第15届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议定于今年11月召开

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议定于2008年11月21日至28日在广州市召开。此次会议将由中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料分会主办和中山大学光电材料与技术国家重点实     

信息窗

第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议征文通知主办单位:中国电子学会半导体与集成技术专业分会和电子材料专业学会承办单位:中国科学院微电子研究所、中山大学为发展我国半导体集成电路、硅和硅基材料技术,由中国电子学会半导体与集成技术专业学会和中国电子学会电子材料专业学会联合主办的“第十四届全国半导体集成电路与硅材料学术会议”将于 2005年的金秋在广东省珠海市召开,同时将邀请中国台湾、中国香港著名学者进行“两岸三地”学术交流。会议由中国科学院微电子研究所和中山大学共同承办。征文范围(1)硅和硅基材料的制备工艺…     

原子层沉积制备ZnO薄膜研究进展

随着半导体技术的发展,ZnO作为第三代半导体材料,具有禁带宽度大、载流子漂移饱和速度高和介电常数小等优点,更适合制作蓝光和紫外光的发光器件。与传统的薄膜制备技术相比,原子层沉积技术(ALD)在膜生长方面具有生长温度低、厚度高度可控、保形性好和均匀性高等优点,逐渐成为制备ZnO薄膜的主流方法。综述了ALD制备ZnO薄膜的反应机制、生长机制和掺杂方面的研究进展,针对当前ZnO薄膜p型掺杂的难点,指出了V族元素中的大半径原子(磷和砷等)掺杂有可能成为制备高质量、可重复和稳定的p型ZnO的潜力研究点,最后总结和展望了ALD制备ZnO薄膜的应用前景和研究趋势。     

真空蒸发、淀积、溅射、氧化与金属化工艺

0003831微芯片铝键合点上氟沾污物成分的研究(刊〕/郑国祥//固体电子学研究与进展一1999,19(3)一337一34二0003832厚膜直接描绘工艺〔刊〕/何中伟//电子元件与材料一1999,18(5)一3一6(U) 直接描绘工艺是一种全新的厚膜成膜工艺技术。对直接描绘工艺与传统丝网漏印工艺的性能进行了比较。介绍了直接描绘的基本工作原理、主要工序及常见故障的排除等。平面射频磁控溅射法制备YSZ薄膜及性能(见0003654)气相沉积法分子筛封装Sno:纳米半导体材料的研究(见0003573)PECvD法制备纳米硅薄膜材料(见0003572)微机械加工中的图形硅片键合技术(见0003…     

高失配半导体薄膜材料的纳米异质外延新技术

纳米异质外延技术是制备高失配半导体薄膜的一种纳米制作技术路线,随着超大规模集成电路纳米图样加工技术的进步,它将在制备无缺陷密度且单晶品质完美的高失配半导体薄膜材料中发挥巨大的作用。详细地综述了纳米异质外延技术的原理,介绍了纳米图样制作技术并展示了运用纳米异质外延技术在Si(111)衬底上实现高失配GaN(失配度为20%)薄膜材料及在Si(100)衬底上实现InP薄膜材料的高品质单晶外延生长。     

综合信息

<正>风华推出“半导体薄膜技术改造厚膜基础电子元器件应用技术”2006年,广东风华公司推出“半导体薄膜技术改造厚膜基础电子元器件应用技术”项目。“半导体薄膜技术改造厚膜基础电子元器件应用技术”项目主要是利用半导体薄膜技术——真空溅射方法,在薄膜电阻制程中应用电阻掺杂技术和热处理技术,有效地将产品TCR精度提高。高精度激光调阻,可以准确的测量产品阻值并进行激光切割,使得产品阻值精度达到0.1%的水平。经过近一年的努力,公司取得了初步成效。目前片式电阻器样品已研制成功,     

第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 征文通知

一、会议简介由中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料专业分会联合主办的全国半导体集成电路、硅材料学术会议是我国半导体集成电路、硅材料技术最高级别学术会议。通过学术会议展示我国在半导体集成电路、电子材料领域的最新研究成果,交流最新发展动态,每两年举行一次,     

金刚石薄膜半导体研究进展及其应用前景

ＣＶＤ金刚石薄膜是一种有发展前途的半导体材料，近几年来国内外研究了得了一定进展，目前采取的主要研究技术是在非金刚石衬底上生长掺杂金刚石多晶膜，其应用方向是耐高温和抗辐射的半导体器件。尽管金刚石薄膜半导体还有许多问题极待解决但其应用前景十分广阔，到２０００年以后，市场销售额将超过金刚石膜工具而跃居首位。     

关于举办“国际先进光电材料实物展览”的通知

第二届国际先进光电材料创新会议将于2008年7月6日至9日在上海召开。届时将有近20个国家的近200名光电材料和器件专家参加会议,并就电子材料、半导体材料、多铁性体与磁电材料、光电材料与器件、晶体材料、陶瓷材料、薄膜与厚膜材料、传感器、及其设备等主题进行广泛交流。为了给广大用户与生产厂商搭建沟通和交流的平台,经会议组委会研究,将在会议期间举办"国际先进光电     

喇曼光谱学研究固体和薄膜方面的进展

本文综述了从1987年末到1989年末两年间嗽曼光谱学在薄膜,半导体,超导体和固体方面的重要进展,这里涉及的许多材料是与固体发光研究密切相关的。一、薄膜和表面在簿膜方面,近二年来增长最为迅速的嗽曼光谱的应用是研究金刚石和类金刚石薄     

第八届全国集成电路与硅材料学术年会在杭州召开

由中国电子学会半导体与集成技术分会与电子材料分会联合主办,浙江大学高纯硅及硅烷国家重点实验室承办的第八届全国集成电路与硅材料学术年会于1993年10月10日至14日在杭州召开,来自全国60多个单位,270多名代表参加会议.     

MBE法同质外延生长ZnS

Ⅱ—Ⅵ族ZnS化合物半导体有希望成为蓝色发光二极管以及从紫外到可见波长的短波区的高效率发光器件材料。为获得制作发光器件所需要的高质量的薄膜技术,开发了用MBE法生长ZnS的同质外延生长技术。在用碘输运的温差等温生长法生长的具有不同晶面的单晶衬底上进行了生长偿试,从而使得高质量的ZnS单晶薄膜的生长成为可能。本文给出了外延生长的基本结果、生长膜的结晶特性、表面形貌以及光致发光特性。     

材料

0311734制备及钝化条件对多孔硅发光性能的影响[刊]/李宏建//光电子·激光,—2003,14(1),—54～57(C)0311735氧化锌宽禁带半导体薄膜的发光及其p-n结特性[刊]/林碧霞//固体电子学研究与进展,—2002,22(4),—417～420(D)报道了用直流反应溅射法制备的氧化锌薄膜的近紫外发射以及热处理条件对受激发射谱的影响。同时用化学反应辅助掺杂方法生长了p型和n型ZnO薄膜,研究了ZnO/Si异质结和氧化锌同质p-n结的电压电流特性(I-V特性)。     

Ⅱ一Ⅳ族宽禁带半导体超晶格的光学特性

现代薄膜生长技术的发展,从技术上允许制备一种新型的人选材料-量子阱和超晶格。这是半导体学科领域中的一场革命,引起了人们极大的兴趣.1969年由美国IBM公司的Esaki和Tsu首先提出了超晶格的概念,并首次利用分子束外延(MBE)方法制备了AlGaAs-GaAs超晶格结构.从此各种类型的半导体超晶格不断出现,但都集中在Ⅲ-Ⅴ族半导体超晶格的生长及光电特性的研究。1982年Osboum提出了应变超晶格的概念,     

西安理工大学电子工程系＆陕西省新型半导体材料与设备工程研究中心

西安理工大学电子工程系＆陕西省新型半导体材料与设备工程研究中心碳化硅研究组从事半导体碳化硅晶体生长技术及生长设备研究开发10余年，开发成功具有自主知识产权的TDL16型碳化硅晶体生长设备和生长工艺，并成功制备出多个直径46-58mm的6H-SiC体单晶。     

高温半导体器件的研究现状

金刚石和碳化硅的热特性及电特性决定了它们在电子器件半导体材料中具有最高的材料优质系数，特别适用于在高温环境中应用。本文重点或介绍了金刚石、ＳｉＣ的材料特性、薄膜生长技术和最近器件的研究结果，同时给出了目前存在的问题及解决这些问题的方法。     

Te掺杂的GaSb材料载流子特性研究

非故意掺杂的GaSb材料呈现p型导电,限制了GaSb材料在InAs/GaSb超晶格红外探测器等领域的应用。探究N型GaSb薄膜电学特性对估算超晶格载流子浓度以及制备超晶格衬底、缓冲层、电极接触层等提供了一定的理论依据。Te掺杂能够以抑制GaSb本征缺陷的方式实现N型GaSb薄膜的制备,利用分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)技术,设置GaTe源温分别为420℃、450℃、480℃,分别在GaSb衬底与GaAs衬底上生长不同GaTe源温度下掺杂的GaSb薄膜,通过霍尔测试探究GaSb薄膜的电学特性。在77 K的霍尔测试中,发现在GaAs衬底上生长的GaSb薄膜均显示为N型半导体,载流子浓度随源温升高而增加。与非故意掺杂的GaSb相比,源温为420℃、450℃时由于载流子浓度增加而导致的杂质散射,迁移率大幅提高,且随温度升高而增加,但在480℃时,由于缺陷密度减小,迁移率大大减小。在GaSb衬底上生长7000  Be掺杂的GaSb缓冲层,再生长5000  Te掺杂的GaSb薄膜。结果发现,由于P型缓冲层的存在,当源温为420℃时,薄膜显示为P型半导体,空穴载流子的存在导致薄膜整体载流子浓度增加,且空穴和电子的补偿作用使迁移率大幅降低。源温为450℃、480℃时,薄膜仍为N型半导体,载流子浓度随温度增加,且为GaAs衬底上生长的GaSb薄膜载流子浓度的2～3倍;迁移率在450℃时最高,480℃时减小。设置GaTe源温为450℃时GaSb薄膜的载流子浓度较高且迁移率较高,参与超晶格材料的制备能够使整个材料的效果最佳。     

CaS:Eu,Sm薄膜的红外上转换发光效率

采用电子束蒸发和磁控溅射技术制备了具有红外上转换和光存储特性的电子俘获材料CaS:Eu,Sm薄膜,利用不同脉宽的超短红外激光测试了它们的红外上转换效率,指出CaS:Eu,Sm薄膜的红外上转换发光效率不仅与制备工艺及热退火工艺密切相关,而且存在"耗尽"现象.薄膜透过率及空间分辨率测试表明,尽管膜厚及热退火处理对薄膜的透过率及空间分辨率有影响,但它们可显著增加CaS:Eu,Sm薄膜的红外上转换发光效率.     

2011年第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议征文通知(第一轮)

一、会议简介由中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料学分会联合主办的全国半导体集成电路、硅材料学术会议是我国半导体集成电路、硅材料技术最高级别学术会议。通过学术会议展示我国在半导体集成电路、电子材料领域的最新研究成果,交流最新发展动态,每两年举行一次,已成功举办了十六届。第十七届全国半     

第八届全国分子束外延学术会议征文通知

由中国电子学会电子材料分会和中国有色金属协会半导体材料分会主办、中国科学院半导体研究所承办的第八届全国分子束外延学术会议将于2009年9月24日至27日在新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市召开。本次会议旨在展示我国在分子束外延及其相关领域的新进展、新动态、新成果,交流、探讨我国分子束外延技术发展中存在的问题和