半导体桥火工品的发展

文中系统评价和分析了近年来国内外半导体桥结构，制造工艺和封装技术，展望了半导体桥点火装置及智能火工装置的应用前景。提示了这类火工品必将得到广泛应用的趋势。     

半导体桥的研究进展与发展趋势

文章系统地综述了半导体桥芯片的研究现状和半导体桥点火性能测试的研究进展,并对半导体桥的发展趋势以及应用前景进行了分析和展望,指出今后应当对反应式半导体桥和其它新型半导体桥的设计、制备及点火机理进行研究。     

半导体桥火工品的防静电和防射频技术

对电火工品及半导体桥火工品防静电、防射频的常用方法进行了分析和概述,防静电方法主要是采用绝缘环或者泄放通道,防射频方法主要是采用屏蔽和低通滤波器。指出了现有常用技术存在的问题和今后的发展方向,认为现有方法无法完全泄放杂散静电、很难做到无缝隙屏蔽,或会增加火工品体积和质量。利用微电子保护电路,是半导体桥火工品静电和射频防护技术未来的发展方向。     

半导体桥结构设计分析

文章讨论了半导体桥点火的作用机理.在比较、分析了几种常用的半导体桥结构的基础上,设计出一种新的SCB结构.从理论上讲,此种结构具有更好的点火性能.文章以SCB的典型结构--"H"形为例,对半导体桥结构的各组成部分进行了分析,论证了半导体桥厚度δ=2μm的合理性;根据能量转换关系建立了数学模型,得出了半导体桥长和宽的计算公式.     

半导体桥升温方程研究

半导体桥火工品是取代桥丝的理想火工品。本文根据半导体桥的点火特性,应用电能转化为热能、热传导和炸药的热爆炸三个方面的理论,建立了在电容放电和直流输入两种方式下半导体桥桥体的升温特性方程;并通过计算机运算绘图,验证了方程基本符合理论要求。文章最后指出升温方程需加入修正系数来进一步完善。     

半导体桥升温方程研究

半导体桥火工品是取代桥丝的理想火工品。本文根据半导体桥的点火特性,应用电能转化为热能、热传导和炸药的热爆炸三个方面的理论,建立了在电容放电和直流输入两种方式下半导体桥桥体的升温特性方程;并通过计算机运算绘图,验证了方程基本符合理论要求。文章最后指出升温方程需加入修正系数来进一步完善。     

新世纪国内外半导体硅材料的新发展

本文综述了新世纪高速发展的深亚微米级集成电路对硅材料的新要求,以及国内外硅材料的最新研究和发展状况。还叙述了国内外多晶硅和单晶硅材料的生产技术和市场状况。指出了国内存在的差距并提出了发展我国硅材料的建议。     

Al/MoO3薄膜厚度对含能半导体桥发火特性的影响

使用微细加工技术在半导体桥上分别集成3μm和6μm厚度的Al/MoO_3纳米含能复合薄膜,制备成含能半导体桥,并使用电容放电的激发方式,研究薄膜厚度对含能半导体桥发火特性的影响。研究发现,随着薄膜厚度的增加,含能半导体桥的临界发火时间和临界发火能量无显著性变化,电容放电的作用总时间、作用总能量和能量利用效率降低,能量输出效率显著增加。     

基于Al／MoOx纳米复合薄膜的含能半导体桥研究

使用微细加工和磁控溅射技术将Al/MoO x纳米复合薄膜集成于半导体桥(SCB),制成含能半导体桥SCB-Al/MoO x以提高SCB的点火能力。薄膜的SEM、DCS和XPS结果表明,复合薄膜成膜质量好,层状结构清晰,放热量可达3200 J/g,达到理论值的68%(理论放热量为4703 J/g),MoO x薄膜含有32%的MoO3、37%的Mo2O5以及31%的MoO2。电容激励发火实验表明:相同激发条件下,SCB-Al/MoO x反应终止时间较SCB显著缩短,能量输出效率高于SCB,发火时溅射出的火花量明显增多,持续时间显著延长,使用原子发射双谱线测温法得到的等离子体温度亦高于SCB。     

SCB火工品的研究与发展

文章评述了半导体桥火工品问世以来的研究成果与发展趋势。主要内容有半导体桥作用机理、半导体桥的结构与封装、半导体桥火工品的特点、半导体桥火工品的应用、半导体桥火工品的研究和发展趋势。     

压敏电阻用于SCB火工品静电安全性研究?

为了提高半导体桥(SCB)火工品的静电安全性,利用贴片式压敏电阻优良的钳位电压能力对SCB火工品进行静电加固。恒流激励下发火试验结果显示,080C型压敏电阻对SCB火工品发火时间和爆发时间无显著影响;静电国军标条件下,SCB火工品均未发火,在静电美军标下全发火;080C型压敏电阻防护后,SCB火工品在美军标条件下均未发火,静电安全性得到了显著提高。因此,在不影响SCB火工品正常发火性能条件下,080C型压敏电阻能够显著提高SCB火工品的抗静电能力。     

半导体桥起爆器在固体火箭冲压发动机转级装置中的应用研究

转级装置是固体火箭冲压发动机（固冲发动机）的重要组成部分,关系着固冲发动机能否实现从助推向冲压的成功转换。进气道堵盖是冲压发动机转级过程中的关键部件之一,可控制气体进入补燃室。提出了一种使用半导体桥起爆器作为起爆装置的易碎式堵盖,起爆时通过点燃半导体桥起爆器使堵盖破碎,使气体进入补燃室,完成固冲发动机转级控制。重点介绍该易碎式堵盖的结构形式、使用特点,并对半导体桥起爆器的转级控制电路进行了介绍。实验结果证明,半导体桥起爆器可应用于固冲发动机转级装置中。     

基于Cu阻挡层的Al/CuO含能半导体桥的电爆性能研究

界面层的反应性是纳米含能复合薄膜(RMFs)制备中的重要因素,直接影响纳米RMFs的反应性能。为了研究纳米Al/CuO RMFs在半导体桥上集成后的电爆性能,采用磁控溅射工艺制备了Al/CuO含能半导体桥（Al/CuO-ESCB）和Al/Cu/CuO含能半导体桥(Al/Cu/CuO-ESCB),研究了Cu层作为阻挡层对Al/CuO-ESCB电爆过程的影响。结果表明:增加Cu阻挡层可以缩短ESCB的临界激发时间,增加ESCB的燃烧时间。