10Gb/s 0.18μm CMOS光发射机芯片

介绍了基于0.18μm CMOS工艺设计的10Gb/s光发射机电路,包括复接器和激光驱动器两部分.仿真结果表明,在1.8V电源电压作用下该电路可工作在10Gb/s速率以上,输入四路单端峰峰值为0.2V的信号时,在单端50Ω负载上的复接输出电压摆幅可达到1.4V以上,电路功耗约为230mW.芯片面积为1.77mm×0.94mm.     

0．18μm CMOS工艺10Gb／s VCSEL电压驱动器设计

采用SMIC0．18μm1P6M混合信号CMOS工艺设计了10Gb／sVCSEL电压驱动器,可以用于驱动共阴结构的VCSEL。电路采用了RC负反馈技术和C3A（电容耦合电流放大器）结构,仿真结果表明,电路在10Gb／s速率下工作性能良好,最高可工作至12．5Gb／s。电路采用1．8V和3．5V电压供电,直流总功耗为164mw。     

10Gb/s0.18μm CMOS预处理芯片

介绍采用0.18μm CMOS工艺设计并实现的光纤通信接收机时钟恢复电路预处理器。核心电路采用乘法器加LC选频器的结构。测试结果表明,该电路可工作在10Gb/s 的输入速率上。     

10 Gb/s 0.18 μm CMOS时钟恢复芯片

介绍了基于0．18μmCMOS工艺的10Gb／s时钟恢复电路的设计。核心电路采用预处理加简单锁相环的结构。模拟结果表明，该电路能工作在10GHz频率上，输入信号峰值0．4V时，同步范围可以达到270MHz，总功耗210mW。     

24Gb/s GaAs PHEMT激光二极管/调制器驱动器

采用0.2μm GaAs PHEMT工艺设计并实现了超高速光纤通信系统用激光二极管/调制器集成驱动器电路.整个电路由带源极跟随器的两级差分放大电路、电容耦合电流放大器和输出电路组成.电路芯片面积为1.0mm×0.9mm.测试结果表明,采用单一 5V电源供电时直流功耗为1.5W,输出最高电压幅度为2.4V,电路最高工作速率高于24Gb/s,可以应用于光纤通信SDH(synchronous digital hierarchy)传输系统.     

24Gb/s GaAs PHEMT激光二极管/调制器驱动器

采用0.2μm GaAs PHEMT工艺设计并实现了超高速光纤通信系统用激光二极管/调制器集成驱动器电路.整个电路由带源极跟随器的两级差分放大电路、电容耦合电流放大器和输出电路组成.电路芯片面积为1.0mm×0.9mm.测试结果表明,采用单一+5V电源供电时直流功耗为1.5W,输出最高电压幅度为2.4V,电路最高工作速率高于24Gb/s,可以应用于光纤通信SDH(synchronous digital hierarchy)传输系统.     

10 Gb/ s 0118μm CMOS 时钟恢复芯片

摘要:介绍了基于0118μm CMOS 工艺的10 Gb/ s 时钟恢复电路的设计。核心电路采用预处理加简单锁相环的结 构。模拟结果表明,该电路能工作在10 GHz 频率上,输入信号峰值014 V 时,同步范围可以达到270 MHz ,总功耗 210 mW。     

0.6μm CMOS感性负载自偏置直接耦合激光驱动器

设计了一种可以工作在多个速率级的光纤通信系统用激光二极管驱动电路。电路采用了有源电感负载技术、键合线寄生电感负载技术、自偏置技术和放大级直接耦合技术以提高增益、拓展带宽、降低功耗。电路采用CSMC-HJ0.6 μm CMOS技术设计、采用Smart Spice进行电路性能仿真优化。激光驱动器电路的增益可达52dB,带宽可达到525MHZ,输出调制电流在0-65mA范围内可调。电路采用5V单电源供电,功耗380mW。模拟结果显示该电路可以工作在STM-1、STM-4两个标准速率级和更高的速率上。     

0.35μm CMOS激光二极管驱动器的设计

本文介绍了0.35μm CMOS工艺的激光二极管驱动器集成电路的设计。整个电路用Smart Spice模拟，模拟结果显示工作速率可以达到2.5Gb/s，调制电流幅度可以达到50mA以上，并且可以通过调节电压Vmod使调制电流幅度在0到50mA之间变化。     

0.25μm CMOS工艺实现的3.125 Gb/s×12通道VCSEL驱动器阵列

本文介绍了一种利用0.25μm CMOS工艺实现的12通道垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列驱动器电路.该电路采用3.3V单电源供电,单通道最大输出调制电流超过30毫安,单通道工作速率达到3.125Gb/s,12个并行通道的总带宽为37.5Gb/s.     

用0.35μm CMOS工艺进行SDH系统中激光二极管驱动电路芯片设计

首先介绍了光纤传输系统SDH，以及构成SDH收发机的各个功能模块，然后分析了其中的激光二极管驱动器芯片的设计方法。在此基础上设计出了采用标准0.35μm CMOS工艺的工作速率高达2.5Gb/s的驱动器芯片。     

10Gb／s0．18μm CMOS限幅放大器

采用SMIC0．18μm 1P6M混合信号CMOS工艺设计了10Gb／s限幅放大器。该放大器采用了带有级间反馈的三阶有源负反馈放大电路。在不使用无源电感的情况下,得到了足够的带宽以及频率响应平坦度。后仿真结果表明,该电路能够工作在10Gb／s速率上。小信号增益为46．25dB,-3dB带宽为9．16GHz,最小差分输入电压摆幅为10mV。在50Ω片外负载上输出的摆幅为760mV。该电路采用1．8V电源供电,功耗为183mW。核心面积500μm×250μm。     

0. 6 􀀁m CMOS 雷达天线专用控制芯片设计

雷达系统中天线控制电路完成上位机的初始化和扫描角度控制,要求具有高可靠性和低静态电流,用专用集成电路进行设计具有明显优势.采用Verilog HDL语言描述了系统的逻辑功能,超前进位结构的加/减法器提高了电路的工作速度.利用0.6 μm CMOS工艺完成了天线控制电路的物理实现,芯片面积为1.695 mm×1.631 mm.     

2.5Gb/s0.35μm CMOS时钟恢复芯片

介绍了基于0．35μm CMOS工艺的2．5Gb／s时钟恢复电路设计。根据工艺特点，电路采用倍频器加全模拟镇相环蛄构。模拟表明，电路能工作在2．5Gb／s速率上，镇定范围达到100MHz，5V电压供电下功耗小于330mW。     

10Gb/s 0.18μm CMOS注入式时钟恢复电路

介绍了一种利用0.18μm CMOS工艺实现,用于SDH系统STM-64级别(10GHz)的时钟恢复电路。该电路采用注入式振荡器辅助锁相环的锁定。文中分析该电路的系统结构、单元电路结构和环路设计,并给出了模拟结果和版图。     

10Gb/s 2.2V输出CMOS激光驱动器

采用逆向递推设计法,利用TSMC0．18μm CMOS工艺,设计实现了适用于超高速光纤通信系统的激光驱动器电路。核心电路为两级直接耦合差分放大器。电路设计中采用电感并联峰化技术拓展带宽和降低功耗。后仿真结果表明,在1．8V电源供电时,工作速率10Gb／s,输入单端峰峰值为400mV的差分信号,在50Ω的负载上可提供2．2V的输出电压。电路功耗185mW。版图面积为0．9mm〉40．95mm。     

基于0􀀂18 􀀁m CMOS 工艺的千兆以太网数据判决电路芯片

介绍了用TSMC 0．18um CMOS工艺设计的千兆以太网数据判决芯片的模块及单元电路的结构，给出版图，后仿真及测试结果。该芯片采用CMOS互补逻辑的D触发器结构，功耗小于25mW，最高工作速率大于3．125Gbps，可直接用于千兆以太网物理媒介配属层的时钟数据恢复电路中。     

可用于光纤用户网的0.6μm CMOS激光驱动器

基于国内的CMOS技术和EDA工具以及全定制的设计方法,采用无锡华晶上华(CSMC-HJ)0.6μm CMOS技术实现了可工作于155Mb/s、622Mb/s的激光驱动器.该激光驱动器在50Ω负载上输出电流摆幅从0到50mA可调.在输出级3V直流偏置时最大输出电压摆幅可达2.5Vpp.输出电压脉冲的上升、下降时间分别小于471ps和444ps.四个工作速率下均方根抖动都小于30ps.电路在5V单电源供电时功耗小于410mW.芯片测试结果表明,该激光驱动器达到了世界同类集成电路的水平.     

10Gb/s0.18μm CMOS工艺复接器设计

介绍一种超高速4∶1复接器集成电路。电路采用0.18μm CMOS工艺实现,供电电源1.8 V。电路采用源极耦合场效应管逻辑(SCFL),与静态CMOS逻辑相比具有更高的速度。为了避免高速时序电路中常见的时钟偏差,在时钟树中放置了缓冲器。在设计中采用有源电感的并联峰化技术有效地提高了电路的工作速度。仿真结果表明电路工作速度可达10 Gb/s,复接器芯片面积约为970×880μm2。     

0.18μm CMOS 10Gb/s光接收机限幅放大器

利用TSMC 0.18μm CMOS工艺设计了应用于SDH系统STM-64(10 Gb/s)速率级光接收机中的限幅放大器.该放大器采用了改进的Cherry-Hooper结构以获得高的增益带宽积,从而保证限幅放大器在10Gb/s以及更高的速率上工作.测试结果表明,此限幅放大器在10Gb/s速率上,输入动态范围为42dB(3.2mV~500mV),50Ω负载上的输出限幅在250mV,小信号输入时的最高工作速率为12Gb/s.限幅放大器采用1.8 V电源供电,功耗110mW.芯片的面积为0.7mm×0.9mm.