1:1投影光刻机和10:1缩小片子步进机和混合光刻中的图形位置误差

本文主要参照1:1投影光刻机和10:1缩小片子步进机混合光刻中的套刻图形的差异,研究了这两种机器的特征图形位置误差。分析样品采用近年来由那些高度复杂的光刻机的用户所研制成,专用于精确鉴定大量元件的图形与图形之间的套准误差。通过使用这些样品和数据,就可以看出怎样使这两种类型的曝光设备能够成功地用于经济而有效地制作苛刻图形的器件。对于现今的高密度器件的制造来说,采用一次性全片对准的片子步进机与1:1投影光刻机的混合曝光方法是完全可以胜任的。并研究出了一个用于10:1片子步进机,1:1投影光刻机,以及用于这两种设备混合曝光的实际生产套刻值的预算表。     

IEC 61558-1:2005第二版与IEC 61558-1:1997+A1:1998第一版之间的差异

本文主要描述IEC 61558-1:2005第二版与IEC 61558-1:1997 A1:1998第一版之间的差异.     

200型1:1投影曝光机

美国帕金,艾尔默公司继研制成功140型投影曝光机之后,最近又研制成功200型1:1投影曝光机,从而使能够制出的最小线宽由3微米提高到2微米乃至更小的数量级。该设备具有自动对准及自动装载片子系统,自动对准精度为0.25微米,畸变误差为0.25微米,照明均匀性误差为4％。同上一代的140型机一样,该系统依然系用一套1:1光学投影系统。在曝光过程中,掩模图形被以一次扫描的方式快速地复印在涂有光致抗蚀剂的硅片上。在通常情     

Si上Si1-xGex:C 缓冲层的载流子分布

用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上生长了Ge组分渐变的Si1-xGex:C合金缓冲层.研究表明,较高温度下生长的Si1-xGex:C缓冲层中Ge的平均含量较高,其晶体质量要优于较低温度下生长的外延薄膜.载流子浓度沿衬底至表面方向逐渐上升且Si1-xGex:C缓冲层总体呈p型导电,存在一局域n型导电区,本文对其导电分布特性进行了分析研究.     

中国石油A1A2系统数据质量管理体系建设实践

中国石油A1/A2系统是中国石油"十五"和"十一五"信息化建设整体规划的两个重要信息系统,数据涵盖了从勘探、开发、生产到石油工程等业务范围的技术数据和生产管理数据。面对如此庞大而复杂的数据对象,如何做好数据资源建设过程中的质量控制与管理,是确保A1/A2系统数据质量(即数据的完整性、准确性和规范性)的关键。为此,在A1/A2系统建设实践中,遵循ISO9001:2000质量管理体系标准,结合A1/A2系统数据质量管理特点,研究了数据质量控制流程和方法,初步建立了一套A1/A2系统质量管理体系。     

CISPR 14-1:2005与EN 55014-1:2000+A1+A2的主要差异及对测试的影响

以CISPR 14-1:2005为基础,与欧盟的EN 55014-1:2000 A1 A2相比较,找出其中主要差异以及差异导致的测试方法的改变,为测试机构和生产企业的产品测试和设计提供参考.     

全时1:1信源垫播编码系统的建设

本文围绕广西电视台新一代信源编码系统的建设,介绍系统多级1:1冗余备份的整体构架,着重讲述在新型编码设备应用下需要在系统设计上做出的有别于传统的设计思路,并详细说明IPUDP组播传输和信源垫播编码两个创新的应用。     

Hf:Fe:LN晶体生长与光折变性能的研究

原料采用在Fe(0.03%,质量分数):LN中掺进摩尔分数为(1%、2%、4%、5%)的HfO2,再次采用提拉法生长Hf:Fe:LN晶体.抗光损伤阈值测试表明,Hf(5%,摩尔分数):Fe:LN晶体抗光损伤能力比Hf(1%,摩尔分数):Fe:LN晶体提高2个数量级以上.以二波耦合光路测试晶体的衍射效率,写入时间和擦除时间,并计算出光折变灵敏度和动态范围.结果表明,Hf:Fe:LN晶体全息存储性能优于Fe:LN晶体.     

UL60745-1:2004与IEC60745-1:2003之间的差异

UL60745-1:2004是在IEC60745-1:2003基础上编写的,它等效采用了IEC标准的内容并做了适当的增减.文章就两者之间的总体差异作了对比,概括了它们之间的主要差异,并列表说明了其具体差异内容.     

用AlGaAs/GaAs HBT实现的高速8:1数据选择器和1:8数据分配器

本文报道了用AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管实现的8:1数据选择器和1:8数据分配器。电路是为光通信设计的,而且在大于6Gb/s的数据速率工作中得到了检验。据我们所知,这些是迄今所报道的最快的8位MUX/DEMUX电路。     

IEC62368-1:2018保护导体测试要求浅析

IEC62368-1:2018《音频、视频、信息和通信技术设备第1部分:安全要求》已于2018年10月正式发布,相对与现行国标GB4943.1-2011不仅结构上有较大差别,测试要求也相应变化.该文针对IEC62368-1:2018中保护导体的测试要求,分析与现行国标的差异,并对新增的受限制短路测试方法进行研究,提出测...     

ADTEC:对比度为700:1的高清晰液晶显示器

日本ADTEC公司近日发布了支持数码和模拟两种输入的19英寸SXGA(1280×1024像素)液晶显示器“AD-DA19Y”。该产品采用亮度为300cd/平方米,对比度为700:1的高清液晶面板。上下左右视角均为170度。内置左右各1W的立体声扬声器,并且配备了USB集线器功能(一个输入端口,两个输出端口)。有白色和黑色两种机型。主机尺寸为宽419.7mm×高425.9mm×深240.9mm,重量为约6.8kg。估计实际售价为8.28万日元(约合人民币5175元)。ADTEC:对比度为700:1的高清晰液晶显示器…     

Si1-x Gex:C缓冲层的生长温度对Ge薄膜外延生长的影响

用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Si1-x Gex:C合金作为缓冲层、继而外延生长了Ge晶体薄膜,用X射线衍射(XRD)、俄歇电子能谱(AES)、拉曼(Raman)衍射光谱等对所得到的样品进行了表征测量,着重研究了Si1-x Gex:C缓冲层生长温度对样品结构特征的影响.结果表明:Si1-x Gex:C缓冲层中的Ge原子浓度沿表面至衬底方向逐渐降低,其平均组分随着生长温度的升高而降低.这与较高生长温度(760～820℃)所导致的原子扩散效应相关;在Si1-x Gex:C缓冲层上外延生长的Ge薄膜具有单一的晶体取向,薄膜的晶体质量随着温度的升高而降低.     

a-Si:H和a-Si_xN_(1-x):H光学特性的研究

本文所用a_Si:H和a-Si_xN_(1-x):H薄膜是用辉光放电法制备而成的。薄膜中氮含量由淀积气体中氮气与硅烷气体体积比γ(=N_2/SiH_4)来控制。利用椭圆偏振光谱测定了a-Si:H和a-Si_xN_(1-x):H在波长为2000A～6000A的范围内的光学常数。着重研究了其光学参数随制备时的衬底温度T和γ而变化的变化规律。     

受访者:陕西华达科技股份有限公司副总经理、管理者代表:李鹏程

1、《电子质量》:很荣幸您能接受我们的采访,请您为我们介绍一下公司的发展历程?李鹏程:陕西华达科技有限公司(国营第八五三厂)创建于1966年,2000年1月按照现代企业制度进行了重组改制、优化组合。     

双耳突发性耳聋1例报告

1 病例简介 患者女性,35岁因患感冒后出现双侧耳失聪并伴有恶心、呕吐、耳鸣等症状.于2006年9月9日急诊入住我科.入院后查体:一般情况可,神清,检查合作.实验室检查:血常规、大小便常规、肝肾功能、电解质、血脂、血糖均正常.影像学检查:头颅核磁共振、内听道CT、胸片、腹部B超无异常.听力学检查:纯音测听、声阻抗测听示双耳N性耳聋.耳声发射(自发性、诱发性、畸变产物)均未引出.     

标准化检查的实践与体会

根据多年来开展标准化检查的实践,对军工产品标准化检查的若干方面进行了总结分析。论述了标准化检查的基本原则、检查重点和检查流程等内容,以及如何提高标准化检查质量与效率的方法。     

作者须知(1)

为了提高本刊的编辑出版质量,请作者用word、photoshop、VISIO等软件作图,以便我部好对你所提供的图进行编辑修改。作者绘图时注意:1)采用两种尺寸的图,即长不大于8厘米和长不大于15厘米(因为《通信技术》采用的是双栏排版,故请作者尽量     

烽火通信率先推出1:128光分路器

日前,烽火通信在国内率先推出适合规模商用的单芯片1:128分路比光分路器,对FTTH大分路比应用场景提供强力支撑,符合现有以及下一代PON技术演进趋势。同时,烽火通信正在投入1:256分路比单芯片光分路器研发,有     

Cypress的WirelessUSB扩至多点到点(N:1)应用

2004 年 12 月 14 日,Cypress半导体公司宣布其 WirelessUSB N:1开发套件 (CY3635) 即将开始投产。WirelessUSB N:1 以低成本、低功耗、高度可靠的无线解决方案替代了低数据速率、高节点密度的系统线路。WirelessUSB N:1 开发套件使用Cypress的 WirelessUSB 2.4GHz 射频 SoC 技术以及WirelessUSB N:1 无线协议,加速了多点到点的无线应用开发进程,WirelessUSB N:1 无线协议专为消费类电子产品、工业、医疗、建筑及家庭自动化系统等领域开发。Cypress中国华北地区现场应用工程师Tony Wang说:“当无线技术的目标只是为了消除线…