Ku频段低相噪捷变频频率综合器设计

介绍了一种Ku频段低相噪捷变频频率综合器设计方法。对接收本振源和发射激励源采用一体化设计,由于采用DDS PLL的方式,使此频率综合器在Ku频段上相噪优于-90dBc/Hz@1kHz,跳频时间小于10μs,激励源在Ku频段输出线性调频信号。     

一种C波段小步进捷变频频率综合器的设计

本文介绍了一种小步进、低相噪、低杂散、捷变频锁相频率综合器的设计与实现,本设计选用超低相噪锁相环芯片,采用小数分频实现小步进,通过双锁相环“乒乓”工作实现捷变频,经过对环路参数的精心设计,较好的实现了相位噪声、杂散等技术指标。     

X波段低相噪频率综合器设计

介绍了一种X波段低相噪频率综合器的实现方法。采用混频环与模拟高次倍频相结合的技术,实现X波段跳频信号的产生。采用该技术实现的频率综合器杂散抑制可达-68 d Bc,相噪优于-99 d Bc/Hz@1 k Hz,-104 d Bc/Hz@10 k Hz,-106 d Bc/Hz@100 k Hz。重点论述了所采用的低相噪阶跃倍频的关键技术,详细分析了重要指标及其实现方法,实测结果证明采用该方法可实现给定指标下的X波段低相噪频率综合器。     

X 波段捷变频频率综合器

在无线通信领域中, 高性能频率综合器是通信设备、雷达、电子侦察和对抗设备、精密测量仪器的核心部件。 现代通信系统对频率综合器的精度、分辨率、转换时间及频谱纯度等提出了越来越高的要求, 性能卓越的频率综合器均 通过频率合成技术来实现。以往通过锁相环来实现的频率综合器具有高精度、高稳定度、低相位噪声、低杂散等性能。 但是在跳频时间上只能做到几十甚至上百μS。这与某些雷达需要的频率综合器的捷变速度有差距。本文提出一种直接 合成方法,很好的解决了这个问题。     

捷变频低相噪X波段频综设计技术

介绍一种低相噪、捷变频Ｘ波段频率综合器设计方法，并进行理论分析、计算，最后给出测试结果。     

S波段低相噪、高分辨DDS频率源的研制

直接数字式频率合成器(DDS)是近期发展迅速的频率合成方法,具有高分辨力、快速变频等优点。本文首先简介DDS原理和杂散性能,其次分析DDS与DS及PLL的常见组合方案,并对DDS附加PLL方案进行性能分析和研究,最后实现了S波段低相噪、高分辨DDS频率源。     

低相噪捷变频毫米波频率源的研制

基于整数和小数分频锁相原理,采用双锁相源+混频方案,实现了一种可用于毫米波雷达系统的低相噪、小步进、捷变频毫米波频率源。实测结果表明:该频率源产品在31.0~32.5GHz频带范围内,相位噪声可达-90dBc/Hz@1kHz,跳频时间小于10μs,跳频步进100kHz,最低杂散抑制低于-60dBc。     

基于DDS的低相噪捷变频频率源的设计与实现

采用直接数字频率合成(DDS)技术结合梳状谱发生器设计了一种低相噪高杂散抑制的捷变频频率源。由DDS产生的基带信号经小型化开关滤波器后与梳状谱发生器产生的多个点频信号混频,然后经过开关滤波器组滤除杂散分量后放大,最终输出所需频率的信号。介绍了DDS的原理,分析了频率源各项指标,最终完成了相噪≤-110 dBc/Hz@1 kHz、杂散抑制≤-68 dBc、频率切换时间≤150 ns的频率源设计与实现。本设计将DDS和上变频相结合,具有输出信号的高杂散抑制、低相噪、频率快速切换等优点,为雷达、电子对抗等系统的频率综合器设计提供了一种低成本、高性能的选择。     

C波段宽带捷变频率综合器设计

本文介绍了一种C波段宽带捷变频率综合器的设计方法,采用直接数字频率合成器(DDS)实现频率捷变,采用倍频链路扩展输出带宽,通过与锁相环(PLL)合成产生的本振信号混频将输出频率搬移到C波段。论述了DDS时钟电路、倍频链路以及混频部分的设计方法,并给出了达到的主要技术指标和测试结果。     

DDS+PLL米波波段捷变频频率合成器

简单介绍了DDS和PLL的基本原理及其它们在捷变频频率合成器应用中的优缺点。阐述其在某型米波雷达频率合成器中的使用情况,最后对一些性能指标进行了简单的分析。     

C波段低相噪快速跳频源的研制

介绍一种利用乒乓环和混频技术实现C波段低相噪快速跳频源的方案。该方案共有三个环,通过两个低频锁相环采用乒乓工作的方式来实现跳频,最后一个固定点频锁相环作为混频器的本振完成上变频。与传统方法的不同之处在于,以往采用下变频频率合成器来降低相位噪声,而该方案是将低相噪的频率合成器上变频至高频段。测试结果表明,用这种方式设计的频率源达到了系统对项目的指标要求,该频率合成方案是可行的。     

一种低相位噪声锁相环频率合成器的设计

通过MATLAB对锁相环进行系统建模与分析,采用改进型宽摆幅低噪声电荷泵结构,结合2位开关电容阵列技术与RC低通滤波技术,设计了一种低相位噪声锁相环频率合成器。基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺设计的芯片测试结果表明,该锁相环系统的频率覆盖范围达到1.27～1.82 GHz;在中心频率为1.56 GHz处的相位噪声为-105.13 dBc/Hz@1 MHz,抖动(均方根)为2.2 ps。     

C波段低相噪频率合成器设计

低相噪频率合成是通信电路设计中的关键技术,在射频和微波领域应用广泛。基于混频锁相原理,介绍了一种低相噪频率合成方法。通过建立噪声模型,对影响相位噪声的主要因素进行了详细论述。结合实际应用提出了一个C波段低相噪频率合成设计方案,并对关键指标的实现和试验结果进行了分析和讨论。     

K波段低相位噪声频率综合器的设计与实现

采用双锁相环混频设计方案,设计了一种低相位噪声频率综合器,实现了单锁相环难以实现的低相位噪声指标。在系统理论分析的基础上,优化了电路布局,实际的电路尺寸为45.0 mm×30.0 mm×12.0 mm,实现了小型化K波段低相位噪声频率综合器。对频率综合器电路进行了测试,输出信号相位噪声为 -95 dBc/Hz @1 kHz和 -99 dBc/Hz @≥40 kHz,杂散为-72 dBc,完全满足设计指标的要求。     

一种小步进、低相噪频率合成器设计

综合应用锁相环(PLL)、直接数字合成(DDS)等技术,设计一种具有宽频带、小频率步进、高稳定性、低相位噪声等特点的频率合成器。主要技术指标为:频率步进1 Hz,最大频率控制误差优于4.5×10-4Hz,在10 kHz处相位噪声为-100 dBc/Hz。与传统的多环路设计方法相比,新的设计更能够满足高集成度、低成本、灵活通用的需求。并且可极大提高电路调试效率。     

一种超低相位噪声宽带频率合成器的设计

基于对双环频率预置技术和谐波混频技术的理论分析,将混频锁相合成方式与高次倍频合成方式相结合,采用鉴相极性可变的非常规设计,提出一种宽带小步进超低相位噪声频率合成器的低成本实现方案,并对合成器的相位噪声和杂散抑制指标进行了理论分析。试验证明,在8 GHz输出频率下,方案实现了低于-132 d Bc/Hz@10 k Hz的相位噪声和70 d B以上的杂散抑制性能。对宽带超低相位噪声频率合成器的设计具有借鉴意义。     

强振动条件下低相位噪声频综器的设计

提出了一种间接合成的低相位噪声频率综合器的设计 ,该频综器用于某机载雷达中 ,从而要求其在极其恶劣的环境中同样具有良好的性能。本文从提高自身抗振能力和降低外界振动强度两方面采取措施 ,使得其相位噪声在振动条件下满足系统要求     

X波段低相噪合成频率源设计

利用阶跃恢复二极管的强非线性特征和50MHz参考源,设计出一种高效率微波梳状发生器基准信号源,并通过此信号源采用谐波双混频合成法研制出低相噪、高杂散抑制的X波段跳频频率源。主要性能参数实测结果为:输出频率7.6～8.5GHz,频率跳频间隔50MHz,相位相噪≤-105dBc/Hz/1kHz、杂散抑制≤-60dBc。