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采用三乙醇胺还原Ag2O制备Ag粉,结晶完善,呈规则几何形状,粒度分布主要在0.06 ̄0.11μm;采用主晶相为PbZnSiO4的玻璃陶瓷,由乙基纤维素、树脂、松油醇等,配制成浆料。在200℃下烘干,经800℃烧结后,得光亮致密的Ag层,电极间不粘结。覆盖率为200cm^2/g。于220℃(特殊的为305℃)的Sn-Pb焊料中浸焊1.5s。Ag电极的可焊性、附着力和DC的容量和损耗等均达到DC生产 相似文献
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浆料成分对银导体浆料性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
试验以直流电弧等离子体法自制的超细银粉为原料,通过改变浆料各成分配比,结合金相显微镜、EDS等分析手段,研究了各成分对最终烧成厚膜导体性能的影响.结果表明,浆料的粘度随固含量的增加而增大,试验推荐固含量为80%; 在试验范围内,导体方阻随着玻璃粉的含量呈现先减小后增大的趋势,推荐玻璃粉最佳含量为3%; 玻璃粉粒径与Ag粒径对导体浆料的性能均有影响,对于导电性能而言,不同粒径Ag粉与玻璃粉之间存在最佳组合.对可焊性而言,平均粒径为102.92、204.26 nm 的Ag粉具有良好的可焊性,玻璃粉粒径对可焊性也有一定影响. 相似文献
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刑小茹 《有色金属与稀土应用》2000,(2):25-29
导体浆料在整体电子元件安装中的应用标志着在未来的电子组装和电子工业中的一项新的技术的产生,这项技术比传统的铅焊料有着许多优点,其中包括较低的焊接温度与环境的相容性的电子简易的焊接和较低的成本。本文介绍了世界上在电子工业上应用整体电子元件安装肜导浆料的现状资料来自有关研究所,大学和一些电子元器件厂家,特别提出一 国家和地区的研发活动如美国、中欧、北欧、日本等国家。文中讨论了导体浆料未来面临的抗战,存 相似文献
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银钯合金粉末制备的电子浆料以其优异的导电、抗银离子迁移、可焊耐焊性,成为低温共烧陶瓷工艺(LTCC)配套用关键电子浆料之一。比较研究两种不同特性的银钯合金粉制备的浆料与Ferro A6生瓷带共烧后的匹配性、电学性能、附着力、可焊性与耐焊性等性能。高振实、大粒径的银钯合金粉制备的浆料与Ferro A6生瓷带共烧平整,电极膜层平整光滑,各项性能表现出优异。粒径较小的银钯合金粉,与瓷料烧结收缩率不匹配,基板翘曲严重,膜层起皱,导电性及可焊耐焊性相对较差。 相似文献
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半固态浆料直接成形的关键技术之一是如何快速获得与触变成形中重熔加热后相近的半固态组织.根据晶粒游离理论,开发了剪切低温浇注式半固态浆料制备工艺,利用具有特殊热交换条件的转动输送管增强熔体凝固初期的散热和搅拌混合程度,使合金在凝固初期形成快速冷却和较强对流的复合作用,快速散去合金熔体的过热,控制合金熔体的形核与生长.铸造铝合金与锻造铝合金的试验表明,剪切低温浇注工艺可高效地制备优质半固态浆料/坯料,用于浆料直接成形/坯料触变成形. 相似文献
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涂层导体DyBiO_3(DBO)缓冲层的低温制备 总被引:1,自引:0,他引:1
通过685~750 ℃之间进行低温成相,在LaAlO3 (LAO)单晶基底上沉积得到了有较大应用前景的涂层导体DyBiO3 (DBO)缓冲层.结果表明:所得的缓冲层c轴取向良好,致密、平整、无裂纹.当温度大于750 ℃时,DBO表面开始变得粗糙.沉积在DBO缓冲层上的YBCO超导层c轴织构的样品,样品表面平整均匀,超导转变温度在90 K左右,临界电流密度大于1 MA/cm2.从工业应用角度讲,低温的缓冲层制备具有极大的经济优势,应用前景更为广泛. 相似文献
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低温烧结型银浆料对半导体芯片贴装性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究低温烧结型银/玻璃体系浆料的成分配比、制备工艺及其半导体芯片贴装烧结工艺,探讨浆料中银粉、玻璃粉和有机载体的成分对浆料烧结体的微观组织、热导率、线膨胀系数及芯片组装的剪切力之间的影响关系,利用理论模型计算浆料烧结体的热导率和线膨胀系数,分析其理论计算值与实测值差异的影响因素。结果表明:随着玻璃粉含量的增加,浆料烧结体的线膨胀系数及热导率逐渐降低,当银粉和玻璃粉的质量比为7:3,固体混合粉末与有机载体的质量比为8:2时,芯片贴装后可满足热导率和线膨胀系数性能的要求,同时所承受的剪切力最大。 相似文献
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目的采用开放式低温等离子体对树脂基复合材料表面处理,研究其对树脂基复合材料粘接性能的影响。方法运用响应曲面法,对开放式低温等离子体加工工艺与树脂基复合材料表面自由能交互性进行研究。采用接触角测量仪、扫描电子显微镜(SEM)、三维形貌仪、X射线光电子能谱仪(XPS)、傅里叶红外光谱仪(FT-IR)等仪器对开放式低温等离子体处理前后复合材料的接触角与表面能、表面微观形貌与表面粗糙度、表面化学成分进行分析,使用万能试验机对处理前后复合材料的粘接强度进行研究。结果输入功率、喷枪距离与试样移动速度3个响应因子中,喷枪距离对试样表面能的影响最为显著,其次是试样移动速度与输入功率。当开放式低温等离子体加工工艺为P=800 W,d=11.8 mm,v=10 mm/s时,表面能最大,从24.8 mJ/m2增加到78.3 mJ/m2,表面粗糙度与未处理试样相比提高了约2.5倍。处理后试样表面的氧元素含量明显增加,氧元素主要以含氧官能团的形式存在,材料表面极性增加。开放式低温等离子体对树脂基复合材料处理后,粘接试样平均拉伸剪切强度从16.6 MPa增加到27.5 MPa,粘接强度提高了约65.7%,粘接接头破坏形式从界面破坏到材料基材破坏。结论开放式低温等离子体对树脂基复合材料表面处理后,能够有效地增加其粘接强度,树脂基复合材料润湿性与表面能、表面粗糙度以及表面含氧官能团数量增加,是粘接强度提高的主要因素。 相似文献
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纳米银填充导电浆料的研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
导电浆料是发展电子元器件的基础及封装、电极和互联的关键材料。随着电子元器件向微型化、精密化和柔性化等方向发展,国内外正在开展金属导电填料纳米化的研究。其中,纳米银填充导电浆料成为该领域的研究热点。纳米银作为导电填料对银浆性能影响是正面还是负面影响还没有一个统一的结论。一般认为纳米银填充到基体中,由于粒子间的接触点面积小,填料粒子数目增多导致接触电阻增加。只有当纳米银间距离在一定范围内时,由于隧道效应等使导电性增强。这主要与其颗粒大小和形貌、表面性质和烧结行为等密切相关。本文从纳米银填充导电浆料的导电机理、纳米银低温烧结、表面处理、填量、形貌和原位添加等方面综述了国内外研究者近年来在纳米银填充导电浆方面的研究进展,并对未来的发展方向进行了展望。 相似文献
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研究了银片粒径对折叠前后银浆电导率的影响。采用不同粒径的片状银制备了具有良好导电性能的低温固化耐折导电银浆料,将银浆网印在聚酰亚胺基板上,在140 ℃下烧结形成网印电路。用微欧姆计检测了印刷电路的电阻率,对印刷银电路折叠前后的电阻变化进行了检测,并用扫描电镜对其表面形貌进行了研究,分析了导电机理。结果表明,小片Ag作为未连接薄片之间的桥梁,在折叠后填补了空白,形成导电网络,提高了折叠后的银浆导电性能。 相似文献
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汽车所用的片式氧传感器需要多层高温共烧结制备,烧结温度大于1500℃,如此高的烧结温度对铂电极浆料的耐热性提出较高的要求,要求反应铂电极浆料有较高耐热性能,高温烧结收缩较小,反应电极有高致密性多孔层叠的结构进而使得铂电极-YSZ-气体三相界面增长,使得片式氧传感器的氧敏响应性能和催化性能显著提高;要求加热铂电极要有致密的结构,阻值稳定,连续性好,长时间通电不易烧断。传统的铂电极浆料烧结温度为800~1200℃,明显不能满足高温烧结的需要。本文研究制备了适用于高温烧结的铂反应电极浆料和铂加热电极浆料。 相似文献
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