触头材料近期发展评述

本文对触头材料近期发展情况进行评述，重点论述了固定接触新型镀层材料；助接触剂怀填料；真空开关用触头材料，包括具有高耐压，高开断能力，低过电压等性能的触头材料：低压电器用触头材料，主要是银金属氧化物材料。最后，略谈触头材料设计理论研究与发展前景。     

论电器触头材料的理论研究问题

本文论述了触头材料理论中的若干问题，对触头材料的抗静，动熔焊能力判据，截流水平模型，分断能力判据等进行了总结分析，并指出了材料理论研究对于提高新材料新电器的研制效果有重要意义。     

电触头材料分断能力研究

阐述了触头间隙介质恢复过程和电压恢复过程的定量模型，分析比较了的触头分断能力理论判据，论述了触头材料的优选与改进对提高分断能力的重要性。     

论电器触头材料的理论研究问题

本文论述了触头材料设计中的若干问题，对触头材料的抗静、动熔焊能力判据，截流水平模型，分断能力判据等进行了总结分析，并指出了材料理论研究对于提高新材料新电器的研制效益具有重要意义。     

电触头材料熔焊、截流理论预测研究

本文介绍了评价触头材料及其不同配对时抗动、静熔焊能力相对大小的理论判据，指出电触头材料在非对称配对时，其抗动熔焊能力存在“最优效应”、“最劣效应”和“中间效应”，其抗静熔焊能力存在“弱中间效应”．介绍了一种新的简洁易用的触头截流理论模型，该模型能方便地预测不同触头材料截流水平的大小顺序，并指出了低截流触头材料所应具有的电气、物理、热学性质。     

电触头材料熔焊,截流理论研究

本文介绍了评价触头材料及其不同配对时抗动、静熔焊能力相对大小的理论判据，指出电角头材料在非对称配对时，其抗动熔焊能力存在“厚优效应”，“最劣效应”和“中间效应”；其抗静熔焊能力存在“弱中间效应”，介绍了一种新的简洁易用的触头截理论模型。该有方便地预测不同触头材料截流水平的大小顺序，并指出了低截流触头材料应具有电气，物理、热学性质。     

真空开关触头材料分断能力理论判据研究

本文阐述了电触头材料分断能力理论研究的概况。研究了阴极电流发射密度与材料性质参数的关系，提出了一种新的能预测触头材料分断能力相对大小的理论判据，并得到了实验验证。从此判据可以看出，增大触头材料的原子量、密度、比热、沸点、熔化与气化潜热；减小其电阻率、游离电位将有助于提高分断能力。     

纳米触头材料电性能研究进展

分析了纳米材料与常规材料在热学性能和机械性能上的差异,综述了纳米触头材料在截流水平、抗电弧侵蚀和耐压能力等电性能研究上取得的进展,并对已有研究成果进行了概括和总结。结果表明:相对于同种配比的常规触头材料,纳米CuCr和AgFe触头材料的截流水平低于常规触头材料;纳米CuCr和AgFe的直流电弧稳定性高于常规触头材料,直流电弧寿命大于常规触头材料;纳米CuCr触头材料的耐压能力高于常规触头材料;纳米AgSnO2和AgNi触头材料的抗电弧侵蚀性能优于常规触头材料。因此,在今后对纳米触头材料的研究和开发过程中,加强纳米触头材料制备工艺研究和纳米触头材料的理论研究,有利于提高纳米触头材料电性能。     

电触头材料熔焊,截流理论预测研究

本文介绍了评价触头材料及其不同配对时抗动、静熔焊能力相对大小的理论判据，指出电触头材料在非对称配对时，其抗动熔焊能力存在“最优效应”、“最劣效应”和“中间效应”，其抗静熔焊能力存在“弱中间效应”。介绍了一种新的简洁易用的触砂截流理论模型，该模型能方便地预测不同触头材料截流水平的大小顺序，并指出低截流触头材料所应具有的电气、物理、热学性质。     

电触头材料及其不同配对时抗动熔焊能力的研究

本文从传热暂态方程及电热电弧理论出发，推导出了评价触头材料及其配对形式的抗动熔焊能力判推。该判据能方便地预测出不同触头材料抗动熔焊能力的大小顺序，并进一步指出材料非对称配对时，其抗动熔焊能力存在“最优效应”、“最劣效应”和“中间效应”。试验结果表明本判据的预测是可行的。     

Cu20Cr5Ta真空开关触头材料特性的对比研究

铜铬广泛用于真空开关，作为真空断路器的触头材料。为了提高铜铬触头材料的分断能力，在其中添加了高熔点金属钽。研究了Cu20Cr5Ta触头材料的截流水平及分断能力，并与常用的Cu50Cr,Cu25Cr进行了对比，发现在触头尺寸相同，采取同样触头结构的情况下，Cu20Cr5Ta的电流极限分断能力比Cu50Cr,Cu25Cr强，而且Cu20Cr5Ta具有更低的截液水平，因此Cu20Cr5Ta是一种适用于真空开关的优良的触头材料。     

电触头材料抗静熔焊能力的研究

本文从传热暂态方程出发，推导出了评价触头材料抗静熔焊能力的理论判据，并依此预测出材料非对称配对时其抗静熔焊能力存在“弱中间效应”。文中对理论预测值和试验结果进行了比较，表明用此判据预测是可行的。     

城网建设与高压开关

触头材料是真空灭弧室技术进步的另一个方面。触头材料最初用的典型材料为铜铋(CuBi)合金。此材料开断能力差,且截流值高。据资料介绍,采用铜铋触头材料的真空断路器的截流水平一般为10～12A。现触头材料一般用铜铬(CuCr)触头材料,它不仅开断电流大,而且截流水平低,一般为3(实验室值)～5A(厂家保证值),而我国CuCr50触头的平均截流值仅2～2.5A,最大截流值3.2A。日本已研究出低过电压触头材料,可将截流值降至1/10。同时研究熄弧能力更强的触头材料如铜钽(CuTa)等。     

新型真空开关触头材制的特性研究

0引言 真空开关的性能与触头材料密切相关，任何一次触头材料的发展都会引起真空开关性能的提高或改善，触头材料开断能力的提高不仅会大大缩小真空灭弧室的尺寸，而且会使真空开关整机的结构隔更加紧凑，节约金属及其他材料，并可以提高真空开关的可靠性。CuCr是目前广泛应用于真空断路器的触头材料，为了提高开断能力，在其中加入高熔点材料钽。     

提高小型化交流接触器分断能力的探讨

本文在分析了交流接触器的分断和灭弧过程的基础上，结合我们开发的具体产品，提出了提高小型化小容量交换接触器能力的具体措施，通过对触头回路，灭弧室和触头材料的改进，将接触器的约定操作性能接通分断能力从Ic=72A提高到Ic=108A。     

磁场作用下直流电弧分断特性及触头侵蚀的研究

直流电弧作用下，触头侵蚀现象会对电器接触系统性能产生影响，降低电器使用寿命。为探究触头分断时电弧特性以及对触头的侵蚀过程，本文基于磁流体动力学理论并结合动网格技术，以AgSnO₂为触头材料，建立了电弧-触头多物理场数值耦合仿真模型。分析了恒定磁场下电弧特性随时间的变化过程，并进一步探究了不同磁场强度电弧对触头侵蚀变化规律；考虑触头材料的相变并求解了触头内部温度分布和熔池的形成过程。仿真结果表明，电弧受洛伦兹力作用转移至触头边缘，触头材料温度上升发生相变形成熔池。在一定范围内，随外加磁场强度变大，电弧熄灭速度加快，触头表面熔池域变小。最后，采用粉末冶金法制备AgSnO₂触头材料并进行电弧分断实验，实验所得影响规律与仿真结果较为一致。     

触头材料及其性能测试技术概述

电接触理论是研究各类电器触头系统的关键理论,研究电接触理论有助于提高各类电器的可靠性与使用寿命。本文对常用触头材料进行了介绍,总结了各类材料的性能表现,并对各类触头材料测试方法进行了总结与讨论。     

触头材料近期发展评述

本文重点论述了固定接触新型镀层材料、助接触剂、真空开关用触头材料、低压电器用触头材料,最后略谈触头材料设计理论研究与发展前景。     

新型报—金属氧化物触头材料

由一种新型加工工艺发展了一种新型银—金属氧化物触头材料。新工艺是在更高的氧压下进行热处理（＞10MPa），传统工艺氧压只有0．02～3MPa。新工艺使得银－金属（锡、镉、锌等）的氧化物材料有了许多特性。新工艺使银—氧化锡触头中含有占总重量6％～10％的锡，而传统工艺不行。新的触头材料是在银合金中扩散直径在几纳米到几十纳米之间的金属氧化物粒子。这层氧化物，可以极大地提高触头抗熔焊和抗电弧侵蚀的能力。它们比传统内氧化工艺的材料有更高的强度。它们适于做大的触点。触头的厚度可以在原有的基础上减至一半，因为新工艺不会产生耗尽区。     

小电流下电触头材料转移的研究

本文主要研究银基触头材料对称配对和非对称配对时直流小电流下触头在分断和接通过程中的材料转移机理。在触头试验机上进行了大量试验,得到了触头材料转移的特性曲线,并运用电弧及电接触基本理论,对材料转移方向反转进行了理论探讨。同时对热源反复作用下触头材料成份和性能的变化进行了研究,提出了“热循环效应”的新论点。