用对乙酰基偶氮羧吸光光度法测定纯试剂和高纯试剂中的微量钙

随着科学技术的发展以及科学实验的需要,对化学试剂纯度的要求越来越高。如在MOS器件中,痕量的钠、钙等杂质离子的存在就严重地影响器件的稳定性、可靠性及成品率,因此,MOS级化学试剂中的杂质的含量必须严格控制在10~(-5)％以下。钙是常见元素,来源很多,极易对各类试剂造成污     

制造MOS器件用试剂的纯度

制造MOS器件大约需要几十道工序,就工种而言,大致可分为二大类:一、光刻,包括选择腐蚀;二、热加工,包括外延、氧化和扩散。这二类工种都需要各种用量不同的试剂,而试剂中存在的杂质则往往会影响器件的参数和器件的成品率。因此,人们就常常想通过最后一道超纯水将片子上的杂质冲洗掉。但事实上,水只能冲去溶解于水中的杂质,而对残渣和微粒,水是很难冲掉的。尤其是     

文摘选录

<正> 随着电子工业的发展,电视机、录音机、电子计算机的出现,对化学品不但纯度要求高,而且配套性也很强,要控制对电子有害的杂质,于是出现“电子纯”的化学试剂,单项杂质的含量控制0.1—10ppm,到了七十年代随着集成电路和大规模集成电路(MOS)的出现。微型电子计算机及电子手表都用MOS 专用配套化学品,这就是MOS 级试剂,要控制30项有害杂质,单项杂质要求控制在ppb 级(ppb 二十亿分率)、即0.001—0.1ppb 范围。甚至于对冲洗用的蒸馏水、房间、洁净     

MOS级化学试剂的分析方法(摘要)

在大规模集成电路和半导体材料的研制工艺过程中,对所使用的化学试剂的纯度的控制,非常重要。水和试剂中的某些杂质元素的沾污往往给材料和器件的质量带来有害的影响,故必须对水和试剂的质量加以严格控制。MOS级试剂的杂质含量一般都是10~(-5)～10~(-7)％,因此需要选定灵敏度高的分析方法检测其中的痕量杂质。本实验室选用了三种方法来分析几种试剂。     

气体中微量水和氧分析方法的国外概况

在集成电路、半导体器件、电真空器件及电子材料的生产中,广泛应用各种高纯气体。这些气体有氧气、氮气、氢气、氩气、氦气……等,以及它们的混合气。各种高纯气体在各道工序中都直接同器件或零件接触。例如半导体器件、集成电路生产中的外延、扩散工序,硅片在高温下同氢气、氮气和氧气直接接触,因此所使用气体的纯度和各种杂质含量直接影响电子产品的质量和成品率。在各种杂质中,水分和氧是两种主要的十分有害的杂质,对其     

文摘选录

<正> MOS 级及电子纯试剂分析方法的研究与应用·中国科学院上海冶金研究所七室·中国化学会第二届化学试剂学术会议资料MOS 级或电子纯试剂对杂质元素的要求是10~(-5)～10~(-7)%或更低·本文是用无火焰原子吸收光谱法、感应耦合高频等离子体(ICP)化学光谱法及方波极谱伏安法。对北京化工厂MOS 级、西德Merck MOS 级及上海试剂一厂电子纯试剂进行测定,共分析了15种试剂中15个杂质元素。对Cu、Fe、Zn 还用以上三种测试法进行相互校对工作(分析结果有附表)。(卓)     

从农用钾肥中提取试剂级氯化钾的工艺条件研究

通过实验研究 ,从杂质较多纯度较低的农用钾肥中提取出试剂级氯化钾。将农用钾肥溶解后 ,通过沉淀、氧化碳离子交换、重结晶等方法提纯。选择到一种较好的工艺流程 ,并找到了最佳生产工艺条件。制造出的氯化钾产品按国标GB6 46 - 93检验分析 ,产品的氯化钾含量及其它杂质含量均符合分析纯氯化钾试剂的国家标准。     

文摘选录

半导体工业用的超纯化学试剂王兆渠国外科技 4,13(1981) 随着大规模集成电路的发展,人们越来越认识到超纯化学试剂对制作大规模集成电路的重要性。在半导体工艺中,常用氢氟酸和含氧酸组成的混合液来对硅片刻蚀“窗口”,然后进行腐蚀。如果试剂纯度不高,含有多种金属离子,就可能在腐蚀后沉积在二氧化硅表面上,且不易被水洗去。另外,如果试剂中含有小于1微米的颗粒时,也易被硅或二氧化硅表面所吸附,虽用水也不易冲去。因而国外已专门生产电子工业专用试剂,并规定杂质含量要低于百万分之一(10_(-6),即1ppm)以下,且对微粒含量作了控制。鉴于试剂纯度会极大影响半导体产品质量,1970年美国化学协会制订了化学试剂最高杂质含量标准,     

MOS级化学试剂

MOS级化学试剂是“金属-氧化物-半导体”(Metal-oxide-semiconduceopr)电路专用的特纯试剂的简称,是为适应大规模集成电路(LSI)的生产而出现的一个新的试剂门类。MOS级试剂的品种数各个国家不一,二、三十种甚至更多一些,这与用户的使用习     

二仲丁基二硫代磷酸铵萃取原子吸收测定MOS级盐酸中的痕量砷

MOS(金属氧化物半导体)材料对电子和计算机技术等领域十分重要,其生产过程需要使用高纯MOS试剂,如作清洗剂的盐酸、硝酸等,而且洗后不能有痕量离子残留下来,否圳会使电压特性变差,故各种MOS级试剂中所含杂质元素的量必须严格控制在ppb级以下。     

纯度标准物质HMX的制备及均匀性检验

以工业特级品HMX为基体,研究了HMX的纯化工艺,制备出军用纯度标准物质HMX.考察了用不同溶剂重结晶对HMX纯度的影响,选择用两种重结晶方法、分三步操作纯化HMX:首先用二甲基亚砜作溶剂,80℃溶解HMX,趁热过滤除去无机杂质和机械杂质后,用溶剂-非溶剂沉淀技术使HMX结晶析出;第二步以乙腈为溶剂重结晶纯化HMX,HMX的纯度达到99.60%以上;最后用MOS级无水乙醇煮洗,进一步去除有机杂质和溶剂残留.液相色谱分析、X射线粉末衍射分析和均匀性研究结果表明,所制备的纯度标准物质HMX纯度不小于99.70%,晶型为β型并且均匀性良好.     

指示剂类有机试剂纯度的测定 Ⅱ茜素S纯度的测定

本文是前文工作的继续。这里我们遇到的情况是试剂中的杂质不仅与金属离子形成络合物,而且络合物有色,这样它的吸收必将加入试剂-金属络合物的吸收中去,因而前述方法不再适用。这里我们采取了杂质加入法,即先加已知量的纯态杂质(杂质中影响最大的一种组分)至商品试样中。而后用它以及原来商品样在相同条件下分别制作摩尔比曲线,并由曲线推导出计算纯度的方法。据此我们拟定实验方法测定了茜素S的纯度,结果令人满意。     

重氢试剂(二)(续完)

重氢试剂纯度的定量测定西德 E.Merck 是用气相色谱分析法定量测定重氢试剂的纯度。我们是根据核磁共振定量分析的特点,即讯号强度和质子数成正比,拟定的重氢试剂的定量测定方法。方法原理是采用内标法。取一定体积的待测重氢试剂,加入一定量的内标(二氯甲烷作内标),混合试样并置于核磁共振波谱仪中。测定核磁共振吸收曲线和相应的积分曲线,从积分面积比值(重氢试剂中杂质的积分面积和内标的积分面积的比值)计算重氢试剂中含氢杂质的含量,由此推算出重氢试剂的纯度。为了验证此项核磁共振定量测定的可靠性,我们用不同的核磁共振波谱仪对某批三     

二甲苯酚橙的精制

精制(一称提纯)为的是要获得纯度较高的物质。市售试剂或多或少含有从制备中带来的杂质。如果杂质的量足以影响使用,则在使用前予以精制,使其杂质量减少至可允许的程度。例如欲测定三元络合物的组成比时,如果其中任一成分不纯,自然要影响组成比的可靠性。又如用不纯物质测定物理常数和化学性质均属白费精力,反而给文献添加困扰。再举一例,化学法测定原子量系依据化合比,所以所用试剂包括水均需在实验室中用市售分析纯试剂自行精制。自然,精制是无止境的,但纯度越高,价格越昂。因此在化学试验中,使用纯度不够     

MOS级氢氟酸——栅氧化

硅表面上生成一层二氧化硅是硅平面工艺中一项重点工序,在MOS电路中它的作用更为重要。二氧化硅作为MOS晶体管的栅氧化层介质是MOS的核心组成部分,同时它又是电路中晶体管与晶体管、布线与布线、布线与衬底之间的隔离绝缘介质,所以MOS集成电路对氧化工艺的要求比双极型集成电路更为严格。     

试剂硝酸银生产新工艺

生产分析纯试剂硝酸银时，杂质指标中铅的含量，通过一次重结晶往往难于达到规格要求，如果是采用象海绵银这样纯度低的银来生产，难度则更大。我们采用的新工艺生产试剂硝酸银三年多来，工艺过程中无需采用重结晶，一次结晶产品就能达到分析纯，杂质铅含量远远低于标准。...     

超纯水与大规模集成电路

进入70年代以来,大规模集成电路飞速发展,特别是N沟MOS电路发展更快。国外1972年研制出N沟MOS4千位动态随机存贮器(4KRAM),相当于一万多个元件;1976年研制出16KRAM,相当于三万七千个元件;1978年又发展到64KRAM,约13—14万个元件;1980年美国、日本已研制出256KRAM样管,大约50万个元件。目前,我国已研制出16KRAM。随着大规模和超大规模集成电路的发展,集成度越来越高,线条越来越细,其成品率随集成度的增加成指数关系下降,因     

药用试剂级氯化铵合成初探

医药和试剂氯化铵要求纯度高、杂质少,目前一般以氯化铵工业品精制而得。在精制过程中,通常经溶解、重结晶、分离和干燥等二系列工序。氯化铵腐蚀性强,故对设备的防腐要求也较高。以氯气和氨在气相中直接合成,可得到纯度很高的氯化铵白色粉末。如果以该产品作医药和试剂用,就可省去上述的一系列工序、简化操作,减少设备、降低产品成本。 84年初,我们成功地完成了氯、氨气合成氯化铵的生产试验,制取出小批量的高纯度氯化铵。     

微电子化学试剂

大规模集成电路单晶硅片制作过程中需要大量的相关材料和化学品；其中需要大量的高纯和超净化学试剂，即微电子化学试剂，又称MOS试剂。本文对微电子化学试剂的市场及其开发应用的进展作了简单介绍。     

MOS级磷酸——铝腐蚀

光刻在MOS电路工艺中占着非常重要的位置,光刻工艺质量对电路的性能、可靠性,尤其足对成品率的影响很大。腐蚀是光刻工艺的重要环节,而腐蚀液的性能和正确使用又是保证腐蚀质量的关键。腐蚀主要是要求腐蚀作用稳定、和缓而不侵蚀光刻胶或侵蚀作用很小。腐蚀不同材料需要采用不同的腐蚀液,根据P-沟铝栅MOS工艺的要求,铝腐蚀所需的磷酸应含H_3PO_4 85％以上的MOS级试剂,它酸性较弱,对光刻胶侵蚀很小,它与铝的反应如下: