接触器和开关用的新型真空灭弧室

由于真空断路器具有许多优点,因而德国的ＡＢＢ Ｃａｌｏｒ Ｅｍａｇ Ｍｉｔｔｌｓｐａｎｎｕｎｇ ＧｍｂＨ公司研制出一系接触器和开关用的真空灭弧室,其电压分别为１２ｋＶ和３６ｋＶ。装有该新型灭弧室的开关设备具有体积小和坚固耐用的特点,容易满足相应的ＩＥＣ专门规定的所有电气和机械要求。     

GaAs表面及AlxGa1—xAs／GaAsHBT外基区表面（NH4）2S／SiNx钝化工艺研究

分析了ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ外基区表面复合电流及外基区复面复合速度对直接增益的影响，用光致发光（ＰＬ）谱和Ａｌ／ＳｉＮｘ－Ｓ／ＧａＡｓＭＩＳ结构ＣＶ特性，研究了ＧａＡｓ表面（ＮＨ４）２Ｓ／ＳｉＮｘ钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明，ＥＣＲ－ＣＶＤ淀积ＳｉＮｘ覆盖并在Ｎ２气氛中退火有助于改善ＧａＡｓ表面硫钝化效果的稳定性，在此基础上形成了一套包括（ＮＨ４）２Ｓ处理，ＳｉＮｘＥＣＲ－ＣＶ     

GaAs表面及Al_xGa_（1－x）As／GaAsHBT外基区表面（NH_4）_2S／SiN_x钝化工艺研究

分析了ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ外基区表面复合电流及外基区表面复合速度对直流增益的影响，用光致发光（ＰＬ）谱和Ａｌ／ＳｉＮｘ－Ｓ／ＧａＡｓＭＩＳ结构Ｃ－Ｖ特性，研究了ＧａＡｓ表面（ＮＨ４）２Ｓ／ＳｉＮｘ钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明，ＥＣＲ－ＣＶＤ淀积ＳｉＮｘ覆盖并在Ｎ２气氛中退火有助于改善ＧａＡｓ表面硫钝化效果的稳定性。在此基础上形成了一套包括（ＮＨ４）２Ｓ处理、ＳｉＮｘＥＣＲ－ＣＶＤ淀积及退火并与现有ＨＢＴ工艺兼容的外基区表面钝化工艺，使发射区面积为４×１０μｍ２的器件增益比钝化前提高了４倍，且６０天内不退化。     

超高真空化学气相淀积法生长的n-Si/i-p~+-i SiGe/n-Si结构的透射电镜和二次离子质谱分析

本文用透射电镜（ＸＴＥＭ）和二次离子质谱（ＳＩＭＳ）分析了由超高真空化学气相淀积法（ＵＨＶＣＶＤ）生长的ｎ－Ｓｉ／ｉ－ｐ＋－ｉＳｉＧｅ／ｎ－Ｓｉ结构，发现在硅上外延生长ｉ－ｐ＋－ｉＳｉＧｅ时，在靠近Ｓｉ的ｉ／ｐ＋ＳｉＧｅ界面处存在一个很薄的层，但在ｉ－ｐ＋－ｉＳｉＧｅ上外延生长Ｓｉ时，无此现象产生．此薄层是由在硅上外延生长ｉ－ｐ＋－ｉＳｉＧｅ时硼原子聚集在靠近Ｓｉ的ｉ／ｐ＋ＳｉＧｅ界面处形成的高掺杂薄层．高掺杂的薄层影响由此结构制备的异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的ＢＣ结的正向导通电压．     

mPEG发展概况及应用

一、ＭＰＥＧ－１和ＭＰＥＧ－２简介 ＭＰＥＧ－１制定于１９９２年,为工业级标准而设计,标准的正式规范在 ＩＳＯ／ＩＥＣ１１１７２中。可适用于不同带宽的设备．如 ＣＤ－ＲＯＭ、ＶＣＤ、ＣＤ－ｉ,在数字存储介质中实现对活动图像和声音的压缩编码。ＭＰＥＧ－２制定于１９９４年,设计目标是高级工业标准的图象质量以及更高的传输率,针对标准数字电视（ＳＤＴＶ）和高清晰度电视（ＨＤＴＶ）在各种应用下的压缩方案和系统层的详细规定,编码码率从３Ｍｂｉｔ／ｓ－１００Ｍｂｉｔ／ｓ,标准的正式规范在ＩＳＯ／ＩＥＣ１３８１８…     

高C／N比低功耗微波VCO

高Ｃ／Ｎ比低功耗微波ＶＣＯ据日本《电子技术））１９９４年第６期报道，日本ＴＤＫ公司开发了取名为ＱＶＣ系列的新型压控振荡器（ＶＣＯ）。该器件采用微波介电体片状多层结构封装。与通用ＳＭＤ型ＶＣＯ相比，体积缩／Ｊ’４０％～５０％，其尺寸为１０．０ｍｉｎＸ７...     

非晶硅基合金多结太阳电池光电特性的模拟计算分析

本文提出了以各子电池的载波子输运方程为基础、用串联等效的方法模拟多结电池的Ｊ－Ｖ特性，并用该方法模拟分析了Ｐ／Ｉ界面态。Ｐ／Ｉ缓冲层带隙梯度对Ｇｌａｓｓ／ＴＣＯ／ａ－Ｓｉ／ａ－Ｓｉ／Ａｌ双结电池光电特性的影响，各子电池本征层为常数带隙的Ｇｌａｓｓ／ＴＣＯ／ａ－Ｓｉ／ａ－ＳｉＧｅ／Ａｌ三结电池的光电特性及其所存在的优势。     

氢化非晶碳膜与硅的界面特性

利用直流辉光放电分解碳氢气体来淀积ａ－Ｃ：Ｈ膜，通过测量Ａｌ／ａ－Ｃ：Ｈ／ＳｉＭＩＳ结构的高频Ｃ－Ｖ曲线讨论了ａ－Ｃ：Ｈ／Ｓｉ界面的电子特性，结果表明ａ－Ｃ：Ｈ／Ｓｉ膜有可能用作半导体器件的表面钝化膜。     

用强流金属离子源研究Ti－Si化合物的形成

利用金属蒸汽真空弧（ＭＥＶＶＡ）离子源引出强流Ｔｉ离子注入单晶硅，当ＭＥＶＶＡ源引出电压为４０ｋＶ，束流密度达到１００μＡ／ｃｍ２，Ｔｉ离子剂量为５×１０１７／ｃｍ２，Ｔｉ离子注入单晶硅可得到Ｃ５４－ＴｉＳｉ２的注入层，且薄层电阻低于３．０Ω／□．本文用束流热效应讨论了形成硅化物的机理．     

适用于C－T高通滤波器的新型信号流动图（SFG）结构

适用于Ｃ－Ｔ高通滤波器的新型信号流动图（ＳＦＧ）结构＝ＡｎｏｖｅｌＳＦＧｓｔｒｕｃｔｕｒｅｆｏｒＣ－Ｔｈｉｇｈ－ｐａｓｓｆｉｌｔｅｒｓ［刊，英］／Ｎｉｅｌｅｅｎ，Ｉ．Ｒ．…ＩＥＥＥＪ．ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｉｒｃｕｉｔｓ－１９９３，２８（７）．－８...     

半绝缘GaAs的表面光伏谱研究

利用表面光伏法（ＳＰＶ）研究了半绝缘ＧａＡｓ（ＳＩ－ＧａＡｓ）的缺陷态,通过加直流光偏置测量了室温下带边以下的光伏响应,发现带隙内缺陷态的光伏向应主要是由于表面复合而在样品表面形成协流子浓度梯度引起的,通过实验表明ＳＰＶ是一种对ＳＩ－ＧａＡｓ晶片表面质量进行检测的非常灵敏的无损检测方法。     

VCSEL技术在高速数据通信中的应用

随着人们对廉价、高速数据通信需求的不断增长,垂直腔表面发射激光器（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｃａｖｉｔｙ ＳｕｒｆａｃｅＥｍｉｔｔｉｎｇ Ｌａｓｅｒ： ＶＣＳＥＬ）的应用剧增、ＶＳＣＥＬ是一种复合的半导体微激光二极管,因其激光辐射方向与ｐ—ｎ结垂直而得名。这种器件广泛应用于各种高效、高速数据通信中,包括 １０Ｇｂ／ｓ Ｅｔｈｅｒｎｅｔ、 １０Ｇｂ／ｓ ＦｉｂｒｅＣｈａｎｎｅｌ、 Ｉｎｆｉｎｉｂａｎｄ、 ＷＤＭ、 ＡＴＭ、短距离ＯＣ－１９２和光纤骨干网等。 ＶＳＣＥＬ具有很多优点,如具有几何结构、圆形输出光束、高光纤…     

SGI发布宽带Media Server

ＳＧＩ公司发布宽带版的ＳＧＩＭｅｄｉａＳｅｒｖ－ｅｒ。它利用媒体数据传输软件ＫａｓｅｎｎａＭｅｉ－ｄａＢａｓｅ,通过因特网、企业网及虚拟专用网络可向多个客户机平台以２８．８ｋｂｐｓ～１５Ｍｂｐｓ的速度传送多媒体内容。用于制作和播放的ＳＧＩＭｅｄｉａｓｅｒｖｅｒ是一种集成解决方案,基于开放式架构、数据联网和存储技术,提供音频,视频和数据服务。目前产品支持ＤＶＣＰｒｏ新图格式,未来版本将支持ＭＰＥＧ－２、ＤＶＣＰｒｏ５０及高清晰度视频产品。ＳＧＩＭｅｄｉａｓｅｒｖｅｒ能够在现有ＬＡＮ／ＷＡＮ基础设施…     

通用器材公司（GI）新一代延长放大器BLE－7－750P／SS

通用器材公司（ＧＩ）新一代延长放大器ＢＬＥ－７－７５０Ｐ／ＳＳ周航ＢＬＥ－７－７５０Ｐ／ＳＳ是为适应现代电视网络拓展的功能要求而设计的。由于现代ＣＡＴＶ网对设备的可靠性提出了很高的要求，ＢＬＥ延放采用了最新的供电电源技术。ＢＬＥ－７－７５０Ｐ／ＳＳ是...     

14位10MHz CCD/CIS信号处理器

Ｂｕｒｒ－Ｂｒｏｗｎ公司的ＶＳＰ３１００是一款 工作在＋５Ｖ单电源的完整ＣＣＤ／ＣＩＳ图像处理器。这种完整的图像处理器包含处理ＣＣＤ（电荷耦合器件）信号的３个相关双取样器（ＣＤＳ）和可编程增益放大器（ＰＧＡ）（见图１）。３个通道输入（ＲＩＮＰ——红色通道模拟输入,ＧＩＮＰ——绿色通道模拟输入;ＢＩＮＰ－－兰色通道模拟输入）也为接触图像传感器（ＣＩＳ）提供输入。 ＶＳＰ３１００主要特性有： ·集成了３个相关双取样器 ·可选择的工作模式（１通道、３通道,１０Ｍｓｐｓ,ＣＣＤ／ＣＩＳ模式） ·０ｄＢ～１３…     

砷化镓在O_2~＋与Cs~＋离子轰击下二次离子发射的研究

本文研究了各种实验参数对Ｏ－ＳＩＭＳ和Ｃｓ－ＳＩＭＳ中ＧａＡｓ二次离子发射的影响，和样品室中氧分压对ＧａＡｓ二次离子发射的增强效应．实验表明，与Ａｒ－ＳＩＭＳ不同，Ｏ－ＳＩＭＳ和Ｃｓ－ＳＩＭＳ中随Ｅｐ增加二次离子的强度反而有所下降，而样品室注入氧可以提高正二次离子产额，但需要达到较高的氧分压：１０－３Ｐａ．二次离子能量分布测量表明，对Ｏ－ＳＩＭＳ，二次离子强度在Ｖｂｉａｓ＝３０Ｖ左右达到最大值，对Ｃｓ－ＳＩＭＳ，二次离子强度在Ｖｂｉａｓ＝－２０Ｖ左右达到最大值．     

新型带永久磁铁的电磁操动机构及免维护真空断路器

ＡＢＢ、Ｃａｌｏｒ Ｅｍａｇ开关有限公司研制的ＶＭＩ新型中压真空断路器，具有两大显著特点，其一，该断路器带有新的永久磁的的电磁操动机构，免维护型；其二，灭弧室及高电位部分完全浇注在环氧树脂中，不受外界环境影响，能保持良好的绝缘强度。     

激光表面熔覆SiCp/Ni-Cr-B-Si-C涂层的组织演化及其相确定

运用激光熔覆技术在ＡＩＳＩ１０４５钢表面制备了３０ｖｏｌ－％ＳｉＣｐ／Ｎｉ－Ｃｒ－Ｂ－Ｓｉ－Ｃ涂层。ＳＥＭ和ＴＥＭ观察分析表明：ＳｉＣｐ在熔覆过程中完全溶解;涂层结合区组织为共晶结构;涂层组织由初生石墨球Ｇ,分布在γ－Ｎｉ固溶体枝晶中的Ｍ２３（Ｃ,Ｂ）６细小网状树枝晶以及少量Ｎｉ＋Ｎｉ３（Ｂ,Ｓｉ）层片状共晶组成;Ｓｉ在Ｎｉ固溶体中的固溶度显著增大,高达１４．４１ｗｔ－％;Ｍ２３（Ｃ,Ｂ）６含有高密度堆垛层错;Ｎｉ３（Ｂ,Ｓｉ）相具有长周期结构。     

功能电子陶瓷的MOCVD薄膜技术

与常用电子陶瓷薄膜技术相比,ＭＯＣＶＤ技术具有薄膜化学成分、结晶结构和氧化程度易控制,沉积温度低,沉积速率高,薄膜的致密性、均匀性和台阶覆盖性好,可理想生长多组元和多层结构的功能金属氧化物薄膜,能直接由实验室转入规模生产及与硅的大规模集成工艺兼容等优点。应用自制设备及ＭＯＣＶＤ技术,分别在高掺杂硅片和有透明导电膜玻璃的基片上生长了ＴｉＯ２薄膜。测得的１ｍｍＡｕ圆点／ＴｉＯ２薄膜／ｐ＋－Ｓｉ衬底样品的Ｉ－Ｖ和Ｃ－Ｖ特性,清楚地给出了ＭＩＳ结构的行为。淀积在透明导电膜玻璃上的ＴｉＯ２薄膜有电致变色现象。     

线性度增大的视频CMOS功率缓冲器

线性度增大的视频ＣＭＯＳ功率缓冲器＝ＶｉｄｅｏＣＭＯＳｐｏｗｅｒｂｕｆｆｅｒｗｉｔｈｅｘｔｅｎｄｅｄＩｉｎｅａｒｉ－ｔｙ［刊，英］／Ｃａｉｕｌｏ，Ｇ．…ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｉｒ－ｃｕｉｔｓ－１９９３．２８（７）．－８４５～８４８讨论了...