1984年国际微波讨论会与微波和毫米波单片集成电路讨论会

<正> 1984年国际微波讨论会与微波和毫米波单片集成电路讨论会于5月29日至6月1日在美国旧金山市召开,会议共发表论文168篇。论文内容包括:微波与毫米波单片集成电路(包括控制、信号处理、放大与振荡等)、FET放大器、FET振荡器的噪声和频率稳定、崩越管和双极晶体管振荡器、半导体控制和频率变换、滤波器、MIC技术、毫米波技术和应用、毫米波混频器、微波与毫米波测量、光与亚毫米波技术、平面传输线结构、介质波导、声与磁器件、微波生物效应等。与会议同时举行的还有毫米波测量等三个专题分会和微波工业应用等七个讨论会。国际微波会议是一年一度的微波技术交流盛会,它集中反映了一年来微波领域的新成就、新技术、新动向。会议组织者为了配合会议的召开,还举办了一个规模很大的微波工     

南京电子器件研究所微波毫米波封装研究中心

该中心从事专业微波、毫米波器件封装有40多年历史，研制开发出多种封装类型、数十个系列产品。包括从厘米波段到毫米波段二端器件：S、C、X、K波段GaAs功率FET；P，L、S、C波段硅功率晶体管；GaAs微波毫米波单片集成电路和多芯片模块；     

1990年 IEEE GaAs集成电路讨论会概况

<正>1990年IEEE GaAs IC讨论会于10月7日至10日在美国New Orleans市希拉顿饭店举行.会议共进行了三项议题,10月7日举行了题为“高级GaAs数字IC技术”的短期教程;次日进行大会报告和分组报告;报告的同时,还举办了一个小型展示会.会议共收到各类论文85篇,其中日本22篇,美国59篇,其它地区4篇.涉及GaAs数字集成电路、微波毫米波单片集成电路、新器件技术、电路设计、制造技术、测试及封装等领域.     

1985年MTT-S国际微波讨论会与微波和毫米波单片电路讨论会

一、会议概况1985年国际微波讨论会与微波和毫社波单片电路讨论会于6月2日至7日在美国St.Louis召开.6月2日至4日召开的微波和毫米波单片会议上,发表了22篇论文.论文内容包括:单片接收机电路、单片毫米波电路、微波和毫米波单片功率放大器、低噪声放大器、开关和控制电路.6月4日至7日召开的MTT-S微波讨论会上发表了157篇论文.论文内容包括:各种微波器件、组件、放大器和应用电路,各种微波技术——加工制作技术、分析测量技术、     

2001年国际微波和光电子学会议(IMOC2001)征文通知

20 0 1年国际微波和光电子学会议将于 2 0 0 1年 8月 6日至 1 0日在巴西 Belém的 Hilton饭店召开。这次会议由巴西微波和光电子学学会 ( SBMO)主办 ,IEEE协办。会议议题CAD设计方法通讯系统 (卫星、车载 /个人、陆地 )计算机辅助设计数字无线电系统教育电磁场理论EMC/ EMI铁氧体和表面波元件FET,HEMT,HBT和其它器件滤波器和谐振器波导高功率器件和技术集成光学低噪声器件与技术测量技术微波和毫米波系统微波和光学材料微波天线微波工业应用微波技术在医学和生物学的应用微波光电子学单片集成电路数字方法光通信光器件封装技术…     

一九八二年国际微波讨论会简介

<正> 1982年IEEEMTT-S国际微波讨论会和IEEE微波和毫米波单片集成讨论会分别于1982年6月15日至17日和6月18日在美国Dallas城举行。今年的讨论会正逢IEEE MTT协会成立三十周年,所以这次会议规模较大。与会议召开的同时,还举办了两个展览会,一个是微波30年历史展览,另一个是有150多家公司参加的微波产品展览。本届微波讨论会有14个国家和地区的学者参加。在会上宣读的有一百七十篇论文和五篇特邀报告。这些文章按内容分为二十五个专题。微波和毫米波单片集成讨论会共有论文十六篇。本届讨论会涉及的内容相当广泛。它包括有:低噪声技术;高功率技术;相控阵雷达技术;GaAsFET放大器;混频器;滤波器     

GaAs毫米波电路将进入实用阶段

据报导,在不久前举行的微波和毫米波单片电路国际会议上,得克萨斯仪器公司等不少厂家认为,GaAs毫米波集成电路已趋于成熟,很快将会进入实用阶段。与会者以12GHz DBS接收机前端用的GaAs毫米波电路为例说明了这一点。这种电路由1个低噪声放大器、1个双栅FET混频器以及1个稳定的本机振荡器组成。放大器的噪声为3.6dB、增益为7.3dB,覆盖了11.7～12.5GHz的频段;混频器的噪     

下期目录预告

<正> 1.4～8 GHz GaAs FET 宽带放大器的新进展2.难熔的 WN 栅自对准 GaAs MESFET 工艺及其在门阵列集成电路中的应用3.应用于雷达和通讯中的 GaAs 低噪声单片微波集成放大器4.低暗电流 InGaAs PIN 光电二极管     

1986年IEEE国际微波会议和微波毫米波单片电路会议概况

<正>1986年IEEE国际微波会议和微波毫米波单片电路会议于6月2日至5日在美国马里兰州巴尔的摩举行.这是国际微波学术界一年一度的盛会.自1982年起两个会议同时召开,今年已是第五次了.“微波沟通世界各国”(Microwaves Linking Nations)的主旋律贯穿会议始终,反映了微波在国际交往中的重要性.MTT-S会议发表论文183篇,MIMIC会议发表23篇,其中两个会议论文集同时刊登的有7篇.广泛的论文题材包括FET,HEMT,IMPATT,Gunn二极管,MIC,MMIC,放大器,振荡器,滤波器,耦合器,合成器,铁氧体,微波声学,静磁学,系统,有源和无源组件,波导,介质谐振器,倍频器,混频器,低成本制造,GHz/Gbit光传输,低噪声技术,光器件和传输,生物学效应和医学应用,分析和数值计算法,微带CAD,鳍线,微波测量等.     

微波、毫米波收发用的异质结双极晶体管

<正> 据日刊《电视学会志》1988年第7期报道,日本电气公司制成采用新结构的AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管(HBT)的15GHz振荡器。用于卫星通信的收发系统,雷达装置等的微波、毫米波电路中带有振荡器的集成化很困难。在使用GaAs FET的时候,影响频率稳定度的相位噪声特性变坏,为使频率稳定,必须外接介质谐振器。该公司采用新结构的异质结晶体管解决了这个问题,为微波、毫米波电路全单片集成电路化奠定了基础。 新异质结双极晶体管用一块掩膜形成1μm以下微细结构的发射极、基极、收集极,并采用全对准技术。     

积极发展GaAs单片微波集成电路

<正> 十余年来,GaAs单片微波集成电路(MMIC)经历了研究和性能验证,现已由实验室进入试生产车间,并已为军事电子工程和卫星直播电视接收系统试用。GaAs电路的极宽频带覆盖性能,集约化生产优势、低成本与高可靠性潜力,将使人刮目相看。它们将在未来的低成本微波系统中大量应用,这种新兴的单片微波集成电路工艺,将对下一代军用微波系统设计发挥深远影响。1985年以前它们的应用记录为零;而预计90年代初,GaAs集成电路在军用电子系统中的应用比例可达10％。技术进展和市场份额的这种快速增长趋势,不能不引起人们的特别重视。 70年代是Si集成技术取得辉煌成就的年     

砷化镓场效应管研制与应用、微波集成电路结构与工艺学术讨论会简况

<正>中国电子学会半导体与集成技术学会和微波学会联合召开的砷化镓场效应管(GaAsFET)研制与应用、微波集成电路(MIC)结构与工艺学术讨论会,于1984年5月7日至11日在福建省泉州市举行.会议由南京固体器件研究所、上海微波技术研究所和泉州半导体器件厂共同组织,到会有来自全国的研究所、工厂、部队和大专院校42个单位的科技人员、教授和专家76人.会议收到有关GaAs FET的论文报告共30篇,会上宣读26篇,其中器件设计制造和测试分析5篇,放大器18篇,振荡器和高频头5篇,计算机应用2篇;有关MIC结构与工艺论文报告共34篇,会上宣读21篇,其中工艺研制8篇,设备改进3篇,基片材料3篇,综述和电路应用7篇.还有“微波集成电路技术及工艺的进展”和“FET微波宽带放大器综述”两个动态水平报告.     

GaAs场效应晶体管及其单片集成电路

GaAs FET是一种多用途的器件,可在C波段到Ku波段内作微波低噪声放大器、微波大功率放大器、振荡器、混频器、限幅器、倍频器、鉴频器、上变频器、相移器、可变增益放大器和微波开关等应用.GaAs场效应器件由于具有频带宽、噪声低、线性好等优点.它不仅用于空间工程、军事装备,而且也广泛用于科学研究、工农业、医疗以及家用电器等各个领域和部门.GaAs工艺的突飞猛进和GaAs FET水平的不断提高为发展微波单片集成电路奠定了良好的基础.最近几年来,国外许多大公司和实验室都研制成功了各种微波单片集成电路,这也     

第二届微波集成电路及工艺学术交流会简况

<正> 全国第二届微波集成电路及工艺学术交流会与新材料、新器件、新设备展示会于1988年11月10日至15日在福建省泉州市召开,六十多个单位的代表84人,进行了微波集成电路设计与研制的学术交流。 大会报告反映了微波集成电路设计和工艺发展的新趋向,代表半导体集成电路高新技术的砷化镓微波单片电路和片式微波元件受到人们的注意。南京电子器件研究所报告的“微波单片集成电路设计中的一些考虑”和“单片电路、场效应管生产技术和成品率”两个题目,介绍了下一代微波产品的概貌,并追溯技术演进历史,论述了设计概貌和制备特征。单片电路完全立足于半导体工艺,可以实现良好性能、合理的成品率与可接受的价格三者结合。胡南山所作的报告“片式元件及其在微波集成电路中的应用”综述了片式元件从低频发展到高频应用的现代技术趋向,其优点是使电路简化,成本降低,更加适合微波电路大量生产与推广应用,必将推动混合集成电路的设计和制备向片式形态发展。     

单片微波集成电路的技术进展

根据从１９９６年国际微波会议和微波与毫米波单片集成电路会议上了解的情况，本文综述了单片微波集成电路当前的技术进展和值得注意的动向。     

三菱出售卫星通信用的GaAs器件

<正> 三菱电机已开始出售用于商业通信系统发射信号放大的GaAs器件,它们是五种大功率GaAs FET和一种GaAs单片微波集成电路。 GaAs FET(MGFK)系列输入输出阻抗在管壳内部匹配成50Ω,用14～14.5GHz频率,输出功率0.3～5.5W,是用MBE法制造的。为了在高感应率衬底上形成内匹配电路而缩小了电路尺寸。单片集成电路(MGF 7201),最适用于14～14.5GHz小信号放大,除了连接规定的电源以外,还能得到18dB的功率增益,输出     

1985年IEEE单片电路会议和国际微波会议概况

<正>1985年6月3日到6日在美国圣路易斯召开了1985年度IEEE单片电路会议和国际微波讨论会.会议期间还有200多家公司参加了微波展览会的展出.单片会上发表了22篇论文,微波会159篇论文.提交报告的国家有17个,中国有4篇.会议厅横幅是“通向未来之路”,希望通过与会代表的技术交流,使微波技术更好地为开创人类幸福的未来服务.现就两个会议的情况分别报道如下.一、国际微波讨论会GaAs FET及其应用在会议报告中起着重要作用,有关固体器件及其应用的内容占会议的三分之一,这方面内容的听众也很多,可容纳4～5百人的会场后排还站着许多人,可见FET及其应用在与会者心目中的地位.     

单片微波电路的设计考虑

基于硅-蓝宝石(SOS)和砷化镓工艺基础上的单片微波集成电路已被认真地考虑为卫星通讯系统、空用雷达和其它应用方面的富有生命力的候选者。蓝宝石和半绝缘GaAs衬底的低损耗特性与金属-半导体FET(MESFET)优良的微波特性相结合,第一次真正使单片发展到微波集成电路。所谓单片,我们是指用某种淀积方法将所有的无源和有源电路元件以及它们的互连都做在本体材料内或在衬底的表面上,这样的淀积方法有外延、离子注入、溅射、蒸发等。这项研制工作的重要性在于最终使诸如空用相控阵系统那样一些微波应用的价格实惠,这些系统具有大量相同的电路并且要求体积小、重量轻。本文详细地报导了一些设计考虑,通常单片微波电路必须应用这些设计考虑,特别是砷化镓电路更是如此。强调了计算机辅助设计技术的重要作用,介绍了许多阐明设计原则的单片电路和部件的例子,从而提供了在此领域中遍及全球的工作概况,并一瞥了单片微波电路的发展前景。     

冷战后的微波—1994 IEEE国际微波会议纪行

1994年 IEEE国际微波会议(IMS),微波及毫米波单片集成电路会议(MMWMIC)和美国运动系统会议(NTC)于1994年5月22日-5月27日在美国圣迭哥(San Diego)联合举行,地处美国西南端的圣迭哥,濒临太平洋,风光秀丽,水波粼粼,故本届大会会标为“Saves & Microaves”.尽管微波工业也笼照着世界经济不景气的阴影,且不久前南加州才刚刚经历过23年以来最强烈的地震,然而1994 IEEE IMS却是历届MTT-S以来规模最大,盛况空前的一次.来自世界各国的专家、学者、企业家近     

日电公司研制新型HBT结构

<正> 一种能实现微波毫米波通信系统收发电略完全单片IC化的新型结构的AlGaAs/GaAs HBT最近由日电公司开发成功,并采用这种器件试制了混合结构的15GHz HBT振荡器,发现它能将相位噪声抑制到GaAs FET构成的15GHz振荡器的1/300以下。这种HBT,只用一块掩模就能实现亚微米的发射极电极、基极电极和集电极电极。通过采用“全自动对准技术”,制造出不同于GaAs FET的独特的纵型超微细结构。这样,