我国环氧模塑料起步晚发展快

我国环氧模塑料业起步较晚，从80年代中后期才开始生产，当时年产量仅几十吨。随着大规模和超大规模集成电路、特大规模集成电路的发展，主要用于微电子封装的我国环氧模塑料业进入了快速增长时期，目前年产量已突破1万吨，占全球产量15万吨的7％左右。     

发展化学化工中的计算机软件

1 从计算机启蒙到进入计算机时代电子计算机从二次大战后出现到现在不过几十年,但是从硬件的发展看,已经跨越了几个时代。起初是电子管,后来是晶体管、集成电路、大规模集成电路、超大规模集成电路。     

用于集成电路封装的有机复合高导热灌封料

随着混合集成技术的高速发展和电子产品集成度的不断提高，集成电路对封装机有机材料的要求也越来越高。目前，功率电路模块进一步实现高性能、高可靠性和小型化的主要因素在于集成电路的组装和封装方式。封装材料应具有优良的导热性能、热匹配性能以及电性能，才能满足功率电路对封装材料的特殊要求。有机树脂封装不仅适用于集成电路（IC）和大规模集成电路（LSI），而且适用于超大规模集成电路和功率集成电路。国际上树脂公司生产的H77H47和E02等树脂产品，已大批量用于军用集成电路的组装与封装，产品具有导热性能良好、能长期在高温（150℃）条件下工作等特点。在我国，树脂封装也逐渐在电子行业得到足够的重视，并已经应用于高密度集成电路模块的研制而生产。     

有机双稳态分子的设计

前言 以超大规模集成电路为核心的微电子学已发展得相当成熟,制备10μm大小的集成电路元件已成为常规工艺,提高集成度,缩小元件尺寸的努力仍在向前发展。目前世界上已能生产1—4兆集成度的半导体存贮器,加工线宽可达0.8μm,接近亚微米级,不久集成度可达64兆位,加工线宽将达0.1-0.2μm,即达到亚微米级的极限,根据这种发展趋势,有人作出预测,到2020年时,集成电路中单个元件的尺寸将小至钠米级(～10~(1-)米),即     

汽车电子技术的发展前景

汽车电子化是建立在电子学的发展基础之上，从真空管、晶体管、集成电路、大规模集成电路到超大规模集成电路的技术进步，出现了计算机等各种电子装置，汽车电子化也随着发展，汽车电子装置占整车造价的1/3，高级轿车有的就装几十个微控器、上百个传感器。电子化的程度成为衡量汽车档次的主要标志。     

超大规模集成电路工业洁净室的设计

超大规模集成电路工业洁净室的设计是一门涉及集成电路制造工艺、空气调节、空气净化、建筑结构、给水排水、气体动力、电气工程等很多专业的综合性技术。当前我国的集成电路工业正在蓬勃发展。为了设计出符合集成电路工业生产要求的环境,这里就超大规模集成电路工业洁净室的设计浅谈几点自己的看法。 一、集成度和环境设计参数 对于4～64M的环境要求可参见表1。从空气洁净度来说,美国FS209D是以≥0.5μm粒子在1立方英尺中的个数来表示的,日本JlS     

高纯超细球形化硅微粉研制成功

一项用于微电子工业的封装材料———高纯超细球形化硅微粉研究成果 ,近日在湖北武汉通过了省级鉴定。这项成果在微电子工业填充材料生产工艺和技术方面取得了重大突破 ,将打破国外高档硅微粉垄断国内市场的局面。超细硅微粉材料是近年来逐渐发展起来的新材料 .已广泛应用于电子、电器基板及封装、高级石英玻璃、光导纤维、橡胶、化工填料等领域。随着我国微电子工业的迅猛发展 ,大规模、超大规模集成电路对封装材料的要求也越来越高 ,不仅要求其超细 ,而且要求高纯度 ,特别是对于颗粒形状提出球形化要求。球形化能增加填充量 ,硅微粉的填充…     

超纯水与大规模集成电路

进入70年代以来,大规模集成电路飞速发展,特别是N沟MOS电路发展更快。国外1972年研制出N沟MOS4千位动态随机存贮器(4KRAM),相当于一万多个元件;1976年研制出16KRAM,相当于三万七千个元件;1978年又发展到64KRAM,约13—14万个元件;1980年美国、日本已研制出256KRAM样管,大约50万个元件。目前,我国已研制出16KRAM。随着大规模和超大规模集成电路的发展,集成度越来越高,线条越来越细,其成品率随集成度的增加成指数关系下降,因     

日本开发出高导热的氮化铝陶瓷

日本东芝综合研究所开发出了组装超大规模集成电路所不可缺少的高性能陶瓷片-氮化铝陶瓷基片，其导热性能可提高50％以上，能高效地逸散大型元件如大规模集成电路的热量。     

0.1μm粒子洁净技术研究

随着现代高科技的发展,对空气环境中悬浮微粒的控制,无论在粒子数量还是大小方面都提出了更高的要求。以电子工业中超大规模集成电路的发展为例,微粒的控制粒径已由0.5μm提高到0.1μm,在洁净空间的级别方面也相应提出10级以至1级的要求。因此,对于最小控制粒径为0.1μm的洁净技术研究也就提到了日程。这意味着不仅要开发研制具有超高性能的空气过滤装置,同时要构造出满足一定微粒控制要求的洁净空间。解决上述任务,既涉及到理论上的分析预测,也涉及到实际的测量验证.从总体而言,后者更为重要。     

电子化学品产业技术重点确定

据了解,今后我国电子化学品技术开发的总体目标和重点任务是:开展工艺技术放大研究,以中试技术为基础解决0.8～1.2μm技术用电子化学品工业化生产过程中的关键技术,实现规模生产,满足国内电子工业需要;同时为适应国内超大规模集成电路发展的需要,完成0.35～0.5μm技术用电子化学品的关键技     

VLSA用新光致抗蚀剂

Sandia的国立研究所开发了下世纪电子学原件用硅单体。这种新的聚硅烷共聚物的光致抗蚀剂材料,由于用深紫线照射,引起自身反应,可以简化1μm以下(如0.8/μm宽度)超大规模集成电路(VLSA)的制     

产品开发

电子化学品的种类繁多,为IC产业配套的主要是光刻胶、高纯试剂、电子特种气体、封装材料等。光刻胶是光刻过程中的惟一介质,光刻技术是IC产业发展的推动力。随着目前集成电路线宽的不断缩小,与之对应的各类光刻胶的研制开发也在不断进行。我国目前除已具备普通436 nm光刻胶和紫外负型光刻胶约100吨的产能外,无锡市化工研究院已能提供少量电子束光刻胶和其他一些特种光刻胶。“十五”期间,国内科研单位在193nm光刻胶和电子束化学增幅光刻胶的研究上取得进展,两种样品的分辨率已分别达到 0．1μm和0．15μm。     

应用计算机化学

一九四六年电子计算机问世以来,发展极为迅速。早期由于价格昂贵、操作复杂,主要应用于军事科学和航空航天技术上。随着半导体技术的发展,大规模、超大规模集成电路的相继出现,特别是价格低廉、功能优越、操作简便的微型计算机和微处理机的迅速发展,以及扩充计算机功能的软件逐步开发,电子计算机已迅速渗入到自然科学、社会科学、工程     

远紫外线光刻胶

亚微米级微细加工,是发展大规模集成电路(LSI)和超大规模集成电路(VLSI)的必然趋势。对于这一加工工艺,只能采用远紫外线、电子束和x射线等新型光刻工艺来实现。采用电子束和x射线曝光工艺,虽然能获得较高的分辨率(指感光材料、光学系统使细小图形清晰成象的能力,分辨率用1毫米内可以清晰辨别的最多直线数目来表示),但是,前者     

高纯球形硅微粉生产方法

本发明公开了一种大规模用球形的制备方法。对硅溶胶进行喷雾干燥,得到微球形二氧化硅凝胶,热处理后得到高纯球形硅微粉,其球形化、球形度、致密度及表面光滑度等能达到大规模集成电路封装要求。     

BT树脂——新的电子材料

<正> 随着集成电路从小规模集成电路,经过中规模集成电路、大规模集成电路,向超大规模集成电路发展。印刷线路板也正在向多层印刷线路板发展。工业用电子机器倾向于采用10～15层印刷线路板。随着电子计算机的发展,为了实现高速运算和储存大容量化,急待开发高度集中化元件,使用多层铜层压板。一般使用多层铜层压板,必须具备以下条件:(1)尺寸稳定性好;(2)耐热、阻燃,在高温对铜的粘合     

电子封装用环氧树脂凸现商机

封装材料有金属基封装材料、陶瓷封装材料和高分子封装材料。其中高分子封装材料(主要为环氧树脂)以其在成本和密度方面的优势在封装材料中一枝独秀,有95％的封装都由环氧树脂来完成。 我国半导体集成电路的市场规模不断扩大,预计2005年全国集成电路的销售额占全球市场的份额将从目前的不足1％上升到2％～3％。据信息产业部和国际权威机构对我国各类整机用集成电路的需求量预测,我国集成电路2003年的需求量将为335亿块,到2010年中国将成为世界     

烧结助剂对氮化硅陶瓷热导率影响的研究进展

随着大规模、超大规模集成电路的发展,以及集成电路在通讯、交通等领域的运用。对于基板材料的要求日益严苛,氮化硅陶瓷因为有着优异的力学性能、介电性能和导热性,是作为基板材料的重要候选材料之一。氮化硅陶瓷的理论热导率高达200-320 W/(m·K),但是实际上高热导率的氮化硅难以制成。随着科研者将精力投入到氮化硅上,近年来氮化硅陶瓷的实际热导率得到提高,但是与理论热导率还有着不少差距。据文献记载,选择合适的烧结助剂能够有效的提高氮化硅陶瓷的热导率。本文综述了不同种类的烧结助剂对氮化硅陶瓷热导率的影响。     

非带电性树脂的研制

吴羽化学工业公司研制成功了防带电效果优越的成形用非带电性树脂。防止塑料带电,在精密电子机器,控制板、机身等方面的要求高,特别是在集成电路、大规模集成电路、超大规模集成电路等的生产使用方面,控制板一带上电,机器的性能就会完全丧失。所以,防止控制板、机身带电是重要的因素。