钡铁氧体垂直磁化膜磁各向异性研究

钡铁氧体垂直磁化膜可用作高密度磁记录介质。本文研究用低温ＲＦ磁控溅射法制备非晶薄膜，经晶化处理所得到的垂直磁化膜的饱和磁化强度Ｍｓ、矫顽力Ｈｃ及垂直磁各向异性常数Ｋｕｌ、Ｋｕ２与退火温度Ｔ的关系，并对所呈现出的变化规律作了简单解释。介绍了依据转矩曲线的形状来判断薄膜垂直性优劣的方法，从转矩曲线出发，探讨了影响薄膜磁各向异性的因素。     

末端形状对磁纳米薄膜自旋波模式特性的影响

基于微磁学模拟方法研究了磁纳米膜末端形状对自旋波模式特性的影响。获得了多种不同的局域化、量子化自旋波模式特性,以及末端形状对自旋波模式特性的调制规律。通过裁剪纳米膜的末端形状可有效调控边缘模式自旋波特性,存在一临界裁剪参数h0。当裁剪度hh0时,随着h的增大,边缘模式频率快速增加,局域于磁薄膜两末端的磁振荡区域向中央扩展。当h≥h0时,局域于磁薄膜两末端磁振荡在磁体中央合并为一致振荡模式自旋波,边缘模式被抑制。薄膜末端边缘形状对别的自旋波模式特性影响较小。最后,基于近似色散关系理论模型对研究结果进行了解释。     

Interlaboratory Comparison of Magnetic Thin Film Measurements

A potential low magnetic moment standard reference material (SRM) was studied in an interlaboratory comparison. The mean and the standard deviation of the saturation moment m_s, the remanent moment m_r, and the intrinsic coercivity H_c of nine samples were extracted from hysteresis-loop measurements. Samples were measured by thirteen laboratories using inductive-field loopers, vibrating-sample magnetometers, alternating-gradient force magnetometers, and superconducting quantum-interference-device magnetometers. NiFe films on Si substrates had saturation moment measurements reproduced within 5 % variation among the laboratories. The results show that a good candidate for an SRM must have a highly square hysteresis loop (m_r/m_s > 90 %), H_c ≈ 400 A·m⁻¹ (5 Oe), and m_s ≈ 2 × 10⁻⁷ A·m² (2 × 10⁻⁴ emu).     

薄膜气敏材料的性能和研制薄膜气敏元件的工艺探索

给出了薄膜气敏材料性能的测试结果：存在最佳灵敏度膜厚l *（ l *≈1500?）;动态特性;膜越薄响应越快;存在最佳掺杂（ CeO2）量x%,x的取值范围为5~15。提出了复合绝缘膜Si/SiO2/Al2 O3衬底;提出了研制薄膜的粉末溅射;给出了研制电导气敏薄膜元件的工艺流程,并对各工艺进行了必要的说明。     

沉积膜厚度对NdFeB薄膜形貌和磁性能的影响

采用直流磁控溅射法,以P型单晶硅为基体材料,通过调整溅射时间制备出不同厚度的NdFeB薄膜.然后对不同厚度的薄膜运用相关仪器进行表征,结果表明,NdFeB薄膜厚度随着溅射时间的延长呈现近似线性增加,不同溅射时间段的沉积速率近似相同.矫顽力随着薄膜的厚度和Nd含量的增加而增加,薄膜中F的含量由84.01％降至81.65％,Nd含量由10.73％升至13.10％,B含量在5.25％～5.38％范围内浮动.     

非晶LiSiON薄膜电解质的全固态薄膜锂电池性能

全固态薄膜锂电池(TFLB)是理想的微电子系统电源.目前报道的固态非晶电解质存在离子电导率偏低的问题,限制了TFLB性能的提升.本工作采用磁控溅射法制备了一种新型非晶锂硅氧氮(LiSiON)薄膜用作TFLB的固态电解质.结果表明,优化制备条件后的LiSiON薄膜具有6.3×10–6 S·cm–1的高离子电导率以及超过5...     

PECVD方法用于梯度薄膜材料的研究

本文研究了ＰＥＣＶＤ方法制备Ｓｉ－Ｏ－Ｍ系梯度薄膜材料，并运用计算机控制技术成功地制备了涂层折射率随膜深成正弦波形式连续变化的Ｒｕｇａｔｅ单通带滤波器样品。结果表明，采用ＰＥＣＶＤ方法可以制备性能上乘、结构复杂的梯度薄膜材料，ＰＥＣＶＤ方法在研究、开发高级光学涂层领域有着宽广的应用前景。     

ZnO基半导体薄膜材料的研究进展

介绍了ZnO基半导体薄膜材料的基本性质和制备手段，综述了其在发光方面及磁性方面的研究进展。详细探讨了ZnO薄膜材料的发光机理、P型掺杂、p-n结的生长和稀磁性能，并对国内外的发展情况和存在问题进行了分析和探讨。     

薄膜太阳能电池

薄膜太阳能电池作为一种新的能源材料正在得到迅速的发展和进步,主要介绍了非晶硅、多晶硅薄膜太阳能电池以及CIGS薄膜太阳能电池,通过比较这几种薄膜太阳能电池各自的特点阐述了各种薄膜太阳能电池的发展状况.     

分子磁性材料的研究进展

文章简明阐述了近年来分子磁性材料研究中的一些相关问题,对其研究的发展历史进行了回顾。介绍了当前分子磁性材料理论研究中定性和定量两方面的进展。同时对分子磁性材料实验研究中的热点问题进行了介绍,并展望了分子磁性材料潜在的应用前景。     

自组装纳米超薄膜研究进展及其应用

纳米超薄膜指薄膜厚度处在纳米数量级的薄膜。纳米级超薄膜具有导电、电致发光、光电转换等多种功能，可用于制备传感器、太阳能电池以及光通讯元件，近年来受到广泛重视。自组装是制备多层纳米超薄膜的一种方法，它制备的超薄膜是高度有序和具有方向性的超薄膜。本文就自组装制备纳米超薄膜技术的发展进行了详细的介绍，并对纳米超薄膜的应用发展进行了探讨。     

CIGS薄膜太阳能光伏产业发展现状

Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳能电池以其柔性、低成本、发电性能稳定等优势成为硅基光伏电池的最佳替代品。概述了CIGS薄膜电池特性,列举了国内外产业发展状况。同时对CIGS薄膜电池产业化存在的问题和未来研发方向做了简要的总结和预测。     

AIN电子薄膜材料的研究进展

AIN是一种在热、电、光和机械等方面具有良好综合性能的材料，作为电子薄膜材料在微电子、电子元件、高频宽带通信以及功率半导体器件等领域有广泛应用。简介了AIN薄膜的制备方法，评述了国内外各科研团体的最新研究成果和进展，阐述了AIN薄膜的应用，并综述了近年来AIN薄膜作为缓冲层、SOI结构的绝缘埋层和吉赫兹级声表面波器件压电薄膜的研究现状。     

总碳标准物质的研制

本文介绍总碳标准物质的制备,用F-t检验法证明其均匀性良好,经过一年的稳定性检测,稳定性良好,并由8家单位的实验室共同协作定值,经统计检验得出其标准值和不确定度。该标准物质已达到国家级标准物质的技术要求。     

合金薄膜电阻应变式压力传感器的研究进展

综述了合金薄膜应变压力传感器的现状、发展趋势、技术关键及应用情况.合金敏感薄膜电阻在应变压?技 力传感器上的应用克服了粘贴式应变压力传感的缺点,使压力传感器结构更精细,性能更优越,适应各种恶劣环境测量压力的要求.     

薄膜沉积机理的计算机模拟应用和发展

薄膜技术作为材料制备的一种新技术,在现代科技领域中有着广泛应用.人们对薄膜的沉积机理通过理论和实验进行了比较深入的研究,其中计算机模拟变得日趋重要.主要阐述目前薄膜沉积机理的计算机模型:LG模型、Eden模型、DLA模型及RLA模型,相应计算机模拟技术的发展以及面临的问题和发展方向.     

Magnetic Levitation With High-Tc Superconducting Thin Films

The levitation force between a permanent magnet and a superconducting thin film was investigated experimentally. The configuration consisted of a cylindrical NdFeB permanent magnet placed above a circular YBa₂Cu₃O_7– disk with common cylinder axis. Precise measurements were made of the vertical force F _z and the magnetic stiffness _z as a function of the magnet–superconductor separation at 77 K. Several features contrasting the levitation force produced using bulk superconductors were observed. Thin films produced very high values for F _z and _z per unit volume of superconducting material. The hysteretic behavior of F _z during decreasing and increasing separation resulted in loops of nearly symmetrical shape, which also contain a peak in the repulsive force branch. The observations are analyzed and explained with good quantitative agreement using recent theories for flux penetration in thin superconductors in transverse magnetic fields.     

SiC薄膜制备工艺进展

本文综述了ＳｉＣ薄膜的制备工艺及进展，介绍了物理气相沉积、化学气相沉积、等离子化学气相沉积及光化学气相沉积等各种ＳｉＣ薄膜的制备方法，简单阐述了各种工艺对薄膜性能的影响，评述了各种制备工艺的优缺点。     

空气中环戊烷气体标准物质的研制

称量法制备空气中环戊烷气体标准物质,采用气相色谱法进行均匀性、稳定性考察及比对分析,确保数值准确可靠。空气中环戊烷的浓度范围为（0．1—1．0）×10^-2（mol／mol）。     

氧化锌薄膜研究的新进展

ZnO薄膜是一种具有优良的压电、光电、气敏、压敏等性质的材料.ZnO薄膜的制备方法多样,薄膜的性质取决于不同的掺杂组分,并与制备工艺紧密相关.简述了ZnO薄膜的制备方法与基本性质与应用,分析了ZnO薄膜研究、应用与开发现状,展望了产业化发展前景.