MSOD对过量摄氟大鼠骨组织损伤保护作用的扫描电镜观察

慢性氟中毒是一种多器官受累的全身性疾病 ,骨组织病变是其主要特征之一。近年来随着人们对疾病与体内自由基关系的深入了解 ,开始从氧化损伤角度重视自由基与氟中毒的关系。本试验应用扫描电子显微镜 ,观察了过量摄氟对大鼠骨组织的破坏及超氧化物岐化酶 (ｓｕｐｅｒｏｘｉｄｅｄｉｓｍｕｔａｓｅ ,ＳＯＤ)的模型配合物 (ＭｏｄｅｌＳＯＤ ,ＭＳＯＤ)络合铜对其拮抗和保护作用 ,以期为合理、全面地防治氟中毒的发病提供形态学依据。1　材料与方法试剂和仪器 :ＳＯＤ模型配合物络合铜 ,由华中师范大学化学系提供。氟化钠 ,北京化学试剂厂生…     

The Feature of DDR SDRAM and the Implementation of DDR SDRAM Controllers via VHDL

1　ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＮｏｗａｄａｙｓ,ｓｔｏｒａｇｅｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｈａｓｄｅｖｅｌｏｐｅｄｆａｓｔａｃｃｏｒｄｉｎｇｔｏｔｈｅｄｅｍａｎｄｏｆｄｉｆｆｅｒｅｎｔａｐｐｌｉｃａ ｔｉｏｎｓ .ＷｅｈａｖｅｈａｄＤｙｎａｍｉｃＲＡＭ (ＤＲＡＭ )ａｎｄＳｔａｔｉｃＲＡＭ (ＳＲＡＭ ) ,ＢｂｕｒｓｔＥｘｔｅｎｄｅｄＤａｔａＯｕｔ ｐｕｔＲＡＭ (ＢＥＤＯＲＡＭ ) ,ＳｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓＤＲＡＭ(ＳＤＲＡＭ)ａｎｄＲａｍｂｕｓＤＲＡＭ(ＲＤＲＡＭ)ＮｏｗｗｅｈａｖｅａｌｓｏｈａｄＤｏｕｂｌｅＤａｔａＲａｔ…     

一种新型的MOS栅控晶体管——MOSGCT

提出了一种新型的ＭＯＳ栅控晶体管——ＭＯＳＧＣＴ。该结构在ＤＭＯＳ的一侧引入一个ＮＰＮ晶体管,使之在正向时具有ＤＭＯＳ与ＮＰＮ双极晶体管的混合特性,在关断时具有与ＤＭＯＳ相似的快速关断性。对耐压６００Ｖ的ＭＯＳＧＣＴ进行二维数值分析,其结果表明ＭＯＳ－ＧＣＴ的电流密度比ＤＭＯＳ提高４５％,且关断时间小于１００ｎｓ     

5ESS交换机的内存扩容

２００１年 ,所有的５ＥＳＳ交换机都要从１０版升级到１３版 ,在升级前要做的工作有扩ＳＭ和ＡＭ内存、做ＤＵＭＰＯＤＤ带等 ,而扩内存的工作是一个复杂而又重要的环节。１扩ＳＭ的内存在扩ＳＭ的内存之前 ,首先要确保待扩的ＳＭ上主备用两侧没有任何硬件和软件障碍 ,如果有什么问题 ,要先处理好才能继续扩内存的工作。(１)做ＢＫＵＰ—ＯＤＤ ,用如下命令 :ＢＫＵＰ—ＯＤＤＡＭ ;ＢＫＵＰ—ＮＲＯＤＤ :ＳＭ #;ＢＫＵＰ—ＲＯＤＤ ;(２)禁止ＡＭ、ＣＭ及ＳＭ的例测ＲＥＸ。(３)在Ｖ８．６表（ＥＭＭＥＭ）中ｉｎｓｅｒｔ:*１．ＳＭ＿＿…     

高聚物压电膜的改进Mason分析模型

在压电方程中引入复数是弹系数，推导出考虑损耗的高聚物压是膜厚度振动模式改进Ｍａｓｏｎ模型。在传输线和受控源形式等效电路的基础上提出用ｎ级Ｔ型网络等效有损传输线，将其转化为适宜ＰＳＰＩＣＥ环境下实现的模型。将ＰＺＴ压电元件作为特例，并对ＰＶＤＦ－ＭＯＳＦＥＴ超声传感器采用本模型等铲电路用ＰＳＰＩＣＥ进行了模拟分析，得到与实验测量相一致的结果。     

氟在多晶硅栅中迁移特性的分析与模拟

在深入分析氟在多晶硅栅中迁移特性的基础上，建立了氟在多晶硅栅中的迁移方程．采用有限差分法，模拟了氟在多晶硅栅中的分布，模拟结果与实验符合得很好．给出了氟在多晶硅中的发射系数ｅ约为６E－２／ｓ，氟在晶粒间界的扩散系数Ｄｂ＝９E－１２ｅｘｐ（－０．８９５／ｋＴ）和氟在Ｐｏｌｙ－Ｓｉ／ＳｉＯ２界面的吸收系数Ｓ１与温度的变化关系．     

ZOOM与安捷伦合作加快DOCSIS认证

Ｍｏｄｅｍ厂商ＺＯＯＭＴｅｌｅｐｈｏｎｉｃｓ公司最近宣布,已经与安捷伦（Ａｇｉｌｅｎｔ）公司展开全面合作,开发一种加快ＺＯＯＭ电缆调制解调器标准认证的自动化测试套件。这个新的系统将会减少ＺＯＯＭ向市场提供新的电缆调制解调器设计所需要的时间,因为它在产品被交给电缆电视实验室公司（Ｃａｂｌｅ－Ｌａｂｓ）进行ＤＯＣＳＩＳ（电缆数据服务接口规范）认证之前,就已经进行了产品预先测试。由ＣａｂｌｅＬａｂｓ提出的ＤＯＣＳＩＳ互操作性标准界定了支持宽带电缆电视网上高速数据分配的电缆调制解调器的接口条件。ＤＯＣＳ…     

Foreword

ＴｈｉｓｓｐｅｃｉａｌｉｓｓｕｅｉｓｐｕｂｌｉｓｈｅｄｔｏｓｕｐｐｏｒｔｔｈｅＣｈｉｎｅｓｅＥｌｅｃｔｒｏｎＭｉｃｒｏｓｃｏｐｙＳｏｃｉｅｔｙ (ＣＥＭＳ)ｔｏｈｏｓｔｔｈｅ16ｔｈＩＣＥＭｏｆｔｈｅｙｅａｒ 2 0 0 6ｉｎＢｅｉｊｉｎｇ .ＴｈｉｓｓｐｅｃｉａｌｉｓｓｕｅｉｓａｌｓｏｄｅｄｉｃａｔｅｄｔｏＣＥＭＳｍｅｍ ｂｅｒｓＰｒｏｆｅｓｓｏｒｓＫＵＯＫＨ (郭可信ＫｅｈｓｉｎＫＵＯ ,192 3～ ) ,ＦＥＮＧＤｕａｎ(冯端 192 3～ ) ,ＷＵＱｕａｎｄｅ(吴全德 192 3～ ) ,ＬＩＬｉｎ(李林 192 3～ ) ,ＣＨＥＮＤｅｈｕ…     

飞兆半导体推出全新的40V MOSFET

飞兆半导体 (ＦａｉｒｃｈｉｌｄＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ)针对ＤＣ/ＤＣ转换推出了 5种Ｎ沟道 4 0ＶＭＯＳＦＥＴ ,分别为ＦＤＳ4 770、ＦＤＳ4 4 70、ＦＤＳ4 780、ＦＤＳ4 4 80和ＦＤＳ4 672Ａ ,为膝上型电脑、电脑ＶＲＭ、电信、数据通信 /路由器及其他便携 /手持式设备的电源设计 ,提供极佳的价格和效能优势。ＦＤＳ4 770的最大Ｒｄｓ(ｏｎ)为 7.5ｍΩ ,最高结点温度为 175°Ｃ。这些 4 0Ｖ的ＭＯＳＦＥＴ具有增强的抗雪崩能力 ,能适应恶劣的操作环境 ,在存在高瞬态电压的应用或ＭＯＳＦＥＴ需要承受增强应力的工作模式中 ,可带来更…     

CMOSIC中浮置栅缺陷的电气模型：I_（DDQ）测试的意义

ＣＭＯＳＩＣ中浮置栅缺陷的电气模型：Ｉ＿（ＤＤＱ）测试的意义＝ＥｌｅｃｔｒｉｃａｌｍｏｄｅｌｏｆｔｈｅｆｌｏａｔｉｎｇｇａｔｅｄｅｆｅｃｔｉｎＣＭＯＳＩＣ＇ｓ：ｉｍｐｌｉｃａｔｉｏｎｓｏｎＩ＿（ＤＤＱ）ｔｅｓｔｉｎｇ［刊，英］／ＣｈａｍｐｅｃＶ．Ｈ．...