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完整的NI 集成软件与硬件平台包括一套频率和性能相匹配的仪器:(1)100MS/s 的14 位数字化仪(NI PXI-5122);(2)100MS/s,16 位任意波形发生器(NI PXI-5421);(3)100/50MHz 数字波形发生器/分析仪(NI PXI-6552/1);(4)100MHz 时钟和频率发生器(NI PXI-5404);(5)定时和同步模块(NI PXI-6653);(6)500MHz 开关(NI PXI-2593)。1 混合信号测试的模块化方法 在电子工业中,电子设计越来越复杂,声频、视频、音频和数据都集成在一起,从而对建立复杂设计的原型并对它进行测试提出了更高的要求。在这些混合信号设备中,复杂的数字与模拟… 相似文献
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采用标准3μmCMOS工艺,制作出单片12位1MHz两步闪速模拟/数字转换器。本文讨论了含有一个开关电容器积分器和由66个采/保放大器组成的一组12位精确参考电路。使用了有校准技术来校正转换器的失调、增益及非线性误差。转换器的微分非线性(DNL)误差低于1/2LSB,对于100kHz的模拟输入,其S/(N+D)为70dB。 相似文献
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接收机设计人员一直盼望实现全数字结构的那一天,那时天线将能直接把信号馈送到模拟—数字转换器(DAC)上。随着Maxim集成产品公司MAX104 ADC的推出,这一天看来为时不远了。这种单片转换器具有1GS/s的采样速度和8位分辨力,给高频、大带宽数字通信接收机、数字示波器和高速数据采集(DAQ)系统创立了新的性能标准。它支持高于2.2GHz带宽的信号变换,并解决了这些设备应用所特有的很多苛刻的动态性能要求。 相似文献
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引言
MOSFET在模拟和射频电路中得到了广泛的应用.但是,MOSFET中的低频噪声,尤其是较高频率的1/f噪声,是模拟和射频电路应用中人们关注的重要因素.此外,随着器件特征尺寸的缩小,1/f噪声会大大增加[参考文献].因此,在测量1/f噪声时设计一套可靠的、重复性好的、精确的测量方法和系统是非常必要的. 相似文献
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Si/Si1—x Gex异质结双极晶体管和Si双极晶体管高频性能的比较分析 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍了对Si/Si1-x Gex异质结双极晶体管(HBT)和硅双极结晶体管(BJT)高频性能进行模拟比较的结果,其结构参数是为获得最高fT≈fmax设计的,模拟研究表明,(1)Si/Si1-xGex HBT具有64GHz的峰值fT(=fmax),它比Si BJT提高了16.4%,(2)发射极充电时间对,高频性能有相当大的影响,即使电流密度高达80kAcm^-2时也是如此;(3)SiGe基区组分梯度和基区掺杂分布强烈影响着fT和fmax,研究发现高斯梯度分布具有最高的峰值fT=fmax,据估计其峰值截止频率比均匀掺杂分布高30%。(4)高频性能对集电极设计的依赖关系表明,要在fT,fmax和BVCBO间进行折衷处理,并且(5)通过降低发射区或基区掺要浓度,可设计出fT超过100GHz的Si1-xGexHBT,同样,通过提高基区掺杂浓度和降低非本征电容和电阻,可实现100GHz的fmax. 相似文献
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在爱立信传送网络结构(ETNA)概念中,AXD4/1是一种新型的交叉连接系统。该系统是为满足研制包括SDH及PDH设备的网络的各种要求而设计的。本文叙述了系统的结构和目前的状况。 相似文献
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模拟/混合信号HDL的应用与发展 总被引:1,自引:0,他引:1
目前,在数字硬件设计全过程中,类似于VHDL的硬件描述语言(HDL)已能支持系统仿真、综合、测试和验证等大多数设计步骤,然而,模拟CAD工具还没有相应的硬件描述语言的支持,这主要是由模拟电路的多样性和复杂性决定的。本文详细介绍了模拟/混合信号系统的硬件描述语言-VHDL-AMS,并通过实例进行说明。 相似文献
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《压电与声光》2001,23(5):370-372
系统地研究了xPb(Y1/2Nb1/2)O3-(1-x)Pb(Zr1/2Ti/2)O3三元系铁电陶瓷材料,测量并计算了不同组分时的压电常数(d33)、介电常数(εT33/ε0)、机电耦合系数(kp、k31)、以及弹性柔顺系数(sK11、sE12、sK33),对0.07Pb(Y1/2Nb1/2)O3-0.93Pb(Z[1/2Ti1/2)O3材料,D33为327×10-12C/N,介电常数εT33/ε0为1350,机电耦合系数kp大于0.6,弹性常数SE11和SE33均大于17×10-12m2/N.实现发现,当x大于0.55时,xPb(Y1/2Nb1/2)O3-(1-x)Pb(Zr1/2T11/2)O3不再是铁电材料. 相似文献
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用标准单元库和阵列方法进行混合电路的设计只有五、六年的历史。它们具有数字半定制芯片集成度高、速度快、功耗低的优点。但由于精度差、分辨率低,混合模拟数字电路的使用受到了限制。最近,由于先进的工艺技术和设计手段的出现,使得高性能混合模拟/数字ASIC成为可能,并将成为今后集成电路的主要方向之一。本文从单元库的建立、阵列结构、性能模拟诸方面综述了混合模拟/数字ASIC的设计进展。 相似文献
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本文较全面地综合介绍了国外采样(跟踪)/保持放大器的设计。采/保放大器在数据采集、数据分配和模拟信号处理系统中获得了广泛应用。是高速、高分辨率A/D转换器件不可分割的一部分。重点介绍开环结构的采样/保持放大器、闭环结构的高精度采样/保持放大器(双极)、全差分高速跟踪/保持放大器(BiCMOS)和超高速采样/保持放大器(GaAs)的设计。还将介绍有关术语定义、器件发展概况及其应用。 相似文献
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周军 《激光与光电子学进展》2001,(9):52-52
1/4波片和1/2波片是激光技术中用于激光偏振态变换的关键器件.通常人们使用的1/4波片和1/2波片大部分是由云母劈裂而成的,但是要把云母劈裂成具有严格正确的厚度是比较困难的.对于满足一定条件的两任意延迟量的波片所构成复合波片系统,当快轴之间的夹角为某一特定值时,就可以代替单1/4波片实现从线偏光到圆偏光的变换.本文根据偏振光矢量的琼斯矩阵理论,对这种复合1/4波片的工作特性进行了分析,结果表明对偏振态的变换作用可等效于一旋光器和一单1/4波片的组合.由于波片和旋光器的琼斯矩阵都是幺正矩阵,依据幺正矩阵的性质,推导出了复合1/4波片中等效旋光器的旋转角和等效单1/4波片的快轴取向角的表达式,这就为复合1/4波片的推广应用以及其对偏振态变换的分析带来极大帮助,并给出了处理此类问题的一般方法.借助于我们的等效理论,采用不同材料的两任意延迟量的波片,可望设计出全新的消色差复合1/4波片.(OG24) 相似文献
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在低频下,1/f噪声是硅双极晶体管的主要噪声。到目前为止,一般认为,1/f噪声有二种来源:表面态的存在和体内自由载流子迁移率的涨落。这两种1/f噪声有不同的表现形式。目前还没有统一的模型来描述1/f噪声,这是由于对1/f噪声的物理机理还没有一个完整、统一的理论。本文对已见发表的1/f噪声主要研究结果作了评述。 相似文献
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在低频下,1/f噪声是硅双极晶体管的主要噪声.到目前为止,一般认为1/f噪声有二种来源:表面态的存在和体内自由载流子迁移率的涨落,这二种1/f噪声有不同的表现形式.目前还没有统一的模型来描述1/f噪声,这是由于1/f噪声的物理基础还没有一个完整的认识.本文对1/f噪声研究的主要结果作了评述. 相似文献
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设计了一种低功耗、中速中精度的单端输入逐次逼近A/D转换器,用于微处理器外围接口。其D/A转换器采用分段电容阵列结构,有利于版图匹配,节省了芯片面积;比较器使用三级前置放大器加锁存器的多级结构,应用了失调校准技术;控制电路协调模拟电路完成逐次逼近的工作过程,并且可以控制整个芯片进入下电模式。整个芯片使用UMC 0.18μm混合模式CMOS工艺设计制造,芯片面积1 400μm×1 030μm。仿真结果显示,设计的逐次逼近A/D转换器可以在2.5 V电压下达到12位精度和1 MS/s采样速率,模拟部分功耗仅为1 mW。 相似文献
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本文分析了BISDN中综合业务(数据/话音/图象)流统计复用的性能。采用变到达率泊松批量(VARPB)过程逼近统计复用系统的输入过程,形成了VARPB/D/1排队模型,求出了队列长度的分布和等待时间的分布。通过计算机模拟,验证分析的有效性。 相似文献
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FPAA/AFPGA现场可编程模拟阵列是近些年发展起来的一种ASIC设计技术,本文概述了FPAA/AFPGA的发展状况及主要几种技术问题。并介绍了已出现的几种FPAA芯片。 相似文献