用于硅多条阵列探测器的48路前置电荷灵敏放大器的研制

介绍了一套用于硅多条阵列探测器中的高密度多通道电荷灵敏放大器的研制和阵列探测器电子学的发展现状和工作原理,提出了设计原则和设计思路,特别介绍了一个新开发的用于硅多条探测器中的48路电荷灵敏前置放大器的设计和实际测量结果.它具有低成本、高密度的特点,好于1%的能量分辨和良好的长期稳定性.     

多路电荷灵敏前置放大器

介绍了一种多路电荷灵敏前置放大器,其路数最多为8路,它有功耗低,体积小,价格低廉,使用方便等特点,并对它的设计以及特点作了较详细的阐述.     

低噪声电荷灵敏前置放大器

本文介绍一种低噪声电荷灵敏前置放大器,零外接电容噪声1.49keV,电容噪声斜率为15eV/pF,外接电容1000pF时上升时间12ns,输出动态范围±10V。     

一种新型的8路电荷灵敏前置放大器

本文介绍了一种新型专用的多路电荷灵敏前置放大器,其路数最多为八路,这种电荷灵敏置放大器采用新的设计方案,该前放主要采用低噪声场效应晶体管和集成运算放大器构成,其等效输入噪声小于等于2．2 keV。该前放具有电路结构简单、体积小、输出信号上升时间快、噪声低、稳定性好等特点。并对它的设计以及特点作了较详细的阐述。     

用于GaAs半导体探测器的电荷灵敏前置放大器的设计

介绍了一种用于GaAs半导体探测器,以场效应管和集成运放为主要器件的低噪声的电荷灵敏前置放大器的设计.设计性能指标达到:电荷灵敏度2×1012 V/C,等效噪声电荷＜100(电子-空穴),上升时间＜10 ns.     

小尺寸电荷灵敏前置放大器

介绍了一种应用于半导体探测器的小尺寸电荷灵敏前置放大器的实例，并分析了测量其噪声的方法，给出了降低前放噪声的几种手段。     

用于化合物半导体探测器的小型电荷灵敏前置放大器

本文介绍了以运算放大器为主要器件的用于化合物半导体探测器低功耗、低噪声的小型化电荷灵敏前置放大器。     

两种用于氡气测量装置的电荷灵敏前置放大器的研制

介绍了两种用于氡气测量装置的电荷灵敏前置放大器的实例,给出了设计思想、调试过程和技术指标,说明了它们不同的应用场合。     

一种低噪声快电荷灵敏前置放大器的研制

简要介绍了新型低噪声快电荷灵敏前置放大器。这种电荷灵敏前置放大器采用新的设计方法案，该前放主要采用低噪声场效应晶体管和集成运算放大器构成，其等效输入噪声≤2．2keV。该前放具有电路结构简单、体积小、输出信号上升时间快、噪声低、稳定性好等特点。     

基于orCAD的电荷灵敏前置放大器仿真设计

叙述了使用orCAD软件仿真电荷灵敏前置放大器的方法,半导体辐射探测器的电荷仿真信号源的设计,讲述了一个仿真设计实例。结果说明软件仿真精度能够满足设计要求,可以代替大部分实验。     

便携式X荧光分析仪前置放大器的设计

介绍了一种新型高速低噪声器的电荷灵敏前置放大器,该放大器已应用于便携式X射线荧光分析仪中,它具有电路结构简单、性能可靠、线性度较好、输出信号上升时间快、噪声低等特点,有较好的性能价格比。     

用于CZT探测器信号读出的低噪声电荷灵敏前放A250

本文测量和分析了电荷灵敏前放A250的电子学噪声对CZT探测器能谱展宽的影响.在成形时间下1 μs下A250的零电容噪声为104.8 e,噪声电容斜率为4.18 e/pF.测得241Am 59.5 kev全能峰能量分辨率为4.08%.     

A250电荷灵敏放大器的性能和设计制作

阐述了A250混合集成电荷灵敏放大器的特性、性能指标和应用，以及它的参数测量方法，给出了具体应用中设计的电路。     

用于辐射成像探测器的集成前置放大器电路

介绍了辐射成像探测器陈列的电流积分型前置放大器。并推荐３种用于辐射成像陈列探测器的集成前置放大器阵列电路,ＨＸ２、ＭＸ３和、ＭＸ４,前者为１６路阵列,后两种为１２８路阵列。     

改进的CMOS电荷灵敏前放噪声优化设计方法

CMOS专用集成电荷灵敏前放的噪声性能对于辐射探测非常关键.提出了一种改进的CMOS电荷灵敏前放低噪声设计方法,通过实例计算得到的噪声结果比现有方法都有不同程度的提高.     

硅条探测器前端ASIC芯片测试系统电路设计

介绍一种前端读出专用集成电路(ASIC,Application-Specific Integrated Circuit)芯片性能测试系统的电路设计与实现.该ASIC芯片可用于构成硅微条探测器、硅条、Si(Li)和CsI探测器的前端读出电子学系统.本文详细描述了测试系统的构成,主要电路设计,系统应用以及部分测试结果,并简要介绍了被测ASIC芯片的电路结构.