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采用直流励磁磁控溅射法制备NdFeB稀土永磁薄膜.研究分析了衬底预热与定向沉积法对薄膜结构和磁性能的影响.实验结果表明:定向沉积技术制备出的NdFeB薄膜表面形成单一方向的柱状晶,该柱状晶生长方向垂直于薄膜表面,使薄膜具有良好的磁各向异性,薄膜矫顽力大大提高,H⊥/H∥比值改善.在预热温度200℃逐渐加热到500℃并保温10 min时,薄膜磁性能最佳. 相似文献
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薄膜材料中的微观结构和织构特征对其性能有重要的影响作用,但目前薄膜中微观结构和织构的关系尚未清楚。以Cu/Co多层膜为对象,研究薄膜中的表面粗糙度和织构。采用磁控溅射法在单晶Si基底上制备Cu/Co多层膜,通过扫描电子显微镜和原子力显微镜对多层膜的表面粗糙度进行逐层表征,结合薄膜外延生长模型分析薄膜表面自由能的层间差异对薄膜生长模式和表面粗糙度的影响。结果表明,在Si基底上沉积的Cu薄膜呈岛状模式生长,表面粗糙度较小;继续在Cu薄膜上沉积的Co薄膜亦呈岛状模式生长,表面粗糙度增加;最后在Co薄膜上沉积的Cu薄膜,趋向于层状模式生长,表面粗糙度下降。此外,利用XRD与EBSD分析Cu/Co多层膜的织构演变行为,发现在Cu和Co层交替沉积的过程中,织构类型由{111}变为{0001}再变为{111},织构强度逐渐变弱。分析表明,薄膜的织构强度与其表面粗糙度存在一定关系,Cu薄膜中{111}织构强度越高,薄膜的表面粗糙度越小。通过明确Cu/Co薄膜生长过程中的织构演化规律以及织构与微观结构的相互作用,可为薄膜制备技术和性能调控的研究提供一定启示及参考意义。 相似文献
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氮化铝薄膜结构和表面粗糙度的研究 总被引:6,自引:0,他引:6
采用直流磁控溅射的方法,在Si(111)基片上沉积AIN(100)面择优取向薄膜,研究了溅射功率对AIN薄膜结构及表面粗糙度的影响。结果表明,随着溅射功率的增加,沉积速率增大,但薄膜结构择优取向度变差,表面粗糙度增大,这说明要制备择优取向良好、表面粗糙度小的AIN薄膜,需选择较小的溅射功率。 相似文献
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磁控溅射SiC薄膜表面形貌演化行为研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用射频磁控溅射法在石英玻璃基底上沉积SiC薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜( AFM)观察薄膜的表面形貌,利用粗糙度和颗粒度大小对薄膜表面形貌动态演化进行量化表征.结果表明:在100~175 W溅射功率范围内,1 000℃高温真空退火处理能明显减小SiC薄膜表面粗糙度,膜层表面更为平滑,颗粒大小更为均匀... 相似文献
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用原子力显微镜(AFM)观察磁控溅射Cu膜的表面形貌,并基于功率谱密度(PSD)和粗糙度测量方法对薄膜进行了量化表征,研究了薄膜表面演化的动力学标度行为.结果表明:薄膜表面演化具有多尺度特征,在全域和局域呈现两种不同的标度行为.全域的粗糙度指数αg≈0.83,生长指数βg≈0.85;而局域的粗糙度指数α1≈0.88,生长指数β1≈0.26.这种差异揭示了薄膜生长机制的尺度依赖性.薄膜全域表面演化为异常标度行为,这归因于体扩散导致了晶粒几何形态的急剧变化;而局域表面演化呈现表面扩散控制的生长行为. 相似文献
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采用磁控溅射方法在p-Si(111)衬底上淀积5nmPt膜,分别在350℃-600℃退火。原子力显微镜(AFM)观察和x射线光电子谱(XPS)分析表明,随退火温度的增加,平坦的薄膜表面变得粗糙,其相分布由Pt-Pt2Si-Ptsi变为Pt Pt2Si PtSi-Ptsi。 相似文献
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采用射频磁控溅射技术制备了Ru-B薄膜,利用掠入射X射线衍射(GIXRD)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、原子力显微镜(AFM)等分析技术对薄膜的相结构、沉积速率以及表面形貌进行了研究分析。结果表明:在室温下制备的 Ru-B 薄膜均为非晶态。薄膜的沉积速率不随溅射时间变化,但随溅射功率的增加而增大。薄膜表面光滑致密质量良好,随着溅射时间的延长,薄膜表面晶粒大小和粗糙度增大。溅射功率影响着基片表面粒子的形核长大和迁移扩散速率,进而影响薄膜的表面形貌。 相似文献
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用高温固相法首次合成了Ce3 、Tb3 、Ce3 /Tb3 激活CaO-B2O3-CaCl2(CBC)基质的系列发光材料.通过荧光光谱、IR谱、SEM等研究表明:不同波长激发CBC:Tb3 的蓝/绿发射不同,而CBC:Ce3 /Tb3 的主要发射源于Tb3 的3D4→7F5跃迁;双掺0.04 mol Tb3 的发射强度为单掺0.14 mol Tb3 的5.6倍,Ce3 是Tb3 的高效敏化剂;CBC:Ce3 /Tb3 含有[BO3][BO4]和[BCl4]基团,Ce3 、Tb3 同时进入基质,形成体积补偿,使体系稳定;发光体与 CBC 存在同位发射现象;CBC:Ce3 /Tb3 中存在Ce3 →Tb3 的电多极相互作用的共振传递及CBC→Ce3 、CBC→Tb3 、Ce3 →Ce3 的多重能量传递. 相似文献
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用高温固相法首次制备出红橙蓝3种光发射为一体的(Cd0.38Ce0.06/Mn0.03)Zn0.5B4O7光致发光系列材料,由XRD测得(Cd0.38Ce0.06Mn0.03)Zn0.5B4O7的晶胞参数a、b、c分别为1.3959、0.8134、0.8658nm,属于正交晶系,Pbca空间群。Ce/Mn:Cd0.5Zn0.5B4O7的光谱显示:由285、370、296nm紫外光激发,分别呈现Mn2+的4T1(4G)→6A1(6S)和Ce3+的5d→2F5/2,2F7/2能级跃迁发射以及发射强度比相近的470和630nm的复合光发射。当Ce3+和Mn2+共掺杂时它们互为激活剂和敏化剂。在荧光体Ce/Mn:Cd0.5Zn0.5B4O7中存在极少见的基质、Ce3+和Mn2+的多重能传递,其中以Ce3+Mn2+的双向能量传递为主。助熔剂CaF2和KCl都能降低合成温度和增加发光强度,但对Ce3+和Mn2+发射光谱有不同影响。 相似文献
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模具制造中CAD/CAE/CAM/CAT的应用 总被引:5,自引:1,他引:5
详细介绍利用单一数据库的CAD/CAE/CAM/CAT技术进行模具的一体化设计、分析和加工方法。缩短了模具设计、制造的周期,提高了质量,降低了成本,是模具制造的发展方向。 相似文献
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邵甄胰 《稀有金属材料与工程》2018,47(8):2298-2304
本研究采用真空热压及热等静压方法制备Cu/Ti3SiC2/C/MWCNTs/Graphene/La纳米复合材料,采用摩擦磨损试验机研究对磨材料为GCr15时,镧含量对Cu/Ti3SiC2/C/MWCNTs/Graphene/La纳米复合材料的摩擦学性能的影响。研究了镧含量、正应力及旋转速度对纳米复合材料摩擦学行为的影响并揭示其相互作用机理,采用正交试验分析、方差分析及极差分析法来分析镧含量、正应力及旋转速度的相互作用。采用扫描电镜和能谱仪观察并分析磨损表面及磨削的形态及成分组分。研究结果表明镧对纳米复合材料的摩擦磨损性能起到首要作用,当镧的质量分数为0.05%时,复合材料的磨损机理为磨粒磨损、剥层磨损和氧化磨损,而当镧的质量分数为0.1%和0.3%时,复合材料的磨损机理为粘着磨损和氧化磨损。 相似文献
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为阐明Ti/Al/Mg/Al/Ti层合板的变形行为及断裂形式,对轧制态和退火态的层合板进行原位弯曲和拉伸试验,研究组元板和金属间化合物的裂纹萌生和扩展情况.结果表明:无论Al/Mg界面有无金属间化合物,Al/Mg界面分层都是最先出现的断裂形式,因此Al/Mg界面结合强度决定层合板的力学性能.在退火态层合板中,金属间化合... 相似文献
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以正硅酸乙酯 (TEOS)、甲基三乙氧基硅烷 (MTES)、二苯基二甲氧基硅烷 (DDS) 和仲丁醇铝 (ASB) 为主要原料,采用溶胶-凝胶法得到Al2O3/有机硅/SiO2杂化溶胶,经100 ℃下固化12 h后得到Al2O3/有机硅/SiO2杂化涂层。红外光谱研究表明,杂化涂层中形成了Al—O—Si键。采用电化学阻抗 (EIS) 研究杂化涂层在3.5%NaCl溶液中浸泡不同时间的阻抗行为,根据阻抗谱特征建立了等效电路图,结合等效电路图和拟合结果分析了杂化涂层在3.5%NaCl溶液中浸泡不同时间的耐蚀性。结果表明,其在3.5%NaCl溶液中具有良好的耐蚀性。 相似文献
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综述了国内外压铸模CAD/CAE/CAM技术现状,在此基础上,提出了压铸模CAD/CAE/CAM需解决的部分关键技术及发展趋势. 相似文献