-参数的相对变化是剂量平方根的线性函数。然而,当剂量大于1×10~6rad,由于F-聚集心的出现,S-参数正比于照射剂量的对数。     

色心激光器材料LiF和LiF：（OH）^—的正电子湮没谱研究

对LiF(F_2~+)和LiF:(OH)~-(F_2~+)色心晶体经液氮温度电子束辐照后,在室温下放置不同时刻的正电子湮没谱进行了研究,发现寿命谱中第一、第二成分的相对强度I_1、I_2及Doppler展宽谱中S参数随着F_2~+心的衰减呈有规律的变化,且与辐照剂量有一定关系。     

LiF:Ni~(2+)晶体的正电子寿命谱

本文研究了掺Ni~(2+)的LiF晶体的正电子湮没特性。寿命谱测量使用快-慢符合正电子寿命谱仪,其双高斯分辨函数的参数为:半高宽度W_1=242ps,W_2=399ps;相对强度I_1=61.4％,I_2=38.6％;中心相对位移29ps。晶体由上海光学仪器研究所提供,用火焰原子吸收光谱仪测定Ni的含量。每个寿命谱总计数不少于9×10~5。测试的环境温度T=23±0.5℃。采用Posi-tronfit程序以三寿命成份拟合实验数据。结果(见表)表明,第三个成份的寿命和强度基本上不随样品变化(τ_3=(1.0±0.3)ns,I_3=(2.0±0.5)％),可以归结为源的影响;而另两个成份随     

辐照LiF单晶的色心研究

LiF晶体是一种新型的激光物质,辐照能使其产生色心。我们用吸收光谱和湮没辐射多普勒展宽方法作了研究。     

中子辐照硅的正电子湮没研究

采用正电子湮没方法研究了１．４５×１０＾２０ｎ／ｃｍ＾２和３．１０×１０＾１７ｎ／ｃｍ＾２快中子辐照高纯单晶硅的辐射损伤及其退火效应。在３４３－１０７３Ｋ温度范围内测量了正电子湮没寿命随退火温度的变化。实验观察到氧－空位对和在高中子剂量辐照的Ｓｉ中发现的双空位复合成四空位。正电子湮没短寿命成分τ１是晶格正电子寿命和氧－空位对捕获的正电子寿命的加权平均值，而长寿命成分τ２是双空位或四空位捕获的正电子     

电子辐照Ni_3Al的正电子湮没研究

Ni_3Al是一种金属间化合物,其结构与有序合金Cu_3Au相同,是Ni基超耐热合金的主要强化相。在室温,成分范围为72.5～77at.％,化合比两侧形成替代式固溶体。理想成分的Ni_3Al,到接近熔点附近仍保持有序结构。     

富勒烯晶体的正电子湮没寿命

系统研究了室温下石墨及富勒烯晶体的正电子湮没寿命，发现Ｃ６０及Ｃ６０／Ｃ７０的寿命值分别为３７９ｐｓ和３８８ｐｓ，并给出纯Ｃ７０的双寿命拟合值为２５８ｐｓ和４１０ｐｓ。     

用正电子湮没方法测定铌酸钾晶体的色心浓度

铌酸钾(简称KN)晶体是一种优良的非线性光学材料。它不仅在激光技术应用上有广阔的前景,而且对晶体缺陷、结构相变等基础理论研究亦可提供丰富的信息。 制得的KN晶体常会呈现不同的颜色,认为这种颜色是色心引起的,建议用退火方法消除之。现在缺少一种简便的测量KN晶体色心浓度的方法。我们用正电子湮没方法测量了:①无色、淡蓝、蓝色(化学成份相同)三种KN晶体的寿命谱;②同一块KN晶体退火(1000℃,10小时)前、后的正电子湮没谱。③同一块KN晶体辐照前、后的正电子湮没谱(辐照处理条件是,X光管电流200mA,功率12kW,辐照时间80min),测量结果如下。     

用正电子湮没实验研究PbWO4新型闪烁晶体绿光发光机理

通过正电子湮没寿命谱研究ＰｂＷＯ４晶体退火处理前后缺陷的变化,发现氧退火后,晶体正电子寿命值τ２变小,正电子捕获率ｋ增大,真空退火反之。并且ＰｂＷＯ４晶体氧退火后发光主峰位从４４０ｎｍ称到４８５ｎｍ的绿光处,而真空退火晶体发射谱谱形并未变化。从不同退火处理对晶体的影响,提出了ＰｂＷＯ４晶体中铅空位形成ＷＯ３＋Ｏ＾－发绿光的发光模型。     

热释光材料LiF：Mg,Ti,LiF：Mg,Cu,P和MgSO4的正电子湮没特性

测量了经＾６０Ｃｏγ辐照的热释光材料ＬｉＦ：Ｍｇ，Ｔｉ，ＬｉＦ：Ｍｇ，Ｃｕ，Ｐ和ＭｇＳＯ４的正电子湮没寿命谱，所有寿命谱都分成三个成分，两种不同掺杂的ＬｉＦ样品，其τ２成分寿命参数十分接近，表明正离子空位对寿命谱影响较小，并且观察到，在剂量范围为０．０５－１ｋＧｙ内，τ２成分寿命参数随剂量按相反趋势发生较小的变化，等时退火实验表明，ＭｇＳＯ４样品的τ２和τ３成分与硫酸基有关，其大小可参取决于Ｍｇ＾     

低温下正电子在GaAs和中子辐照硅中的湮没特性

在80～300K的温区范围内测试了掺铬、掺碲的砷化镓单晶及中子辐照后高阻P型直拉硅及区熔硅的正电子湮没寿命谱。谱仪的FWHM为350ps,每个数据点的积分计数约10~6。实验结果如图1所示。     

正电子湮没寿命与BaF_xCl_（2－x）：Eu~（2＋）中缺陷的关系

讨论了光激励发光材料ＢａＦｘＣｌ２－ｘ：Ｅｕ２＋中的缺陷与正电子湮没寿命的关系．通过实验结出随着ｘ值的改变即Ｆ／Ｃｌ比值的变化对形成Ｆ色心的影响，并且给出了ｘ值与Ｆ色心的种类与浓度的关系．     

硅橡胶中的正电子湮没寿命谱分析

硅橡胶是一种特种橡胶材料,用途十分广泛。我们用正电子湮没寿命谱方法对硅橡胶材料进行了测量分析。经过分析,第一寿命τ_1看作为自由正电子湮没和p-Ps自湮没的结果;第二寿命τ_2为正电子处在生胶大分子缠绕、交叠处和高温硫化胶交联处湮没的结果,第三寿命τ_2应为样品中形成的o-Ps的Pick-off湮没的结果。正电子在硅橡胶中的寿命参数与硅橡胶的分子量、交联密度、大分子链的缠绕交叠等情况紧密相关。     

水结构的正电子湮没研究

正电子及正电子素在水和冰中湮没的实验结果显示出冰人有相同的电子结构，由水分子结构提出了水分子在氢键作用下生成３－水分子集团，这个基团的范德瓦尔斯散力的作用下生成宏观水，水的这个结构模型不但解释了正电子在水和冰中湮没的实验结果，与水的能态图相一致，而且得到了原力显微镜（ＡＦＭ）对水层结构观测的支持。