X射线在晶体衍射分析中的应用

本文介绍了X射线晶体衍射分析的原理和方法,对X射线在晶体衍射分析中的应用进行了阐述。     

《材料测试方法》中X射线衍射定量分析的教学探讨

《材料测试方法》是材料科学与工程相关专业的必修课程,其中X射线衍射分析占据了较大篇幅。X射线衍射分析主要包含定性和定量两部分内容,定性分析相对简单,而定量分析较难理解和掌握,主要原因在于X射线衍射定量分析原理抽象,公式推导过程复杂。结合对无机非金属材料工程专业的本科教学实践,总结了关于X射线衍射定量分析的教学心得和体会。     

发光晶体NaTm（WO4）4的光谱性质及光谱参数

在已获得Ｔｍ＾３＋在Ｎａ５Ｔｍ（ＷＯ４）４晶体中强度参数Ωλ（λ＝２，４，６）的基础上，根据Ｊｕｄｄ－Ｏｆｅｌｔ理论，计算了Ｔｍ＾３＋多重量激发态之间的辐射跃迁几率、辐射寿命，荧光分支比及积分发射截面等光谱参数，并对晶体实现激光输出的可能性进行了讨论。     

玻璃结瘤,波筋的扫描及X射线能谱分析

介绍了在平板玻璃行业中用扫描电镜及Ｘ射线能谱仪分析常见的玻璃缺陷的方法及对分析结果的精度估计。结果表明,在用光学显微镜无定法定性的某些玻璃缺陷中,用扫描电镜及Ｘ射线能谱仪分析是十分有效的,并且有利于迅速准确判断玻璃缺陷来源。     

X射线投影成像法测量气固流化床中的固含分布——（1）原理及图像处理方法

X光成像和CT在医疗、工业等领域获得了广泛的应用。本文在轴对称假设的条件下，将X光成像系统用于测量气固流化床固含分布。使用新型X光探测器和改进后的回归算法对投射图像进行重构还原，得到流化床中径向颗粒浓度分布。     

一种新的取代环十二烷胺及其镍（Ⅱ）配合物的X—射线光电子能谱研究

报道了一种新的取代环十二烷胺的合成及其Ｎｉ（Ⅱ）配合物的Ｘ－射线光电子能谱研究。     

（Bi1—x（Sn0.5Pb0.5）x）2Sr2CaCu2Oy材料的X—ray衍射研究

以Ｘ射线物相分析主要手段，并结合正电子寿命谱和多普勒展宽谱和电阻测量，系统地研究了在不同的锡（铅）掺杂量下，Ｂｉ－２２１２超导相结构细节及电子态的变化。在低掺要时，Ｓｎ＾４＋优先占据Ｂｉ位，导致了载流子浓度的提高和层间耦合的加强，有利于超导转变温度的提高，随着掺杂浓度的提高，少量Ｓｎ将进入ＣｕＯ２层，致使其完整性被破坏；同时有更多的杂相析出，对材料的超导电性破坏作用。     

YSP—15型液化石油气钢瓶（缩口型）的X射线探伤与缺陷分析

YSP-1 5型液化石油气钢瓶已成为一种重要的液化石油气储运容器 ,给人民的生活提供了极大的方便。但由于液化石油气具有易燃易爆的特点 ,且带压储存 ,这就给钢瓶的制造和检验提出了较高的要求。 X射线探伤作为一种重要的无损探伤手段 ,在检查焊缝内部缺陷中发挥着重要作用。所以     

垂直梯度凝固法生长PbWO4∶（F,Y）晶体的光学性能（英文）

采用垂直梯度凝固法成功生长出直径为27mm、长为110mm,具有可控形状和形态的F-和Y3+共掺钨酸铅[PbWO4∶(F,Y)]晶体。通过透射光谱、荧光光谱、光产额、衰减时间等对钨酸铅晶体光学性能进行了表征。结果表明:与纯钨酸铅晶体相比,垂直梯度凝固法生长的PbWO4∶(F,Y)晶体在320~420nm的短波范围的光学透过率明显提高,光吸收边更尖锐;荧光光谱为350~580nm范围的宽峰,发射主峰为420nm;光产额达到50p.e/MeV(1 000ns内),发光衰减时间为5ns。     

Gd3（1-x）Al5O12：RE3X分立材料芯片制备及发光性能研究

将组合材料芯片技术中四元组合法应用于新型发光材料Gd3（1-x）Al5O12：RE3X的RE激活剂和敏化剂种类优选.由Gd3Al5O12基体材料芯片获得如下的研究结果：1）在紫外激发下（254 nm）Gd3（1-x）Al5O3：Eu3x材料具有红色荧光性能;2）Pr（n（Pr）：n（Eu）＜1：10）、Ce（n（Ce）：n（Eu）＜1：10）共掺杂时会降低发光强度.光谱分析表明：Pr、Ce能级嵌入,使得激活剂和敏化剂发生共振能量传递,是Gd3Al5O12：Eu（简称为GAG：Eu）发光效率降低的主要原因.筛选结果得到柠檬酸盐硝酸盐溶胶凝胶法制备粉体筛选实验结果验证.实验结果表明组合法在发光材料开发上具有高效性.     

MxSr1–xAl2O4（M=Ca,Zn）：Eu^2＋的微波合成及发光性能

用微波法合成了强耐水性SrAl_2O4:Eu~(2 ),MxSr1–xAl2O4:Eu2 (M=CaZn)发光粉体。X射线衍射结果表明:所得SrAl2O4为α-SrAl2O4,单斜晶系,晶胞参数a=0.0844nm,b=0.0881nm,c=0.0515nm,β=93.2491°。扫描电子显微镜观察粉体形貌的结果表明:产品微粒直径在300～700nm之间,无需机械研磨可直接应用。在340nm紫外光激发下,SrAl2O4:Eu2 的主发射峰位于513.4nm处,少量钙离子(Ca2 )的掺入引起发射峰红移;少量锌离子(Zn2 )的掺入引起发射峰蓝移。Ca2 在微波场的作用下,增大了在基质中的极限浓度。