电磁场对锦纶织物化学镀铜的影响

采用自制通电线圈作为磁场来源对锦纶织物化学镀铜,镀液配方和工艺条件为:五水合硫酸铜5～10g/L,酒石酸钾钠10～20 g/L,乙二胺四乙酸20～40 g/L,亚铁氰化钾1～3 mg/L,2,2′-联吡啶2～5 mg/L,聚乙二醇10～50 mg/L,乙醛酸3～5 g/L,温度40～50°C,pH 12～13,时间20 min。通过改变电流来控制电磁场强度,以研究磁场强度对镀铜层方块电阻、微观形貌、元素成分和结合力的影响。当制造电磁场的电流为30 mA时,所得化学镀铜层无杂质,表面平整,方块电阻约为17 mΩ,结合力良好。     

硫酸盐酸性镀液中碳纤维电镀铜

针对在硫酸铜酸性镀铜液中碳纤维电镀出现的镀层粗糙、"黑心"等问题,研究了纤维预处理、镀液成分和电解规范对镀层的影响,确定了合适的碳纤维电镀铜工艺. 预处理采用空气高温氧化和硝酸粗化氧化,SEM和XPS分析显示,预处理后碳纤维表面粗糙度增加,并且存在大量亲水性含氧官能团. 讨论了镀液中游离硫酸浓度、有机添加剂及Cl-等对镀铜层质量的影响,并采用SEM, XRD等方法考察了镀层质量. 结果表明,在CuSO4 60 g/L, H2SO4 180 g/L镀液中加入适量2-巯基苯并咪唑、乙撑硫脲和聚二硫二丙烷磺酸钠等添加剂,控制Cl-含量20~60 mg/L,以及选择合适的工艺参数,可以在碳纤维表面得到均匀、平整、与纤维结合紧密的镀铜层.     

添加剂对高电流密度下通孔电镀铜的影响

通过测量25°C的计时电位曲线研究了聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)、二甲基甲酰胺基丙烷磺酸钠(TPS)、N,N-二甲基二硫代甲酰胺丙烷磺酸钠(DPS)、3-巯基-1-丙烷磺酸钠(MPS)、噻唑啉基二硫代丙烷磺酸钠(SH110)和醇硫基丙烷磺酸钠(HP)这6种常用添加剂对高电流密度(3.0 A/dm2)下通孔电镀铜的影响。基础镀液为70 g/L硫酸+200 g/L五水合硫酸铜+60 mg/L氯离子,抑制剂为200 mg/L聚乙二醇(PEG-10000),整平剂为1 mg/L健那绿(JGB)。结果表明,镀液中单独加入抑制剂时镀液的分散能力没有提高,而MPS的去极化能力过强,能抵消抑制剂和整平剂的作用。采用100 mg/L PEG-10000+1 mg/L TPS+1 mg/L JGB作为添加剂时,镀液的分散能力为82%,所得通孔镀铜层热应力情况较好。     

专利实例

电镀铜五则97601碳纤维上电镀铜首先除去碳纤维表面的胶，然后镀覆较氢活泼的金属（Fe或Zn），其厚度≤0．1μm，再电镀或化学镀铜。所镀覆的金属与镀铜液中的H＋离子作用释放出H2，这样，可促使碳纤维在镀液中分散开，从而可以均匀地镀铜。中国专利CN1，094，100（1994－10－26）97602挠性印制线路板电镀铜溶液该镀液含有硫酸铜60，～100g／L；硫酸170～220g／L（二者做为主要成分）。此外还加入羟基羧酸如柠檬酸（其与硫酸铜的摩尔比≥0．5），氯离子10～1000mg／L以及硫脲或其衍生物（如乙酰硫脲或1，3-二乙基硫脲）。电沉积铜层的应…     

Cl~-对镀铜层织构的影响

Cl-是镀铜工艺中必不可少的一种添加剂,它对镀层的光亮度和机械强度等都有很大的影响。采用酸性硫酸盐体系电沉积制备镀铜层,用XRD分析了Cl-对镀铜层织构的影响。结果表明:Cl-对镀层(111)晶面的织构系数没有影响;随着Cl-的质量浓度的增加,(220)晶面的织构系数出现先增后降的趋势。在铜酸比1∶1,电流密度4A/dm2,Cl-80mg/L,电解温度40℃,电解时间50min的条件下,可以获得高择优取向的镀铜层。     

电镀时的温度和电流密度对铬–石墨烯复合镀层摩擦磨损行为的影响

以420不锈钢为基材,采用含Cr O_3 180 g/L、硫酸1.8 g/L、Cr~(3+)1.8 g/L、十二烷基苯磺酸钠8 mg/L和多层石墨烯80 mg/L的镀液,在温度40~55°C和电流密度20~50 A/dm2的条件下电镀10 min,得到了铬–石墨烯复合镀层。研究了镀液温度和电流密度对复合镀层显微硬度和摩擦磨损性能的影响。结果表明,当镀液温度为50°C,电流密度为30 A/dm~2时,所得复合镀层表面平整均匀,显微硬度高,摩擦学性能较好。     

坡莫合金纤维退镀铜工艺研究

采用过硫酸铵?柠檬酸钠体系化学退镀坡莫合金纤维表面的铜层.研究了退镀液中不同组分的质量浓度和温度对退镀速率的影响,得到较佳的工艺参数为:过硫酸铵75～100 g/L,柠檬酸钠40～50 g/L,氯化钠30～40 g/L,温度30～35°C.在该条件下坡莫合金表面铜层完全退除,且对基体基本无腐蚀作用,退镀后的纤维丝自然分...     

印制电路板通孔电镀铜添加剂的研究

在2.0 A/dm2、24°C和空气搅拌条件下,采用由60 g/L Cu SO4·5H2O、200 g/L H2SO4、60 mg/L Cl-和4种添加剂组成的酸性镀铜液对印制线路板通孔进行电镀铜。以PCB通孔孔口、孔中心铜层厚度和镀液的深镀能力为指标,通过正交试验对添加剂聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)、聚乙二醇(PEG-10000)、季铵盐类化合物(MX-86)和嵌段聚醚类化合物(SQ-5)的用量进行优化,得到添加剂的最优组合为:SPS 20 mg/L,SQ-5 0.5 g/L,PEG-10000 0.2 g/L,MX-86 20 mg/L。采用该配方对深径比为8∶1的通孔电镀时,深镀能力在90%以上,铜层的延展性和可靠性均能满足印制线路板的工业应用要求。     

底火体白色灰膏的清除

WD303底火体为钢铁件体积小,且形状复杂(如下图)其上镀铜后再镀锡.5000个不合格品在下述溶液中退镀.NaOH 50～70g/L间硝基苯磺酸钠 50～70g/LNaNO_3 50～70g/L温度 80～100℃     

铜粉处理酸性镀铜溶液中氯离子的机理

阐明了用铜粉处理酸性镀铜溶液中氯离子的机理,理论分析和实验表明,在酸性镀铜溶液中,Cu2+离子与铜粉反应生成Cu+离子,同时氯离子与Cu+离子反应生成氯化亚铜沉淀.向镀液中加铜粉1g/L,氯离子的起始质量浓度为174mg/L时,氯离子的去除率为58.9%,而向镀液中加锌粉1g/L,氯离子的去除率为47.0%,用铜粉处理...     

分光光度法测定光亮镀镍液中十二烷基硫酸钠含量

根据我厂生产的需要,我们配制了2000升光亮镀镍液,该镀液成分为:硫酸镍250～300g/L,氯化镍30～40g/L,硼酸35～40g/L,糖精1～2g/L,791光亮剂0.3～0.8g/L,十二烷基硫酸钠0.05～0.1g/L.镀液中十二烷基硫酸钠是防针孔剂,它的含量过低,会使镀层出现针孔;含量过高,会使镀层发雾,因此,需要测定其含量.镀液中的十二烷基硫酸钠含量较低,采用分光光度法测定,灵敏度高,重现性好.     

HEDP溶液钢铁基体镀铜工艺的研究

采用赫尔槽试验和直流电解方法研究了HEDP镀液在钢铁基体上预镀铜的工艺过程,给出了最优镀液组成和最佳工艺条件:Cu2+10g/L,HEDP 160g/L,K2CO 360g/L,pH9.0,温度50°C,通气搅拌,阴极电流密度2A/dm2。试验结果表明,上述HEDP镀液组成简单、容易维护,不加任何添加剂的平均分散能力为62.21%,深镀能力为100%;可操作的阴极电流密度范围较宽,阴极电流密度为2A/dm2时的镀速达0.37μm/min;得到的半光亮铜镀层结合力良好、结晶细致。     

用铜粉处理酸性镀铜溶液中的氯离子

研究了用铜粉处理酸性镀铜溶液中氯离子的机理和方法,实验表明,向酸性镀铜溶液中加入铜粉,金属铜与Cu2+离子和氯离子反应生成氯化亚铜沉淀。用铜粉处理酸性镀铜溶液中的氯离子效果较好,向镀液中加铜粉1g/L,氯离子的去除率为58.9%,而向镀液中加锌粉1g/L,氯离子的去除率为36.8%。     

锦纶基体表面以乙醛酸为还原剂的化学镀铜工艺

锦纶表面化学镀铜是实现金属化的重要途径。本文通过检测镀铜层沉积速度、镀层体积电阻等方法,研究了锦纶表面以乙醛酸为还原剂的化学镀铜工艺。实验结果表明,乙醛酸可以代替甲醛在锦纶织物表面得到光亮、致密、结合力好的化学镀铜金属层,镀液pH值及温度适当提高,镀速增大,镀层电阻减小,光亮度提高,亚铁氰化钾3 mg/L及2,2'-联吡啶的加入降低了镀速,但可以显著降低镀层电阻,表明添加剂的加入使镀层致密性增强。锦纶织物表面以乙醛酸为还原剂得到光亮稳定镀层的化学镀铜最佳配方及工艺:CuSO_4·5H_2O 10 g/L、乙醛酸3 g/L、酒石酸钾钠20 g/L、EDTA 40 g/L、NiSO_40.9 g/L、亚铁氰化钾3 mg/L、2,2'-联吡啶5 mg/L、聚乙二醇50 mg/L、pH值为13、温度为60℃。     

乙二胺四乙酸二钠体系电刷镀银

以紫铜为基体,采用以乙二胺四乙酸二钠(EDTA-2Na)为主配位剂的无氰体系镀液,在pH 9.5、温度23～25°C、电压2 V、电流4～5 A和镀笔移动速率8～12 m/min的条件下电刷镀银5 min。研究了辅助配位剂和添加剂对电刷镀银层外观和结合力的影响,得到较优的配方为:硝酸银70～80 g/L,EDTA-2Na 90～100 g/L,5,5-二甲基乙内酰脲70～80 g/L,无水碳酸钾30～40 g/L,乙酸铵15～25 g/L,2,2′-联吡啶0.1～0.3 g/L,焦磷酸钾35～50 g/L,氢氧化钾35～45 g/L,明胶1～2 mL/L。采用该配方电刷镀所得银层细致、光亮,厚度大于20μm,电导率为56.99 MS/m,结合力良好。     

钢铁基体上HEDP体系无氰滚镀铜工艺

探讨了HEDP(羟基乙叉二膦酸)溶液体系滚镀铜工艺的可行性。通过正交试验和单因素实验研究了配位剂含量、主盐含量、电流、温度、装载量和施镀时间对滚镀铜的影响,得到最佳配方和工艺条件为:HEDP 120 g/L,Cu SO4·5H2O 16 g/L,K2CO3 60 g/L,p H 9.5,温度50°C,阴极电流2.0 A,滚筒转速15 r/min,装载量50 g/筒。在该条件下滚镀1 h,可获得高、低电流密度区平均厚度分别为7.39μm和1.60μm,与钢铁基体结合良好的半光亮铜镀层。该滚镀铜工艺基本满足预镀铜的要求,但对有光亮度要求的产品,需要往镀液中加入适量添加剂HEAS。     

钛合金无氰碱性镀铜工艺

研究出一种钛合金无氰碱性镀铜工艺。通过实验,确定了最佳的镀液配方及工艺条件为:CuSO_4·5H_2O 25~30g/L,KOH 90~100g/L,K_2CO_3 30~50g/L,DS116添加剂110~130mL/L,pH值9.0~10.5,电流密度0.5~4.0A/dm~2,温度40~60℃。同时,对镀层和镀液的性能进行了测试。     

碳纤维表面单脉冲电镀铜

采用脉冲电镀法在碳纤维表面镀铜,研究了硫酸铜、硫酸、添加剂、施镀时间、电流密度、占空比等因素的影响,确定了合适的镀液成分和电镀工艺. 采用冷热循环法检测镀层与碳纤维的结合力,采用SEM和XRD考察了铜镀层质量. 结果表明,以130 g/L CuSO4×5H2O, g/L H2SO4 50, 30 g/L KNO3及6 mL/L光亮剂为镀液、室温下电流密度82 mA/mm2、占空比40%、施镀时间6 min为电镀条件,可在碳纤维表面得到表面平整细致、结晶度良好的铜镀层. 镀层结合力由原来的270 kPa提高到450 kPa.     

钾盐对氰化镀铜溶液性能的影响

研究了钾盐对氰化镀铜溶液性能的影响,结果表明,向镀液中加30～60 g/L的硫酸钾,能够明显提高镀层的光亮度和镀液的覆盖能力,当采用较低质量浓度氰化镀铜溶液时,硫酸钾能够提高镀液的分散能力.生产实践表明:在挂镀氰化镀铜槽中用硫酸钾取代有机光亮剂能够提高镀层与基体之间的结合力.     

采用Minitab软件优化印刷线路板电镀盲孔的参数

利用Minitab软件的田口设计方法对印刷线路板盲孔镀铜的工艺参数进行优化,镀液成分为:Cu2+30~45 g/L,H2SO4180~260 g/L,Cl 60~80 mg/L,光亮剂8~15 mL/L。得出盲孔孔径及4个镀铜缸喷压的最佳值。在最佳条件下,铜厚和凹陷值均符合要求,从而省却了填孔后的减铜工序,降低了成本,缩短了生产周期。