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相似文献
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1.
采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法在Si(100)衬底上淀积一层厚度约为170nm的富Ge高C含量的Si1-x-yGex/Cy薄膜,然后将其分别在800℃和1100℃下湿氧氧化20min.在室温下观测到强烈的光致发光.室温下的光致发光谱(PL谱)测量显示,800℃下氧化后的样品在370nm和396nm附近有两个光致发光带,1100℃下氧化后的样品只在396nm附近有一个光致发光带.396nm附近的发光带可归之于由氧化薄膜中的缺陷O-Si-O(Si20)或O-Ge-O(Ge20)引起的,而370nm附近的发光带与薄膜中Ge-C对发光中心有关.  相似文献   

2.
Si基热氧化Si1-x-yGexCy薄膜的室温光致发光特性   总被引:2,自引:1,他引:1  
采用等离子体增强化学气相淀积(PECD)法在Si(100)衬底上淀积一层厚度约为170nm的富Ge高C含量的Si、-x-7GexCy薄膜,然后将其分别在800℃和1100℃下湿氧氧化20min。在室温下观测到强烈的光致发光,室温下的光致发光谱(PL谱)测量显示,800℃下氧化后的样品在370nm和396nm附近有两个光致发光带,1100℃下氧化后的样品只在396nm附近有一光致发光带,396nm附  相似文献   

3.
报道用脉冲ArF激光烧蚀SiC陶瓷靶,在800℃Si(111)衬底上淀积SiC薄膜,再经920℃真空(10-3Pa)退火处理,制备出晶态α-SiC薄膜.用FTIR、XPS、SEM、XRD、TEM、PL谱等分析方法,研究了薄膜的表面形态、晶体结构、微结构、组成、化学态和光致发光等.结果表明,在920℃较低温度下,SiC薄膜经非晶核化--长大过程,生成了晶态α-SiC(0001)∥Si(111)高度定向外延膜,薄膜内C/Si比约为1.01.表面有污染C及少量氧化态Si和C.室温下用280nm光激发薄膜,在341nm处有较强发光峰,半峰宽45nm,显示出较好的短波发光性质.  相似文献   

4.
Si基Ge/SiGeⅠ型量子阱结构的理论设计和实验研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
基于能带工程理论,设计了Si基Ge/SiGeⅠ型量子阱结构。采用超高真空化学气相淀积系统,制备出高质量的Si基Ge/SiGe多量子阱系列材料。当样品中Ge量子阱宽从15nm减少到12nm和11nm时,室温下荧光(PL)光谱观测到量子限制效应引起的直接带跃迁发光峰位的蓝移,峰位的实验值与理论值符合得很好;当Ge量子阱宽逐渐减小到9nm和7nm时,测试得到样品的PL谱峰位却与理论预期出现了较大的差值。进一步的实验表明,这主要是由于量子阱厚度小到一定程度时,量子阱的直接带发光受到抑制,其发光主要源于Ge虚拟衬底。  相似文献   

5.
SiC纳米晶薄膜的制备及发光性质研究   总被引:3,自引:1,他引:2  
用射频磁控溅射及后退火(800℃、1000℃和1200℃)方法,在Si(111)衬底上制备出了SiC纳米晶(nc-SiC)薄膜。傅立叶变换红外光谱(FTIR)、X射线衍射谱(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)形貌像等研究表明,制备出的nc-SiC薄膜具有立方结构;样品经800℃、1000℃退火后,表面的纳米晶粒分别为10nm和20nm左右;而1200℃退火后,样品晶化完全。光致发光(PL)研究表明,nc-SiC薄膜室温条件下发射蓝光,发光峰峰位随退火温度的降低发生蓝移且发光峰强度变大;1000℃退火后样品的发光峰在478nm,800℃退火后发光峰在477nm,800℃退火比1000℃退火的样品发光强度高4倍。  相似文献   

6.
在Si(111)上脉冲ArF准分子激光淀积晶态定向α-SiC薄膜   总被引:13,自引:3,他引:10  
报道用脉冲 Ar F激光烧蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si( 1 1 1 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,再经92 0℃真空 ( 1 0 - 3Pa)退火处理 ,制备出晶态α- Si C薄膜 .用 FTIR、XPS、SEM、XRD、TEM、PL谱等分析方法 ,研究了薄膜的表面形态、晶体结构、微结构、组成、化学态和光致发光等 .结果表明 ,在 92 0℃较低温度下 ,Si C薄膜经非晶核化 -长大过程 ,生成了晶态α- Si C( 0 0 0 1 )∥ Si( 1 1 1 )高度定向外延膜 ,薄膜内 C/ Si比约为 1 .0 1 .表面有污染 C及少量氧化态 Si和 C.室温下用 2 80 nm光激发薄膜 ,在 341 nm处有较强发光峰 ,半峰宽 45nm,显示出较好的短波  相似文献   

7.
采用溶胶-凝胶法制备了Cu、Co共掺的Zn0.95-xCo0.05CuxO(x=0,0.01,0.03,0.05)薄膜,并用金相显微镜和X射线衍射(XRD)研究了样品薄膜的形貌和结构,结果发现掺杂量影响着衍射峰的强度和位置。测量了样品的室温光致发光谱(PL谱),所有样品均观察到紫外发光带和蓝光发光带,同时伴随有较弱的绿光发光带。微量Cu掺杂能够显著提高ZnO∶Co薄膜的发光强度,对样品的发光机制进行了讨论。  相似文献   

8.
采用溶胶-凝胶法制备了Cu、Co共掺的Zn0.95-xCo0.05CuxO(x=0,0.01,0.03,0.05)薄膜,并用金相显微镜和X射线衍射(XRD)研究了样品薄膜的形貌和结构,结果发现掺杂量影响着衍射峰的强度和位置。测量了样品的室温光致发光谱(PL谱),所有样品均观察到紫外发光带和蓝光发光带,同时伴随有较弱的绿光发光带。微量Cu掺杂能够显著提高ZnO∶Co薄膜的发光强度,对样品的发光机制进行了讨论。  相似文献   

9.
采用浸泡镀敷的方法在多孔硅表面形成了一镀铜层,通过对掺铜前后多孔硅的光致发光(PL)谱和傅里叶变换红外(FTIR)吸收光谱的研究,讨论了铜在多孔硅表面的吸附对其光致发光的影响。实验表明,掺铜多孔硅的光致发光谱出现两个发光带,其中能量较低的发光带随主发光带变化,并使多孔硅的发光峰位蓝移。多孔硅发光峰位的蓝移,是由于在发生金属淀积的同时伴随着多孔硅表面Si的氧化过程(纳米Si氧化为SiO2)的缘故。  相似文献   

10.
用脉冲ArF准分子激光熔蚀SiC陶瓷靶,在800C Si(100)衬底上淀积SiC薄膜,经不同温度真空(10-3Pa)退火后,用FTIR、XRD、TEM、XPS、PL谱等分析方法,研究了薄膜最佳晶化温度及表面形态、结构、组成,并对在最佳退火温度处理后的样品进行了化学态、微结构及光致发光的研究.结果表明,在Si(100)上800C淀积的样品为非晶SiC薄膜.经850-1050C不同温度真空退火后,SiC薄膜经非晶核化-长大过程,在980C完成最佳晶化.随退火温度的变化,薄膜中可能存在3C-SiC与6H-SiC的竞争生长或/和3C-SiC相的长、消(最佳温度退火样品中6H-SiC和3C-SiC两种晶相共存).以370nm波长光激发样品薄膜表面,显示较强的447nm蓝光发射,其发光机制可能是空位缺陷及其它晶格缺陷形成的浅施主能级向价带的电子辐射复合跃迁.  相似文献   

11.
采用水热法在低温合成了铋层状钙钛矿结构Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)(BNdT)纳米材料,利用X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)表征产物的晶相和形貌,研究了反应温度和聚乙烯醇(PVA)对水热合成BNdT纳米结构的影响,运用X-射线光电子能谱(XPS)对BNdT纳米结构的化学组分和元素价态进行了表征.结果表明,反应温度和PVA对水热合成BNdT纳米结构的形貌有较大影响;XPS研究显示BNdT纳米结构的表面存在氧空位和轻微的Bi过量.  相似文献   

12.
微波烧结Ba_(6-3x)Sm_(8+2x)Ti_(18)O_(54)陶瓷材料的初步研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了Ba_(6-3x)Sm_(8+2x)Ti_(18)O_(54)(x=0.67,BST)陶瓷材料的微波烧结情况,从烧结特性、微结构与相组成及微波介电性能等方面对微波烧结的样品与传统工艺制得的样品进行了对比.结果表明, 与传统制备工艺相比,微波烧结BST陶瓷缩短了烧结周期,并促进了样品的致密化,其物相组成和传统烧结的样品没有区别,且晶粒细小分布均匀.微波烧结BST陶瓷可获得较优的微波介电性能:介电常数ε_r=82.89,品质因数与频率之积Qf=8 450 GHz(频率f=4.75 GHz),谐振频率温度系数τ_f=22.58×10~(-6)/℃.  相似文献   

13.
本文从理论上比较了Rb~(37)和Cs~(133)激射器。结果表明:Rb~(37)激射器具有较大的振荡功率,其原因是Rb~(37)的核自旋量子数小,因而振荡参数阈值比Cs~(133)的大,即Rb~(37)激射器能在较低的原子密度或较低的腔ηQ_c值下维持振荡。  相似文献   

14.
采用微波加热法于1 100℃保温30 min(升温速率为20℃/min)合成Ba6-3xNd8+2xTi18O54(x=0.30~0.75,BNT)陶瓷粉末,再添加质量分数45%的B2O3-SiO2-CaO-MgO( BM)玻璃,在马弗炉中于900℃烧结2h制得BNT陶瓷.研究了所制陶瓷的微观结构及性能.结果表明:微波...  相似文献   

15.
本文用Linearized-Muffin-Tin Orbitals能带方法,计算GaAs衬底上(ZnS)n/(ZnSe)n(001)超晶格的能带结构。计算中采用外加调整势进行带隙修正,从而得到较准确的能带结构和波函数。在此基础上计算了超晶格系统的光学介电函数虚部ε2(ω)。结果表明,该超晶格系统的光学性质结合了ZnS和ZnSe体材料光学性质的特点,在相当宽的能量范围内有较好的光谱响应,并且该超晶格  相似文献   

16.
采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)薄膜,发现制备的薄膜具有单一的钙钛矿晶格结构,且表面平整致密.对Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)薄膜的电学性能进行了研究.结果表明,室温下,在测试频率1 MHz时,其介电常数为213,介电损耗为0.085;在测试电压为350 kV/cm,其剩余极化值、矫顽场强分别为39.1 μC/cm~2、160.5 kV/cm;表现出良好的抗疲劳特性和绝缘性能.  相似文献   

17.
在微波场作用下,采用柠檬酸盐法合成了阴极粉体La0.8Sr0.2MnO3(LSM)。用TG-DTA、XRD、TEM、SEM和电化学工作站对产物形成过程、微观结构和电化学性能进行分析和表征。结果表明,LSM溶胶在微波处理后,850℃煅烧能够形成单一的钙钛矿型结构;粉体粒径约为30nm,远小于采用传统烘箱加热方式的200nm,所得粉体电催化活性高,其制得的单电池在800℃时的最大功率密度达到0.82W/cm2,开路电压达1.1V,而采用传统烘箱加热方式所制得单电池的最大功率密度仅为0.71W/cm2。  相似文献   

18.
概述了超高密度薄型基板(MLTS)封装技术的概念、特征和工艺以及应用MLTS封装技术开发的高性能FCBGA和CSP。  相似文献   

19.
用离子注入法配合优化退火新技术制成了一种高效发光材料InP(Yb);用高灵敏度激光光谱仪测量了该材料的发光特性(PL),并研究了离子注入和退火过程中发光特性的变化,对PL谱峰作出辨认;用X射线衍射谱(XDS)测量分析晶格结构和注入损伤(缺陷);研究了原材料的掺杂(Sn)对发光特性的影响;较深入地探讨了该材料的发光机制,并用一改进RE发光中心模型阐明该材料的激发发光过程。  相似文献   

20.
Classic tris(bipyridine)ruthenium(II) complex (Ru-bpy) with high electrochemiluminescence (ECL) efficiency still suffers from a serious aggregation-caused quenching (ACQ) problem, which greatly weakens its ECL efficiency to restrict further applications in solid-state ECL imaging and light-emitting devices. Herein, the crystallization-induced enhanced ECL (CIE-ECL) of tris(bipyridine)ruthenium(II) derivatives (Ru-TPE) are reported by decorating Ru-bpy with inherent aggregation-induced emission active tetraphenylethene (TPE), which effectively eliminates the detrimental π–π stacking interactions and thus helps Ru-bpy surmount notorious ACQ effect in the aqueous phase. The Ru-TPE shows negligible ECL emission in solution but produces a strong ECL emission upon crystallization. Surprisingly, the ECL efficiency of Ru-TPE crystals is 20 and 3 times higher than that of its solution and Ru-bpy crystals, respectively. Experimental and structural analysis reveals that such a CIE-ECL effect originates from the restricted intramolecular rotation and ordered molecular packing. Moreover, the high-resolution ECL imaging of a single Ru-TPE crystal is successfully demonstrated. This work provides a new design strategy for achieving high efficiency in solid-state ECL imaging and devices.  相似文献   

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