具有低噪读出特性的VO2非致冷焦平面读出电路

介绍了一种针对二氧化钒敏感材料的CMOS读出电路(RO IC).该电路结构简单,适合大规模焦平面阵列,并具有良好的低噪特性,可以有效地降低焦平面衬底温度波动影响和抑制一些低频噪声.该读出电路已成功地应用于32×32元微测辐射热计焦平面阵列原型.     

基于CMOS工艺的横向多晶硅p^＋p^-n^＋结红外微测辐射热计

基于多晶硅p-n结正向压降的温度特性,应用标准CMOS工艺,结合体硅微机械加工技术,研制成功非制冷红外微测辐射热计.本文详细分析了横向多晶硅p+p-n+结的温度特性,给出了正向压降温度变化率的理论表达式和实验测量值;并描述了微测辐射热计的设计思路和制作工艺.实验结果表明在室温(284～253K)附近,横向多晶硅p+p-n+结正向压降的温度变化率为1.5mV/K;在3～5μm红外波段,微测辐射热计的电压响应率为5.7×103V/W,黑体探测率D*为1.2×108cm.Hz1/2.W-1.     

非致冷红外焦平面阵列读出电路的设计和SPICE模拟

读出电路是非致冷红外焦平面阵列的核心部件之一,对电路进行SPICE模拟是验证电路的重要手段。针对近年来得到迅猛发展的微测辐射热计(VOx)非致冷红外焦平面阵列的特点,提出了相应CMOS读出电路的设计方案,并用PSpice9.2给出了4×4CMOS读出电路的实现和精确的模拟结果。模拟结果表明,该方案是适合微测辐射热计非致冷红外焦平面阵列读出电路一种较为理想的形式,同样也适合于大阵列(如160×120和320×240)的CMOS读出电路。     

一种新型的高均匀性非制冷红外读出电路研究

针对非制冷红外探测器系统,设计了一种高均匀性的读出电路(ROIC)结构。由于非制冷红外焦平面阵列中微测辐射热计的制作工艺存在偏差导致探测器输出存在非均匀性,其中列条纹尤为明显。所提出的读出电路能有效地消除列条纹、提高均匀性。该ROIC已在0.5?m CMOS工艺下成功流片,并应用到阵列大小为320×240的非制冷微测辐射热计焦平面上。测试结果表明:固定图像噪声(FPN)仅为0.088V,无明显列条纹。该ROIC在高均匀性的非制冷红外探测器上有着广泛的应用。     

非制冷红外焦平面探测器及其技术发展动态

非制冷红外焦平面探测器是热成像系统的核心部件。介绍了非制冷红外焦平面探测器的工作原理及微测辐射热计、读出电路、真空封装三大技术模块,分析了影响其性能的关键参数。与微测辐射热计设计相关的重要参数包括低的热导、高的红外吸收率、合适的热敏材料等;读出电路的传统功能是实现信号的转换读出,近年来也逐渐加入了信号补偿的功能;真空封装技术包括了金属管壳封装、陶瓷管壳封装、晶圆级封装和像元级封装。列举了国内外主要厂商的非制冷红外焦平面探测器的技术指标及近年来的最新技术进展,总结了非制冷红外焦平面探测器的技术发展趋势。     

非制冷长波红外焦平面列阵现状

文章介绍了非制冷测辐射热计和铁电陶瓷焦平面列阵的现状，包含8万个非制冷氧化钒红外探测器的焦平面列阵已制成热像仪，系统的噪声等效温差（NETD）为0．04℃，不需要制冷和机械调制入射辐射。多晶硅热敏电阻和硅p－n结温差电堆焦平面列阵的研究工作取得了进展，用溅射和化学汽相淀积技术已制成128×128元硅薄膜测辐射热计焦平面列阵，单元探测器的探测率为1×109cmHzW－1；128×128元温差电堆焦平面列阵的NETD为0．5℃。利用热释电效应和介电常数温度变化的铁电陶瓷焦平面列阵制成的热像仪，NETD已达到0．047℃。     

红外焦平面探测器数字读出电路研究

读出电路是红外焦平面探测器组件的重要组成部分,其性能对探测器乃至整个红外成像系统的性能有重大影响。随着硅CMOS工艺的发展,数字化读出电路以及读出电路片上数字信号处理等功能得以实现,能够大幅度提高红外焦平面探测器的性能。以红外焦平面探测器对读出电路的要求入手,分析了读出电路各性能参数对红外焦平面探测器性能的影响,介绍了读出电路的数字化技术及各种实现方式以及数字积分技术。CMOS技术的发展使得数字积分技术在红外焦平面探测器读出电路中得以实现,有效解决了读出电路的电荷存储容量不足的问题,极大地提高了探测器性能。     

微测辐射热计阵列读出电路的单片集成设计

微测辐射热计阵列读出电路的单芯片集成,有利于红外焦平面阵列的智能化和红外成像系统的便携化发展.提出了一种非致冷红外焦平面阵列读出电路,基于SMIC 0.18 μmCMOS工艺,采用CTIA型单元读出电路结构,实现了偏置模块、驱动信号源模块、电流积分模块、相关双采样模块(CDS)和缓冲输出模块的单芯片集成,成功制造了1×8读出电路原型.仿真结果表明,设计的读出电路的线性度大于99％,功耗小于5 mW,适合于大面阵移植.     

微测辐射热计焦平面阵列CMOS读出技术研究

非致冷微测辐射热计探测器以其低价格，高可靠性和高性能能成为热像仪的首选。制作在硅衬底中的读出电路的设计直接影响到整个系统的性能。按读出方式来分，测辐射热计集成读出电路（ROIC）可分为顺序存取读出电路和随机存取读出电路，本文介绍了测辐射热计读出电路的设计原理。分别对两种读出方式作了分析，重点研究了顺序存取读出电路中的移位寄存器，提出了解决延迟的切实可行的方案。     

CMOS工艺制作的横向多晶硅p+p-n+结的温度特性及其应用

应用标准CMOS工艺制作了横向多晶硅p p-n 结,对其正向电流-电压的温度特性进行了理论分析和实验研究.实验结果表明:横向多晶硅p p-n 结的理想因子为1.89;在室温附近(T=27 ℃),恒定的正向偏置电流(1 μA)工作条件下,横向多晶硅p p-n 结正向压降的温度变化率约为-1.5 mV/K,与理论计算值相吻合;并且应用横向多晶硅p p-n 结正向压降的温度特性,研制成功非致冷红外微测辐射热计, 其黑体响应率Rbb(1 000 K,10 Hz)=4.3×103V/W.     

Wireless communications + + +

Commencing with the advancements that may be expected in 3G during the first decade of this century, we move on to anticipate subsequent developments based on what society might need and the technologies that may be required. The near demise of mobile satellite networks and removal of radio broadcasting from potential mobile radio bands will provide the necessary bandwidth for high capacity, high quality multimedia mobile services utilising a dense concentration of fibre networks coupled to radio cells of all sizes. The integration of many factors from high aerial platforms (haps) (that are located in the stratosphere and from terrestrial cells that can be adjusted in size and moved instantly to suit teletraffic changes) to picocells, body-LANs to the fixed network, software agents to soft telecommunications, will be discussed. Finally the possibility of our networks metamorphosing into a global brain, and how man-kind might adapt to this supra-intelligence will be addressed.     

BF_2~+,F~+ +B~+和Ar~++B~+注入硅快速退火剩余损伤及对浅P~+N结的影响(英文)

The residual damage is analysed by transmission electron microscopy (TEM) for BF2+, F+ + B+ and Ar+ + B+ implanted silicon after rapid thermal annealing(RTA). And the reverse leakage current of the implanted diodes is measured using a FJ-356 electrometer. The results show that 1 ) The residual damage due to BF2+ implantation is less than that of F+ + B + and Ar++ B+ implantation. 2) The reverse leakage current of BF2+ implanted diodes is less than that of F+ + B+ and Ar++ B + implanted diodes. 3) The reverse leakage current of F++B+ and Ar++ B+ implanted diodes increases with the increase of F+ and Ar+ energies, respectively. Therefore the physical behaviour of the interaction between molecular ion and silicon is different from that of the interaction between individual atom ion and silicon.     

p+-n-p+ BARITT-diode design

p+-n-p+ BARITT diodes have been designed to give maximum output power at X band frequencies. Computed output power against frequency shows good agreement with measured powers. The dominant effect of the maximum n region electric field on output power is demonstrated.     

C／C＋＋TEST

C++Test是来自于ParasSoft公司的用于C及C++单元测试的新工具,它使得发现和修改以前会迅速扩展并蔓延成更严重问题的错误变得更容易和有效.使用C++Test工具是完全自动化的,为了更快的测试,只需在文件中依次点击C++Test的打开、建立,就会完成测试.为了进行完整的测试,可以修改测试参数以使C++Test自动完成白盒、黑盒及逆向测试. 白盒测试用于测试代码结构.C++Test通过自动产生并运行测试用例,当它们接受不可预知输入时来检查文件、类、方法的行为.     

TVPON＋TVPCN＋EPON＋EPCN技术的实践应用

利用TVPON＋TVPCN＋EPON＋EPCN技术在有线广播电视网络中的完美结合,既实现了传统的广播式大容量信息的下行传输,又实现了互联网接入的双向宽带功能,并对接入网中的有源设备进行全程全网管理。     

Small-signal noise behaviour of companion p+-n-p+ and p+-n-v-p+ punchthrough microwave diodes

The frequency and current dependence of the noise factor of tuned microwave amplifiers, utilising punchthrough injection transit-time diodes, has been determined. Noise factors as low as 10 and 11 dB were obtained from companion p+-n-p+ and p+-n-v-p+ structures, respectively, when tuned to frequencies in the vicinity of 7.5 GHz.     

半绝缘GaAs中Mg~++P~+双注入研究

本文对Mg~+和P~+双离子注入半绝缘GaAs的行为进行了研究.发现不论是常规热退火还是快速热退火,共P~+注入都能有效地提高注入Mg杂质的电激活率,其效果优于共As~+注入,共P~+注入的最佳条件是其剂量与Mg~+离子剂量相同,电化学C—V测量表明,双注入样品中空穴分布与理论计算值接近,而单注入样品中则发生严重偏离,快速热退火较常规热退火更有利于消除注入损伤.     

F2+uF2+…+ukF2环上的循环码

在有限环F2＋uF2＋…＋u^k F2与F2之间定义一个新的Gray映射，证明了该映射是距离保持映射。考察了F2＋uF2＋…＋u^k F2环上循环码，得到了F2＋uF2＋…＋u^k F2环上循环码的生成多项式。最后，证明了F2＋uF2＋…＋u^k F2环上循环码在新定义的Gray映射下的像是F2上的准循环码。     

Experimental comparison of silicon p+-n-p+ and Cr-n-p+ transit-time oscillators

Punchthrough transit-time diodes have been constructed with both Schottky-barrier and diffused-junction emitters. The microwave and d.c. characteristics of these devices are strikingly similar. Either construction technique appears to be suitable for the future development of low-noise microwave sources.     

环F2+uF2+vF2+uvF2上(1+uv)-循环码

该文定义了有限非链环R=F2+uF2+vF2+uvF2上(1+uv)-循环码的相关概念,讨论了其与该环上循环码的关系,证明了此环上(1+uv)-循环码在关于齐次重量的等距Gray映射hom下的二元象是一个长为8n的4-准循环码, 并由此映射得到了一些好的二元线性准循环码。